Элемент памяти Советский патент 1984 года по МПК G11C17/00 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к элеме там памяти для постоянных запоминающих устройств, и может быть использовано при проектировании репрограммируемых постоянных запоминающих устройств (РПЗУ)о Известны ячейки памяти для репрограммируемых постоянных запоминаюЕцих устройств, которые построены на основе запоминающего МДП транзистора с плавающим затвором. В этих ячейках памяти плавающий затвор заряжается в результате лавинной инжекции элект ройов из пробитого р-п-перехода стока. Процесс записи информации в значительной степени определяется потен циалом плавающего затвора Lt}. Известна ячейка памяти, в которую с целью повышения потенциала плавающего затвора введен конденсаторs включенный между затвором и стоком запоминающего транзистора с плавающим затвором, и на основе которой мо жет быть построен матричный накопитель РПЗУ с 23. Недостатком накопителей на основе таких ячеек памяти является необходимость включения в каждой ячейке памяти последовательно с запоминаю1цим транзистором дополнительного управляющего ключевого МДП-транзисTopaj что увеличивает размеры накопителя . Кроме того, такие приборы эффектно функционируют ЛИЕТЬ при ИСПОЛЬЗО вании в качестве элемента памяти р-канального МДП--транзистора В п-ка нальном транзисторе осуществить заря плавающего затвора пробоем - р-пе рехода стока крайне трудно. Наиболее близким к изобретению по технической сущности к достигаемому результату является ячейка мяти8 представляющая собой п-каналь ный МДП-транзистор с плавающим и управляющим затворами. При выборка одного из элементов памяти .цается напряжение на одну ) адреснь& и одну па разрядньж ши«з т.е на затвор и ссок выбранкого и запоминающего транзистора, В р-езуо1ь тате чего образуется канал, в которо электроны приобретают большую энерги (разогреваются). Лроисходит игокекция горячих злектронов из канала в под затворньш диэлектрик и затем их дрей под действием электрического поля :з сторону тшавакяцего затвора Таким об разом плавающий затвор заряжается отрицательно по отношению к остальным электродам МДП-траизистора, т.е. происходит запись информации. Эффективность записи (величина сдвига порогового напряжения из-за заряда затвора, скорость заряда) определяется в значительной степени величиной положительного напряжения на плавающем затворе возникающего при подаче напряжений на управляющий затвор и сток выбранного элемента памяти. Это напряжение определяется в свою очередь, напряжениями на управляющем затворе и стоке и межзлектродными емкостями З. .Недостаток известного устройства заключается в сравнительно невысокой эффективности записи из-за сравнительно невысокого напряжения на плавакяцем затворе запоминающего транзистора при выборке элемента памяти, что ограничивает время храненрш информации . Для увеличения этого напряжения увеличивают емкость между управляюпщм и плавающим затворами путем либо увеличения размеров плавающего затвора (так называемые закрылки плавающего затвора), либо уменьшением толщины межзатворного диэлектрика. Однако оба эти пути практически трудно реализуемы. Включение дополнительного конденсатора между плавающим затвором и стоком не может быть достаточно эффективпь из-за необходимости ограничения емкости такого кокдексатора для исключения паразитного эффекта; связанного .с открыванием полувыбранных по стоку элементов памяти, что ухудшает работу накопителя на таком элементе памяти в реальной схеме РПЗЗ, Цель изобретения - /в ;Личеяие времени хранения икфор/тацкт-; увеличения сдвига порогового ;апсяжения ячеек памяти при г аргхпде из состояния Логическая ; :; ссгтолнию Логический О. Поставл-лная цель достигается тем что элемент памяти, ссдв жг1;у;:: КЦПранзистор с плавающий к упр влягомим затворами, дополнительно содержит ЩП-кондеисатору затвор и сток которого соединены соотзйтс венк;; с /ja ванзпщм затвором и стскок ЭДП- -;;; .аис тора.

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий ВДП-транзисторГ I с плавающим и управляющим затворами, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, он содержит ВДП-конденсатор, затвор и сток которого соединены соответственно с плавающим затвором и стоком МДП-транзистора.