Способ изготовления алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов Советский патент 1983 года по МПК H01G9/00 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛЮМИНИЕВЫХ ОКСИДНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

1

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.

Известен способ изготовления оксиднополупроводниковых конденсаторов, включаюпшй формирование анодов спекакиетл алюминиевого порошка в вакууме, электрохимическое оксидирование поверхности спеченного анода, покрытие этой поверх- JQ ности полупроводникового окисла, нанесение слоя графита, корпусирование и финишную термоэлектрообработку, которая заключается в выдержке конденсаторов при 85 С и номинальном напряжении в тече- ts ние 30 ч, причем конденсаторы подключаются к источнику напряжения через последовательное сопротивление 5 кОм ft.

Однако этот способ не гарантирует бильности электропараметров и надежности конденсаторов, что приводит к неудовлетворительным результатам периодических испытаний.

Наиболее близким к предлагаемому по, технической сущности является способ изготовления алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов включающий термообработку конденсаторов под напряжением при 8О-90 ° С 2J.

Однако повышение напряжения приработки выше номинального для алкжлгаиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов вследствие их меньшей электрической прочности может привести к микропробоям, которые разрушают структуру анодной окисной пленки, созданной в процессе оксидирования, что, в свою очередь, может явиться причиной отказов в процессе эксплуатации готовых изделий. Кроме того, использование для контактирования порошка двуокиси марганца вследствие его конечного сопротивления ( ЮО Ом) {обуславливает токоограничение при приработке конденсаторов, которое не по зволяет развиваться процессу разрушения током термоэмиссии облаете отрипятвль;ного заряда в объеме окисла и, следовагельно, не выявляет все потенциально ненадежные образцы.

Цель изобретения - повышение стабильности электропараметров конденсаторов.

Поставленная цепь достигается тем, что сотласно способу, включающему термообработку конденсаторов под напряжением при 80-90 С, термообработку проводят в течение 2 ч, причем после первого часа выдержки конденсаторов под напряжением производят отключе{ше напряжения на 35 Msm.

П р и м е р J По действующей технологии изготашшвают несколько партий конденсаторов номинала ЗО В 22 мкФ в количестве 318 шт. После изготовления конденсаторы устанавливают в спеШ1альные кассеты, помещают в термошкаф и выдерживают там при температуре 82± 5 С и напряжении 30 В. Череп 1ч

с момента подачи напряже1П1я производят отключение источника на 3 мин, после чего напряжение подают снова и конденсаторы выдерживают еше 1 ч. Затем кассеты с конденса| рами вьгаимают из термошкафа и после их остывания производят разбраковку конденсаторов по токам утечки.

Результаты испытаний приведены в таблице.

Из полученных данных видно, что конденсаторы, изготовленные по предлагаемому способу удовлетворяют требованиям частных технических условий ОЖО 464.060 ТУ в то время как конденсаторы изготовленные по известному способу .2 не удовлетворяют этим требованиям. Кромо того, выход годных по предлагаемому способу выше на 5-8%. 100 е т .е и и ff 3 о б р Формула и Способ изготовления алюкшниевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов включающий термообработку конденсаторов под напряжением при 80-90 С, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильноста электропараметров ковденсаторов, термоэлектрообработку конденсаторов под напряжением 4 проводят в течение 2 ч, причем после первого часа выдержки конденсаторов под напряжении производят отключение напряжения на 3-5 мин. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе JI. Технические условия ОЖ 0,464.096 ТУ 1964. 2. Патент Франции № 2432204, кл. Н OIG 9/О5, 198О (прототип).