Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.
Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.
Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О), при комнатной температуре раствора [2].
Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.
Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.
Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH4HF2), деионизованная вода (Н2О) в следующих соотношениях:
NH4HF2:Н2О=1: 26.
Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:Н2О=1:35.
Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:Н2O=1:30.
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:H2O=1:26.
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.
ЛИТЕРАТУРА
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.
2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2586266C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) | 2020 |
|
RU2786369C2 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2013 |
|
RU2534388C2 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ КВАРЦЕВОЙ ТРУБЫ | 2013 |
|
RU2534446C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ | 2009 |
|
RU2419175C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ | 2008 |
|
RU2383965C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2008 |
|
RU2376676C1 |
СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА | 2008 |
|
RU2359357C1 |
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин | 2020 |
|
RU2750315C1 |
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ | 2013 |
|
RU2537743C1 |
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NH4HF2) и деионизованную воду (H2O) в соотношении NH4HF2:Н2O=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Способ обработки кремниевых пластин перед напылением, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:
NH4HF2:H2O = 1:26,
время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2008 |
|
RU2376676C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2323503C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА С ОДНОСТОРОННИМИ КОНТАКТАМИ ДЛЯ МОЩНОГО СВЕТОДИОДА | 1997 |
|
RU2156015C2 |
ТРАВИЛЬНЫЙ РАСТВОР | 1997 |
|
RU2119462C1 |
Изложница с суживающимся книзу сечением и с вертикально перемещающимся днищем | 1924 |
|
SU2012A1 |
US 7879736 B2, 01.02.2011 | |||
JP 0061207586 A, 13.09.1986 |
Авторы
Даты
2014-11-27—Публикация
2013-03-05—Подача