СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Российский патент 2013 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2495512C2

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности.

Известен способ, по которому очищающий раствор содержит воду, перекись водорода, щелочное соединение и 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил/метан в качестве хелатирующей добавки. Предпочтительно щелочное соединение выбрано из групп, состоящей из органического основания, аммиака, гидроксида аммония, гидроксида тетраметиламмония, более пердпочтительно из группы, состоящей из аммиака и гидроксида аммония. Хелатирующая добавка содержится в количестве 1000-3000 ррт (1-3 г/л). Способ включает обработку полупроводниковых субстратов очищающим раствором и высушивание указанного полупроводникового субстрата после промывки водой. Технический результат - повышение стабильности раствора при повышенной температуре и повышение степени очистки поверхности [1]. Недостатки:

- использование экологически опасных органических веществ;

- сложный состав травильных растворов;

- высокие материальные затраты.

Известен способ обработки поверхности монокристаллической пластины Si, ориентированной по плоскости Si (100) или Si (111), химически устойчивых на воздухе полупроводниковых пленок. Сущность способа заключается в очистке указанной поверхности с последующим пассивированием атомами водорода. Очистку поверхности Si осуществляют сначала в кипящем растворе трихлорэтилена в течение 15-20 минут два раза с промывкой деионизованной водой, а затем в водно аммиачно-пероксидном растворе состава: 5 объемов H2O, 1 объем H2O2 30%, 1 объем NH4OH 25% при 75-82°C или в водном соляно-пероксидном растворе состава: 6 объемов H2O, 1 объем H2O2 30%, 1 объем HCL 37% при 75-82°C с последующей ступенчатой трехкратной промывкой деионизованной водой по 5-10 минут на каждой ступени, а пассивирование атомами водорода осуществляют обработкой сначала в 5-10 мас.% раствора HF, а затем водным раствором смеси NH4OH и NH4F с рН 7.6-7,7 в течение 40-60 секунд с последующей промывкой деионизованной водой и сушкой при нормальных условиях. Способ позволяет получить пластины, которые могут быть длительное время сохранены и транспортированы на воздухе без окисления поверхности [2].

Недостаток - данная технология экологически и пожароопасна, так как используется трихлорэтилен и высокая температура.

В качестве прототипа принимаем способ очистки поверхности кремниевых подложек, заключающийся в том, что очистка кремниевых подложек включает двухстадийную обработку в двух ваннах с различными растворами: в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (H2O2) в соотношении: H2SO4:H2O2=10:1, при температуре T=125°C, во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (H2O2) и деионизованной воды (H2O) в соотношении: NH4OH:H2O2:H2O=1:4:20, при температуре T=65°C [3].

Существенными недостатками прототипа являются:

- значительная энергоемкость, так как требуется нагрев травильных растворов до 125°C;

- применение H2SO4, что не позволяет создать экологически чистое производство.

Целью предлагаемого изобретения является создание высокоэффективного, ресурсо- и энергосберегающего, экологически чистого и безопасного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин от органических и металлических загрязнений и сокращение времени обработки пластин.

Данная цель достигается тем, что очистку поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном, перекисью водорода и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде.

Пример 1.

Образцы полупроводниковых пластин кремния со слоем фоторезиста марки S 1815 помещают в ванну с моющим раствором NH4HF2 при комнатной температуре, активированный потоком озон-кислородной смеси с концентрацией озона 15,9 об.% и ультразвуком..

Визуальные наблюдения показали, что фоторезист полностью снимается через 15 минут в моющих растворах NH4HF2, активированных только концентрированным озоном и через 5 минут с дополнительным воздействием ультразвука.

На графике фиг.1 дан ОЖЕ-спектр поверхности образца пластины после обработки: кривая 1 - в моющем растворе NH4HF2, активированном концентрированным озоном и кривая 2 - в моющем растворе NH4HF2, активированном концентрированным озоном и ультразвуком.

Как видим из фиг.1, интенсивность пика Cls (органических загрязнений) уменьшается ~ 1,7-2 раза, т.е. скорость окислительной деструкции фоторезистивной пленки в моющих растворах, активированных концентрированным озоном и ультразвуком выше.

Пример 2.

Образцы полупроводниковых пластин кремния размером 156×156 мм и толщиной 200 мкм помещались в ванну емкостью 5-7 литров и заливали моющий раствор NH4HF2, активированный концентрированным озоном и ультразвуком. Концентрация озона 12,7 об.%. Контроль степени очистки поверхности полупроводниковых пластин кремния показал, что в течение 1-2 минут остатки образивной суспензии удалены с поверхности кремниевых пластин полностью.

Пример 3.

