9)
.U
а Л Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении проме/луточных фотооригиналов (ПФО) , предназначенных для получения интегральных схем (ИС со сменным матричным фрагментом. Комплект ПФО для ИС со сменным матричным фрагментом содержит постоя кнные слои с фиксированным изображением и сменный слой, формирующий информационное поле сменного матричного фрагмента. Различные сменные слои изготавливаются в широком временном диапазоне с момента получения комплекта ПФО и до снятия НС с производства. Известен способ изготовления комплекта ПФО для ИС, состоящий в последовательном фотонаборе рисунка на все ПФО, входящих в комплект ПФО на ИС 111 . . Недостатком указанного способа являются большие затраты времени на рисовку ПФО и ухудшение качества комплекта ПФО вследствие рассовмещаемости при изготовлении ПФО из комплекта в широком вpeмeннoм диaпазоне. Наиболее близким по технической сущности к изобретению являежся способ изготовления комплекта ПФО для ИС с матричным фрагментом, включающий однократный фотонабор постоянной- части базового ПФО, групповой фотонабор матричного фрагмента с определенным числом реализованных ячеек и фотомонтаж базового ПФО .23. Недостатком этого способааявляетс то, что изготовление комплекта ПФО с сг.1енным матричным фрагментом также связано с высокой трудоемкостью .и снижением качества комплекта ПФО за счет изготовления ПФО в широком временном диапазоне. Цель изобретения - снижение трудо емкости изготовления и повышение качества промежуточного фотооригйнала. Поставленная цель достигается тем что согласно способу изготовления пр межуточ91ого фотооригинаша для интегр ральных схем со сменным матричным фрагментом, включающему фотонабор постоянной части базового фотооркгинала, фотонабор матричного -фрагмента и фотомонтаж базового фотооригинала фотонабор постоянной части базового фотооригинала и матричного фрагмента выполняют на одной подложке, причем фотонабор матричного фрагмента осуществляют с максимальным числом ячеек, а фотомонтаж базового фотооригинала проводят со сменным фотоориги 1алом, расположение элементов которого соответствует разрывам в ячейках Практичех;ки размещение элементов рисунка каждого сменного ПФО задают элементами,, только нулевыт м или толька единичными,. двойной прямоугольной таблицы из М строк и N столбцов так, что каждому элементу таблицы, расположеннотлу на пересечении m -и строки (,Й) и п-го столбца (,л), соответствует фиксированная для данной ИС позиция элемента рисунка сменного ПФО. На фиг. 1 изобралсен базовый ПФО, содержащий постоянные, фрагменты 1 - 3 и сменный матричный фрагмент 4 полупроводниковых запоминающих устройств .ПЗУ f на фиг. 2 - сменный матричный фрагмент, содержащий соединительные элементы 5, реализуй5щие адресные шины, и соединительные элементы 6 ,. обеспечивающие реализацию ячеек памяти ПЗУ на фиг. 3 - сменный ПФО, содержащий элементы 7, обеспечивающие 2 разрыв соединительных элементов 6; на фиг. 4 - нгшожение на соеми динительные элементы 6 матричного фрагмента 4 базового ПФО элементов 7 сменного ПФО; на фиг. 5 - сменный матричный фрагмент 4 базового ПФО, на котором разрывы 8 в соединительных элементах 6 обеспечивают исключение ячеек ПЗУ сменного матричного фрагмента. Способ изготовления ПФО для ИС со сменным матричньам фрагментом реализуется следующим образом. Пример. На стеклозагоховке с хромированным фJтopeзиcтивным покрытием типа ППХФ на фотонаборной установке типа ЭМ-549 с временем экспози1дии 0,9 - 1с в течение 15 ч выполняется рисовка базового ПФО для ИС, включающего постоянные фрагменты 1 - 3 и матричный фрагмент 4, представляющий собой ПЗУ с соединительныг-ш элементами 5, реализующими адресные шины, и соединительными элементами 6, обеспечиваквдими реализацию максимально возможного для данной ИС числа ячеек (16384) ПЗУ. Отрисованная указанным образом стеклозаготовка подвергается химической обработке, включакядей операцию проявления в растворе КОН (1,2% концентрации иттравление в травителе т-3. С полученного базового ПФО на установке контактной печати и экспонировании ЭМ-583 на стеклозаготов- ках с хромированным фоторезистинным покрытием типа ППНФ получают необходимое количество копий базового ПФО,Для получения сменного ПФО на стеклоэаготовке с хромированным фотбрезистрвным покрытием типа ППХФ в течение примерно 45 мин на ФНУ ЭМ-549 выполняется рисовка элементов 7, размещение которых для каждого сменного ПФО задается двоичной прямоугольной таблицей (с новой информацией) из М строк и N4 столбцов, где каждому нулевому элементу, рас
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство проекционного экспонирования промежуточных фотооригиналов | 1984 |
|
SU1267343A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШ.ЛБЛОНОВ ДЛЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПЛАТ | 1970 |
|
SU280594A1 |
Микрофотонаборное устройство для изготовления фотошаблонов | 1972 |
|
SU447664A1 |
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ | 1984 |
|
SU1841014A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1979 |
|
SU842964A1 |
Устройство для определения координат объекта | 1990 |
|
SU1814196A1 |
Цифровая машина для управления процессами электронно-лучевой микрообработки | 1977 |
|
SU702378A1 |
БАЗОВЫЙ МАТРИЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1992 |
|
RU2089012C1 |
УСТРОЙСТВО ХРАНЕНИЯ И ОБРАБОТКИ ДАННЫХ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2208267C2 |
Фотоэкран А.Ф.Домрина | 1989 |
|
SU1720055A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОМЕ- ЖУТОЧНОГО ФОТООРИГИНАЛА дл интегральных схем со сменным матричным фрагментом, включающий фотонабор постоянной части базового фотооригим. нала, фотонабор матричного фрагмента и фотомонтсик,базового фотооригинала, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения качества промежуточного фотооригинала фотонабор постоянной части базового фотооригингша и матричного фрагмента выполняют на одной подложке, примем фотонабор матричного фрагмента осуществляют с максимальным числом ячеек, а фотомонтаж базового фотооригинала проводят со сменным фотооригиналом, расположение элементов которого соответствует разрывам в ячейксос.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Свидельский А.П., Райхмон Я.А, Метод группового фотонабора в производстве полупроводниковых ЗУ | |||
- Электроннгш промьшшенность, 1978, 6, сГ9-10 | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Там же, стр | |||
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Авторы
Даты
1984-01-15—Публикация
1982-07-14—Подача