Способ изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора Советский патент 1984 года по МПК H01G9/04 

00 о:

00

ел

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для. использования при изготовлении алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.

Известен способ получения переходного металлического слоя катодной обкладки конденсатора, при котором наносят слой из сплава Рв, Sn 0,05-30 мас.% Zn с добавкой других металлов (например, SB, А1, Ti, Si, Си) непосредственно на твердый электролит из двуокиси марганца при погружении анодов в ванну с жидким сплавом при одновременном воздействии на ванну вибрацией 1.

Однако такой способ не улучшает конечные электрические параметры готовых алюминиевых конденсаторов.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ изготовлений оксидно-полупроводникового конденсатора, включающий окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение слоев двуокиси марганца 2.

Однако при известном способе наряду с уменьщением переходного сопротивления происходит значительное уменьшение емкости и возрастание токов утечки готовых Jcoндeнcaтopoв, и конденсаторы, изготовляемые по данному способу, являются дорогостоящими из-за применения серебросодержащей пасты.

Цель изобретения - повышение номинальной емкости конденсатора.

Цель достигается тем, что согласно способу изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора, включающему окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение слоев оксида марганца, посде нанесения слоев оксида марганца алюминиевый объемно-пористый анод пропитыва ют в 25-30%-ном растворе метил-фенилполисилоксана в неполярном растворителе

в течение 5-10 мин с последующей выдержкой при 1000°С в течение 15-20 мин.

Пример. Секцию окисленных анодов с нанесенным слоем оксида марганца пропитывают в ванне с 30°/о-ным раствором метил-фенил-полисилоксана в бензоле в течение 5 мин, затем высушивают при 100°С для удаления растворителя и образования переходной полимерной пленки 15-20 мин. После получения однородной пленки наносят графитосодержащее покрытие по известной технологии.

В таблице приведены результаты измерений электрических характеристик готовых конденсаторов с использованием полисилоксанового покрытия и без него.

Использование предлагаемого способа 35 позволяет повысить номинальную емкость конденсаторов и снизить диэлектрические потери.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий анодное окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение на него слоев оксида марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения номинальной емкости конденсатора, после нанесения слоев оксида марганца алюминиевый объемно-пористый анод пропитывают в 25-30% -ном растворе метил-фенил-полисилоксана в неполярном растворителе в течение 5-10 мин с последующей выдержкой при 100°С в течение 1520 мин.