Элемент памяти Советский патент 1984 года по МПК G11C17/00 

Описание патента на изобретение SU1084893A1

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к элеме там памяти для постоянных запоминающих устройств, и может быть использовано при проектировании репрограммируемых постоянных запоминающих устройств (РПЗУ)о Известны ячейки памяти для репрограммируемых постоянных запоминаюЕцих устройств, которые построены на основе запоминающего МДП транзистора с плавающим затвором. В этих ячейках памяти плавающий затвор заряжается в результате лавинной инжекции элект ройов из пробитого р-п-перехода стока. Процесс записи информации в значительной степени определяется потен циалом плавающего затвора Lt}. Известна ячейка памяти, в которую с целью повышения потенциала плавающего затвора введен конденсаторs включенный между затвором и стоком запоминающего транзистора с плавающим затвором, и на основе которой мо жет быть построен матричный накопитель РПЗУ с 23. Недостатком накопителей на основе таких ячеек памяти является необходимость включения в каждой ячейке памяти последовательно с запоминаю1цим транзистором дополнительного управляющего ключевого МДП-транзисTopaj что увеличивает размеры накопителя . Кроме того, такие приборы эффектно функционируют ЛИЕТЬ при ИСПОЛЬЗО вании в качестве элемента памяти р-канального МДП--транзистора В п-ка нальном транзисторе осуществить заря плавающего затвора пробоем - р-пе рехода стока крайне трудно. Наиболее близким к изобретению по технической сущности к достигаемому результату является ячейка мяти8 представляющая собой п-каналь ный МДП-транзистор с плавающим и управляющим затворами. При выборка одного из элементов памяти .цается напряжение на одну ) адреснь& и одну па разрядньж ши«з т.е на затвор и ссок выбранкого и запоминающего транзистора, В р-езуо1ь тате чего образуется канал, в которо электроны приобретают большую энерги (разогреваются). Лроисходит игокекция горячих злектронов из канала в под затворньш диэлектрик и затем их дрей под действием электрического поля :з сторону тшавакяцего затвора Таким об разом плавающий затвор заряжается отрицательно по отношению к остальным электродам МДП-траизистора, т.е. происходит запись информации. Эффективность записи (величина сдвига порогового напряжения из-за заряда затвора, скорость заряда) определяется в значительной степени величиной положительного напряжения на плавающем затворе возникающего при подаче напряжений на управляющий затвор и сток выбранного элемента памяти. Это напряжение определяется в свою очередь, напряжениями на управляющем затворе и стоке и межзлектродными емкостями З. .Недостаток известного устройства заключается в сравнительно невысокой эффективности записи из-за сравнительно невысокого напряжения на плавакяцем затворе запоминающего транзистора при выборке элемента памяти, что ограничивает время храненрш информации . Для увеличения этого напряжения увеличивают емкость между управляюпщм и плавающим затворами путем либо увеличения размеров плавающего затвора (так называемые закрылки плавающего затвора), либо уменьшением толщины межзатворного диэлектрика. Однако оба эти пути практически трудно реализуемы. Включение дополнительного конденсатора между плавающим затвором и стоком не может быть достаточно эффективпь из-за необходимости ограничения емкости такого кокдексатора для исключения паразитного эффекта; связанного .с открыванием полувыбранных по стоку элементов памяти, что ухудшает работу накопителя на таком элементе памяти в реальной схеме РПЗЗ, Цель изобретения - /в ;Личеяие времени хранения икфор/тацкт-; увеличения сдвига порогового ;апсяжения ячеек памяти при г аргхпде из состояния Логическая ; :; ссгтолнию Логический О. Поставл-лная цель достигается тем что элемент памяти, ссдв жг1;у;:: КЦПранзистор с плавающий к упр влягомим затворами, дополнительно содержит ЩП-кондеисатору затвор и сток которого соединены соотзйтс венк;; с /ja ванзпщм затвором и стскок ЭДП- -;;; .аис тора.

Похожие патенты SU1084893A1

название год авторы номер документа
НАКОПИТЕЛЬ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1995
  • Марков Виктор Анатольевич[Ua]
  • Костюк Виталий Дмитриевич[Ua]
RU2106022C1
ФОТОМЕТР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1992
  • Поляк Юрий Вольфович[Uz]
  • Пак Генадий Алексеевич[Uz]
RU2069843C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОП-ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ, ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА ЕЕ ОСНОВЕ 1996
  • Марков Виктор Анатольевич[Ua]
  • Костюк Виталий Дмитриевич[Ua]
RU2105383C1
МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗМЕНЯЕМЫМ ПОРОГОВЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ 1985
  • Нагин А.П.
  • Милошевский В.А.
  • Тюлькин В.М.
  • Мальцев А.И.
  • Чернышев Ю.Р.
RU1378681C
Ячейка памяти для оперативного запоминающего устройства с энергонезависимым хранением информации 1986
  • Корниенко Михаил Иванович
  • Костюк Виталий Дмитриевич
  • Кролевец Константин Михайлович
  • Невядомский Вячеслав Игоревич
  • Омельченко Владимир Степанович
  • Сидоренко Владимир Павлович
  • Смирнов Владимир Николаевич
  • Третьяк Михаил Александрович
SU1531163A1
Долговременный запоминающий элемент 1978
  • Вавилов Владимир Алексеевич
  • Коломийцев Леонид Матвеевич
  • Гаврилов Валериан Константинович
  • Миллер Юрий Гербертович
  • Щетинин Юрий Иванович
  • Мурашев Виктор Николаевич
SU680054A1
Матричный накопитель и способ управления записью, считыванием и стиранием информации в накопителе 1987
  • Костюк Виталий Дмитрович
  • Дубчак Александр Прокофьевич
  • Омельченко Владимир Степанович
  • Худяков Владимир Васильевич
SU1596392A1
НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1987
  • Колкер Б.И.
  • Крюков С.В.
SU1436735A3
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства 1988
  • Овчаренко Валерий Иванович
SU1778790A1
Матричный накопитель для электрорепрограммируемого запоминающего устройства 1980
  • Голтвянский Юрий Васильевич
  • Костюк Виталий Дмитриевич
  • Невядомский Вячеслав Игоревич
  • Сидоренко Владимир Павлович
  • Троценко Юрий Петрович
SU1336110A1

Реферат патента 1984 года Элемент памяти

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий ВДП-транзисторГ I с плавающим и управляющим затворами, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, он содержит ВДП-конденсатор, затвор и сток которого соединены соответственно с плавающим затвором и стоком МДП-транзистора.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1084893A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Solid-State Electronics,

SU 1 084 893 A1

Авторы

Свердлов Альфред Самуилович

Соскин Борис Моисеевич

Даты

1984-04-07Публикация

1981-07-06Подача