Образцы полупроводниковых пластин кремния размером 156×156 мм и толщиной 200 мкм помещались в ванну емкостью 5-7 литров и заливали моющий раствор NH4HF2, активированный концентрированным озоном и перекисью водорода в сочетании с ультразвуком. Концентрация озона 12,7 об.%. Контроль степени очистки поверхности полупроводниковых пластин кремния показал, что в течение 1 минуты остатки образивной суспензии удалены с поверхности кремниевых пластин полностью.

Таким образом, по сравнению с прототипом, применение предложенного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном, перекисью водорода в сочетании с ультразвуком позволит сократить расход используемых материалов и веществ, снизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость процесса, сократить число стадий очистки и тем самым повысить экологическую безопасность очистки и сократить время обработки пластин.

Использованные источники:

1. Бернер Марк, Килиан Рудольф, Райн Рудольф, Арнольд Луция, Шустер Михаэль, Леопольд Александер, Патент №2329298 C11D 7/18, «Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь», опубл. 20.07.2008 г.

2. Калинкин И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Патент №2323503, H01L 21/306, «Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния», бюл. №12, опубл. 27.04. 2008.

3. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Алиев Ш.Д., Патент №2319252, H01L 21/306, «Способ очистки поверхности кремниевых подложек», опубл. 10.03.2008 г.

Похожие патенты RU2495512C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОЧИСТКИ И ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 2012
  • Мантузов Антон Викторович
  • Потапова Галина Филипповна
  • Зарезов Максим Александрович
  • Панчугин Вячеслав Александрович
RU2507630C1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИЛЬНЫХ РАСТВОРОВ 2011
  • Мантузов Антон Викторович
  • Потапова Галина Филипповна
  • Клочихин Владимир Леонидович
RU2486287C2
СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОЙ ЖИДКОСТНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1997
  • Хаханина Т.И.
  • Клюева Т.Б.
  • Селиванова И.Н.
  • Савельев В.А.
  • Красников Г.Я.
  • Просий А.Д.
RU2118013C1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 2003
  • Потапова Г.Ф.
  • Клочихин В.Л.
  • Путилов А.В.
  • Грибов Б.Г.
RU2249882C1
СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1997
  • Хаханина Т.И.
  • Клюева Т.Б.
  • Селиванова И.Н.
  • Савельев В.А.
  • Красников Г.Я.
  • Ковалев А.А.
RU2139593C1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1992
  • Хаханина Т.И.
  • Красавина Л.З.
  • Клюева Т.Б.
  • Шмелева Т.Б.
  • Красников Г.Я.
  • Карбаинов Ю.А.
RU2024993C1
Способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке 2017
  • Мантузов Антон Викторович
  • Потапова Галина Филипповна
  • Воронцов Павел Сергеевич
  • Рындя Сергей Михайлович
  • Путилов Александр Валентинович
RU2703909C2
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Алиев Шамиль Джамалутдинович
RU2319252C2
ЭЛЕКТРОЛИЗЕР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВОДОРОДА И ОЗОН-КИСЛОРОДНОЙ СМЕСИ 2012
  • Божевольнов Владислав Борисович
  • Зарезов Максим Александрович
  • Мантузов Антон Викторович
  • Полицын Александр Ананьевич
  • Рыков Валерий Михайлович
RU2507313C2
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ 2013
  • Белоусов Виктор Сергеевич
  • Илларионов Владимир Викторович
  • Лапшина Анастасия Анатольевна
  • Спицына Надежда Никаноровна
  • Чеботарев Юрий Алексеевич
  • Чеботарева Анна Алексеевна
RU2537743C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 495 512 C2

Реферат патента 2013 года СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений, и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: очистку поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде. Изобретение обеспечивает создание высокоэффективного, ресурсо- и энергосберегающего, экологически чистого и безопасного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин от органических и металлических загрязнений и сокращение времени обработки пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 495 512 C2

1. Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин от механических и органических загрязнений, отличающийся тем, что очистку осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что очистку осуществляют моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и перекисью водорода.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2013 года RU2495512C2

Пломбировальные щипцы 1923
  • Громов И.С.
SU2006A1
СПОСОБ ОЧИСТКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ЭНЕРГИИ РАЗЛИЧНОЙ ЧАСТОТЫ 2007
  • Красильников Владимир Яковлевич
  • Агафонов Евгений Васильевич
  • Серебряков Олег Александрович
  • Громова Людмила Витальевна
RU2357810C2
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Алиев Шамиль Джамалутдинович
RU2319252C2
US 7235516 B2, 26.06.2007
US 6346505 B1, 12.02.2002
Пресс для выдавливания из деревянных дисков заготовок для ниточных катушек 1923
  • Григорьев П.Н.
SU2007A1

RU 2 495 512 C2

Авторы

Рыков Валерий Михайлович

Зарезов Максим Александрович

Даты

2013-10-10Публикация

2011-11-23Подача