Легкоплавкое стекло Советский патент 1983 года по МПК C03C3/12 

СП

00 Изобретение относится к легкопл ким стеклам и может быть использов но в микроэлектронике,, в вакуумной или электронной технике в качестве припоя, защитного покрытия или мат риала для межкомпонентной изоляции полупроводниковых приборов, наприм газоразрядных панелей. Известно припоечное стекло l , содержащее, мае. %: РЪО. 16-18 В,0,12-15 ггО 48-52 BkOi18-20 Недостатками известного стекла ляются высокая температура спаиван (700®С) и склонность к кристаллиза при б75-7БО°С. Наиболее близким к изобретению является легкоплавкое стекло l2j , включающее мае. %: РЪО65,4-69,6 &20, 13,6-20 5(025,8-13,6 ,2-1 МсгО0-5 СаО0-5 Это стекло обладает следующими х рактеристиками (,гщя среднего оптимального состава): Температура стеклования,°С Температура деформации, °С Температура оплавления, С Температура начала кристаллизации, ®С Температура максимальной :Скорости кристаллизации,, С Условная степень кристал;лизации Н/масса образца), мм/г . ТКЛРЯО, град Цель изобретения - понижение тематуры оплавления Цель достигается тем, что легковкое стекло, включающее РЬ О . , MtfO , АбаО , дополнитель -:о сожит ZnO и ZiOj при следуюьдём соошении компонентов, мае, %s PbO61-67 BjO 13-16 SiOa1-3 ,1-2,0 1-3 г.пО . 14-17 IrOj0,1-2,0 Изобретение поясняется на конкных примерах. Составы стекол и основные их паетры приведены .1 и 2. Таблица.

Таблица 2

ЛЕГКОПЛАВКОЕ СТЕКЛО, включающее РЪО , BjOv SiOj rMgOfAEjO}, отличающееся тем, что, с целью понижения температуры сплавления, оно дополнительно содержит j;nО и ZrO при следуквдем соотношении компонентов, мае. %: РЬО -61-67 В-гОз13-16 , 1-3 00,1-2,0 АЕ ОЗ1-3 ZnO14-1 7. ХгОзО,-1-2, О

Температура стеклования (трансформации), Ос

/

Температура деформации (диэлектрическая температура размягчения), С

Температура опавления (склеивания) , С ТКЛР 10 к

Уменьшение веса после 5 ч кипячения в воде, %

Диэлектрическая проницаемость Тангенс угла диэлектрических потерь -10

Удельное объемное электрическое сопротивление при , ОММ

Температура, при которой удельное электрическое сопротивление равно 1 Мом- м

386

394

397

4

12

)2

f

10

10

10