(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МШОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОВАТА ЛИТИЯ
. : I - .
Изобретение относится к области выявления внутренней доменной и локационной структуры кристаллов метаниобата лития и может быть использовано при изготовлении материалов для квантовой электроники.
Известен способ травления кристаллов ниобата лития в смеси 2 ч. 30%-ной перекиси водорода и 1 ч. гидроокиси натрия при 1.
Недостатком этого способа является нечеткая.картина травления.
Известен также способ травления ниобата лития в расплаве гидроокиси калия при 1.
К недостатксил этого способа также можно отнести не очень четкую картину травления. Кроме того, бУДУчи высокотемпературным, этот способ не может, применяться к крупным (около 5 млУ кристаллам из-за возникновения разрушакхцих -термических напряжений,
Наиболее близким к изобретению является способ травления кристаллов метаниобата лития в смеси 1 об.ч. плавиковой кислоты и 2 об. ч. азотной кислоты при температуре кипения, смеси. Этот способ дает четкую картину травления 11.
Однако вследствие достаточно высокой температуры процесса этот способ также .неприменим к крупным кристаллам. Осуществление -известного спосо ба требует использования тиглей из платины или иридия.
Целью изобретения является травление крупных кристаллов и исключение
f. возникновения термических напряжений.
Поставленная цель достигается способом травления монокристаллов метаниобата лития в смеси плавиковой и азотной кислот, при этом процесс ведут в смеси, содержащей 1 об.ч. плат
15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислот при комнатной температуре в течение 18-20 ч.
Травление в течение времени менее 18 ч дает менее четкую картину трав20 ления, а при травлении более 20 ч четкость картины травления также падает из-за появления вуалирующего слоя.
25 Пример. Образец,с полированными поверхностями размером 5x5x2 мм погружают в травитеЛь состава 1 об.ч. HF и 3,2 об.ч. HNOj при комнатной температуре на 18 ч.
30 По окончании процесса образец прокывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой, В результате травления достаточно четко выявляется доменная структура образца. П р и м е р 2. Образец с полированными поверхностями размером 5х5х х2 мм погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 3,5 об. ч, HNOy при ком натной температуре на 20 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травления четко выявляется Домент ная структура образца. Примерз. O6pasteu с полированными поверхностями погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 4,0 об.ч. HNO при комнатной темпера туре на 19 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой i В результате травления доменная структура образца выявляется нечетко особенно на поверхностях X и У-среза Преимущества предлагаемого способа химического травления монокристал лов метаниобата лития заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов, размером более 2x5x5 мм (кристаллы не растрескиваются при травлении), а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивных температуроустойчивых материалов, таких как платина,иридий.Травление можно; проводить в сосудах из пластмассы. Формула изобретения Способ травления монокристаллов метаниобата лития в смеси плавиковой и азотной кислот, отличающийся тем, что, с целью обеспечения травления крупных кристаллов и исключения возникновени-я термических напряжений, процесс ведут в смеси, содержащей 1 об; ч. плавиковой и 3,24 об,ч. азотной кислоты, при комнатной температуре в течение 18-20 ч. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Nassau К. at alL. Ferroelectric lithium hiobate.l. Growth domain structure, dislocations and etching.- J . Phys. Cham. Solids , 1966, 27, 6/7(прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2014 |
|
RU2558898C1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОБАТА ЛИТИЯ | 1993 |
|
RU2039134C1 |
Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100) | 1980 |
|
SU947233A1 |
Способ выявления дефектов структуры в монокристаллах германия | 1989 |
|
SU1710605A1 |
Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия | 1990 |
|
SU1733517A1 |
Травитель для германия | 1978 |
|
SU713410A1 |
Способ получения ориентационных фигур травления на железоникелевых сплавах | 1980 |
|
SU905700A1 |
Способ селективного травления монокристаллов парателлурита | 1980 |
|
SU958510A1 |
Способ получения фигур травления на тугоплавких металлах и их сплавах | 1978 |
|
SU765692A1 |
Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур | 1976 |
|
SU577589A1 |
Авторы
Даты
1983-01-23—Публикация
1981-09-17—Подача