Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.
Известны способы обработки кремниевых пластин, сущность которых состоит в полном удалении различных загрязнений с поверхности кремниевых пластин [1, 2].
Недостатком способа обработки пластин являются неполное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, плохое сцепление полиимида к пластине и высокая температура травления (70-80°С).
Целью изобретения является полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.
Поставленная цель достигается использованием травителя, состоящего из фтористоводородной кислоты - HF и ацетона - СН3СО СН3 в следующих соотношениях:
HF:СН3СО СН3
1:100
Процесс обработки поверхности кремниевых пластин считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. При этом происходит улучшение смачиваемости поверхности кремниевых пластин к полиимиду.
Сущность способа заключается в том, что при обработке поверхности пластин происходит полное удаление различных загрязнений и примесей в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, с поверхности кремниевых пластин, которое проводят при низких температурах, и при этом время травления уменьшается.
Контроль чистоты поверхности пластин проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов:
HF: СН3СО СН3
1:80
Температура травителя комнатная. Время обработки 60 секунд.
Количество пылинок составляет 7 штук.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
HF:СН3СО СН3
1:90
Температура травителя комнатная. Время обработки 50 секунд.
Количество пылинок составляет 5 штук.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
HF:СН3СО СН3
1:100
Температура травителя комнатная. Время обработки 30 секунд. Количество пылинок составляет 3 штук.
Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных травителей для обработки поверхности пластин является травитель, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает подготовку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида и способствует улучшению адгезии, благодаря которой уменьшается и количество пылинок с 7 до 3 частиц.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) | 2020 |
|
RU2786369C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ | 2009 |
|
RU2419175C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2586266C2 |
СПОСОБ СНЯТИЯ ФОТОРЕЗИСТА | 2007 |
|
RU2352020C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2008 |
|
RU2376676C1 |
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | 2013 |
|
RU2534444C2 |
СПОСОБ ПЕРВИЧНОГО ОТЖИГА ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2008 |
|
RU2376675C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ | 2008 |
|
RU2383965C1 |
РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2008 |
|
RU2377690C1 |
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин | 2020 |
|
RU2750315C1 |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида проводят в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 секунд при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.
Способ обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида, включающий обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, отличающийся тем, что компоненты травителя используют при следующем соотношении: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 с при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки.
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок | |||
/Под ред | |||
Л.А.Коледов | |||
- М.: Радио и связь, 1989, с.400 | |||
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем | |||
/Под редакцией А.И.Курносов, В.В.Юдин | |||
- М.: Высшая школа, 1986, с.107 | |||
Способ культивирования клеток биообъектов | 1989 |
|
SU1684335A1 |
Устройство для ориентирования отклонения в скважине | 1982 |
|
SU1102917A1 |
Авторы
Даты
2009-06-20—Публикация
2008-01-22—Подача