СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН Российский патент 2014 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2534444C2

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.

Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.

Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О), при комнатной температуре раствора [2].

Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.

Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH4HF2), деионизованная вода (Н2О) в следующих соотношениях:

NH4HF22О=1: 26.

Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22О=1:35.

Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22O=1:30.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:26.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.

2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.

Похожие патенты RU2534444C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Захарова Патимат Расуловна
  • Литовченко Мария Николаевна
  • Муртузалиев Азамат Ибрагимович
RU2586266C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786369C2
СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патимат Расуловна
RU2534388C2
СПОСОБ ОЧИСТКИ КВАРЦЕВОЙ ТРУБЫ 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патимат Расуловна
RU2534446C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Саркаров Таджидин Экберович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2419175C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2383965C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2376676C1
СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА 2008
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2359357C1
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин 2020
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
  • Крайнова Ольга Михайловна
RU2750315C1
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ 2013
  • Белоусов Виктор Сергеевич
  • Илларионов Владимир Викторович
  • Лапшина Анастасия Анатольевна
  • Спицына Надежда Никаноровна
  • Чеботарев Юрий Алексеевич
  • Чеботарева Анна Алексеевна
RU2537743C1

Реферат патента 2014 года СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NH4HF2) и деионизованную воду (H2O) в соотношении NH4HF22O=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.

Формула изобретения RU 2 534 444 C2

Способ обработки кремниевых пластин перед напылением, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:
NH4HF2:H2O = 1:26,
время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2534444C2

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2376676C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ 2006
  • Калинкин Игорь Петрович
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Осипов Андрей Викторович
RU2323503C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА С ОДНОСТОРОННИМИ КОНТАКТАМИ ДЛЯ МОЩНОГО СВЕТОДИОДА 1997
  • Волков В.В.
RU2156015C2
ТРАВИЛЬНЫЙ РАСТВОР 1997
  • Великанова Л.Н.
  • Хентов В.Я.
  • Семченко В.В.
  • Семченко В.Д.
  • Таланов В.М.
RU2119462C1
Изложница с суживающимся книзу сечением и с вертикально перемещающимся днищем 1924
  • Волынский С.В.
SU2012A1
US 7879736 B2, 01.02.2011
JP 0061207586 A, 13.09.1986

RU 2 534 444 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шахмаева Айшат Расуловна

Захарова Патимат Расуловна

Даты

2014-11-27Публикация

2013-03-05Подача