Керамический материал Советский патент 1983 года по МПК C04B35/468 

00

ф ел

оо Изобретение относится к керамическим материалам, может быть использовано в электронной технике д изготовления низкочастотных конден саторов с большой 5 дельной емкость Известен керамический МеЬтериал иа основе окислов цинка, бария, ти тана, висмута и ниобия, который им ет большие диэлектрические потери и может быть использован лишь в производстве низковольтных гсонденсаторовНаиболее близким к предлагаемом по технической сущности является материал на основе твердых растворов BaTiOg - BaZrOj - MgNbgOj 2. Керамический материал содержит компоненты при следующем соотношении , мае.%: 83,2-90,6 BaTiOj , 8,0-16,0 0,8-1,4 KgNbaOg Недостатком материала является относительно невысокоб значение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления. Материал имеет диэлектрическую проницаемость (12-20ДО, тангенс угла диэлектрических потерь (0,43,0), удельное объемное сопроти ление (7-fo- 5-10)Ом-м. Цель изобретения - повышение ди электрической проницаемости и удел ного объемного сопротивления. Указанная цель достигается тем, ,что керамический материал на основе твердых растворов BaTiO - BaZr MgNb2O( дополнительно содержит 5Ь2 при следующем соотношении компонен тов, мае. %: 84-90,45 BaTiOj 8,20-14,80 Ва2гОз 0,40-1,30 MgNb2Q(, ВЬгОэ 0,05-0,80 Ионы сурьмы, входя в кристаллическую решетку твердого раствора BaTiOj - Ва2гОз - MgNbgO, повьаиаю

Таблица поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношение между компонентами BaTiOg, BaZrO, и берется таким, тобы точка Кюри была вблизи 15-30°С. Оптимальная добавка SbgO, находится в пределах 0,05 - 0,8 мас.% и при дальнейшем увеличении ее количества диэлектрическая проницаемость, удельное объемное сопротивление уменьшаются, а диэлектрические потери увеличиваются.,Кроме того, несколько уменьшается температурный диапазон спекания, а температурная зависимость становится хуже. Если же добавка SbgOj меньше, чем 0,05 мас.%,несколько повышается температура спекания, а диэлектрическая проницаемость и удельное объемное сопротивление уменьшаются, Для получения кинематического материала приготавливают смесь из предварительно синтезированных BaTiOj, Ва2гОз. MqNbgO и Sb2O, взятых в необходимых соотношениях, и затем измельчают. Из смеси получают образцы прессованием в виде дисков, которые обжигают в электрической силитовой печи при 13501400°С в течение 2 ч. Для получени конденсаторного керамического материала готовят три смеси ингредиентов, составы которых представлены в табл. 1. Электрические свойства полученных конденсаторных керамических материалов приведены в .табл. 2. Применение предлагаемого керамического конденсаторного материала в микросхемах и радиоэлектронных компонентах позволяет уменььшть габариты изделий путем повышения удельной емкости и уменьшения размеров, и экономить драгоценные металлы, используекоде для электродов.

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе твердых растворов ВаТЮз BaZrO - MgNbj O , отличаюU н и с я тем, что, с целью повышеиня диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления, он дополнительно содержит при следующем соотношении ксяшонентов, мае. %: BaTiOj 84,00-90,45 ВаггОз 8,20-14,80 MgNb-O, 0,40-1,30 8Ь20э 0,05-0,80

90,45 8,20 1,30

0,05

84,00

14,80

0,40

0,80

22300

0,009

42000 0,003 0,01

26800

Та6лица2

75 82 74

80 88 83