Травитель для полировки монокристаллов висмута Советский патент 1985 года по МПК C30B33/00 C30B29/02 

Изобретение относится к исследованию физико- химических свойств веществ и может быть использовано при подготовке монокристаллов висмута для структурных исследований, также для придания им товарного вид

Извертен травитель для избирательного травления плоскости (111) монокристаллов висмута, содержащий дымящую азотную кислоту, ледяную уксусную кислоту и .

Недостатком данного травителя является то,.что его воздействие распространяется только на плоскость ( iTl) висмута.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является травитель для полировки монокристаллов висг-гута|,21, содержащий азотную уксусную и плавиковую кислоты при следующем соотношении,, об.ч.:

Азотная кислота .

(плотность 1,36) 5

Уксусная кислота

(ледяная)7

Плавиковая кислота

(50%-ная)2

Однако с помощью этого травителя возможио 1олировать только плоскость () висмута без выявления дислокационной структуры монокристаллов на других плоскостях.

Цель изобретения - одновременное выявление дислокационной структуры.

Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:

Азотная кислота

(плотность 1,36) 2,50-5,00

Уксусная кислота

(ледяная) 7,00-9,00

Плавиковая-.кислота (50%-ная) 0,02-0,16

425322

Пример 1. Монокристалл висмута, имеющий форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию , а с противоположной 5 стороны ограничен полусферой, в кото ой сколом обнажена плоскость (), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взяты в соотношении (об.ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя 16-18 С.

После окончания процесса наблюдается эффект избирательного травления плоскостей (Ml) и ijjj и ио- лирования всех поверхностей монокристалла.

П р и м е р 2. Ведут обработку монокристалла висмута в условиях примера 1, но вместо плоскости (lllj на исходном образце шлифованием обнажают произвольно выбранную плоскость.

После обработки на плоскости (III) и произвольно выбранной плоскости наблюдают дислокационные ямки травления. При этом наблюдают полирование всей остальной поверхности образца.

В таблице приведены результаты обработки монокристаллических образцов висмута в травителе различного состава при 16-18°С и использовании образца, монокристалла висмута подобного примеру 1.

Таким образом, предлагаемый травитель позволяет наряду с полированием поверхностей образцов монокристаллов висмута одновременно выявлять дислокационную структуру их отдельных плоскостей.

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, отличающийся тем, что, с целью одновременного выявления дислокационной структуры, он содержит компоненты в следующем соотношении, об.ч. : Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусная кислота (ледяная)7-9 Плавиковая кислота