СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА Российский патент 2009 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2359357C1

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.

Известны способы обработки кремниевых пластин, сущность которых состоит в полном удалении различных загрязнений с поверхности кремниевых пластин [1, 2].

Недостатком способа обработки пластин являются неполное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, плохое сцепление полиимида к пластине и высокая температура травления (70-80°С).

Целью изобретения является полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.

Поставленная цель достигается использованием травителя, состоящего из фтористоводородной кислоты - HF и ацетона - СН3СО СН3 в следующих соотношениях:

HF:СН3СО СН3

1:100

Процесс обработки поверхности кремниевых пластин считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. При этом происходит улучшение смачиваемости поверхности кремниевых пластин к полиимиду.

Сущность способа заключается в том, что при обработке поверхности пластин происходит полное удаление различных загрязнений и примесей в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, с поверхности кремниевых пластин, которое проводят при низких температурах, и при этом время травления уменьшается.

Контроль чистоты поверхности пластин проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов:

HF: СН3СО СН3

1:80

Температура травителя комнатная. Время обработки 60 секунд.

Количество пылинок составляет 7 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HF:СН3СО СН3

1:90

Температура травителя комнатная. Время обработки 50 секунд.

Количество пылинок составляет 5 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HF:СН3СО СН3

1:100

Температура травителя комнатная. Время обработки 30 секунд. Количество пылинок составляет 3 штук.

Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных травителей для обработки поверхности пластин является травитель, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает подготовку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида и способствует улучшению адгезии, благодаря которой уменьшается и количество пылинок с 7 до 3 частиц.

Похожие патенты RU2359357C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786369C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Саркаров Таджидин Экберович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2419175C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Захарова Патимат Расуловна
  • Литовченко Мария Николаевна
  • Муртузалиев Азамат Ибрагимович
RU2586266C2
СПОСОБ СНЯТИЯ ФОТОРЕЗИСТА 2007
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2352020C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2376676C1
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патимат Расуловна
RU2534444C2
СПОСОБ ПЕРВИЧНОГО ОТЖИГА ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2376675C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2383965C1
РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2377690C1
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин 2020
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
  • Крайнова Ольга Михайловна
RU2750315C1

Реферат патента 2009 года СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида проводят в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 секунд при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.

Формула изобретения RU 2 359 357 C1

Способ обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида, включающий обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, отличающийся тем, что компоненты травителя используют при следующем соотношении: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 с при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2359357C1

Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок
/Под ред
Л.А.Коледов
- М.: Радио и связь, 1989, с.400
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
/Под редакцией А.И.Курносов, В.В.Юдин
- М.: Высшая школа, 1986, с.107
Способ культивирования клеток биообъектов 1989
  • Агафонов Юрий Владимирович
  • Шитиков Евгений Сергеевич
  • Сидоров Николай Николаевич
  • Кузьмич Михаил Константинович
SU1684335A1
Устройство для ориентирования отклонения в скважине 1982
  • Бобылев Феофан Александрович
  • Шехтман Эдуард Нусимович
  • Троппер Иосиф Майнгардович
  • Анищенко Анатолий Яковлевич
SU1102917A1

RU 2 359 357 C1

Авторы

Шахмаева Айшат Расуловна

Шангереева Бийке Алиевна

Даты

2009-06-20Публикация

2008-01-22Подача