Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и производстве гибридных интегральных микросхем с тонкопленочными конденсаторами повышенной точности.
Тонкопленочный конденсатор (ТПК) повышенной точности -выполняют с дополнительными элементами подгонки, которые представляют собой конденсаторы с малой, площадью, подключенные параллельно ю основной (нерегулируемой) части.
Известен способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий последовательное нанесение на подложку нижней обкладки и диэлектрического слоя, верхней обкладки и выводов, и подгонку конденсатора l
Величину емкости ТПК выполняют больше допустимой и, уменьшая площадь верхней обкладки, уменьшают емкость до требуемого значения. Уменьшение площади верхней обкладки ТПК осуществляют электрическим пробоем при подаче импульсного напря жения между верхней обкладкой и дополнительным электродом.
Однако известный способ изготовления ТПК характеризуется невозможностью подгонки в сторону увеличения емкости.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления трнкопленочного конденсатора, включающий, нанесение на подложку нижней обкладки с выводом диэлектрического слоя, .на поверхность которого наносят верхнюю, обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку и подгонку конденсатора 2 .
Верхняя обкладка и одни KOHUJJ узких проводящих пленок расположены на .площади нижней обкладки и образуют нерегулируемую и регулируемую части емкости конденсатора. Другие концы узких проводящих пленок выступают за края нижней обкладки. Подсоединяя с помощью навесного проводника каждую проводящую узкую пленку к верхней обкладке, увеличивают величину емкости ТПК.
Недостатком данного способа изготовления ТПК является возможность .изменейия номинала только в сторону увеличения.
Цель изобретения - расширение диапазона подгонки, конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения.
Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочного конденсатора, включакяцему нанесение на подложку нижней обклсщки с выводом и диэлектрического слоя, на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающих нижнюю обкладку конденсатора и вывод верхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку.
На фиг. 1 приведен тонкопленочный конденсатор с элементами подгрнки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения; на фиг. 2 эквивалентная схема ТПК.
ТПК содержит нижнюю.обкладку 1, диэлектрический слой 2 (контур условно показан пунктирной линией), верхнюю, обкладку 3, проводящие пленки 4-7. Обкладка 1 и пленка 4 расположены в нижнем с.пое, а обкладка 3 и пленки 5-7 расположены в верхнем слое.
Между обкладками 1 и 3 создана емкость с величиной С, (нерегулируемая часть ТПК), между обкладкой 1 и пленками 5-7.созданы емкости с величинами С2, С/ и С, а между пленками 4-7 и прокладкой 3-е величинами С, Cj, С и С. Суммарная емкость ТПК состоит из последовательно включенных частичных емкостей с величинами Cj- к основной емкости GO (фиг. 2) и равная С Сд +. Л С,
Для .увеличения величины емкости Д С обкладки эквивалентных конденсаторов, полученных из емкостей с ве.лиCj- и С поочередно.
чинами Cj, С,
закорачивают. При этом величина емкости U С изменяется от номинального значения до максимального Д С С + С 4 +-Сб (фиг. 2) .
Если для простоты принять все емкости эквивалентных конденсаторов одинаковыми, то номинальное значение емкости равно и С , а максимальное - дС . ЗС, .
Для уменьшения величины емкости А С последовательно разрезают по середине пленки 5-7. При разрезании пленки 5 исключаются влияния емкостей с величинами С 2 и С. То же самоё происходит и для пленок б .и 7. Таким образом, величина емкости л С изменяется от максимального значения до нуля.
Соедовательно, предлагаемый способ изготовления тонкопленочного конденсатора обладает возможностью подгонки как в сторону уменьшения, так и увеличения величины емкости.
Яамыкание обкладок конденсаторов производят путем прожигания верхней обкладки и диэлектрического слоя в средней части площади и одновременным соединением их припоем. Для этих целей используют прибор для подгонки пленочных элементов микросхем Генератор факельного разряда с электродом из припоя.
Замыкание обкладок конденсаторов осуществляют также методом пайки с применением навесного проводника.
Преимущества предлагаемого способа заключаются в том, что ТПК обладает свойствами подгонки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов | 1979 |
|
SU960981A1 |
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора | 1983 |
|
SU1104595A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-КОНДЕНСАТОРОВ | 1989 |
|
SU1752139A1 |
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора электронной техники | 2022 |
|
RU2799811C1 |
Проекционно-ёмкостная сенсорная панель и способ её изготовления | 2016 |
|
RU2695493C2 |
ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ | 2023 |
|
RU2826793C1 |
ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО СБОРКИ | 1999 |
|
RU2157979C1 |
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ЕМКОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА | 1972 |
|
SU357607A1 |
ЕМКОСТНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1996 |
|
RU2099681C1 |
МАТРИЧНЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК | 1992 |
|
RU2063009C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектрического слоя, на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, о т -личающийся тем, что, с целью расширения диапазона подгонки конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающих нижнюю обкладку конденсатора и вывод верхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку. -О (А)
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Справочное прЪобие по конструированию микросхем | |||
Минск, Высшая школа 1982, с | |||
Устройство для охлаждения водою паров жидкостей, кипящих выше воды, в применении к разделению смесей жидкостей при перегонке с дефлегматором | 1915 |
|
SU59A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1984-10-30—Публикация
1983-02-09—Подача