Способ травления монокристаллов метаниобата лития Советский патент 1983 года по МПК C30B33/00 C30B29/30 

Описание патента на изобретение SU990892A1

(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МШОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОВАТА ЛИТИЯ

. : I - .

Изобретение относится к области выявления внутренней доменной и локационной структуры кристаллов метаниобата лития и может быть использовано при изготовлении материалов для квантовой электроники.

Известен способ травления кристаллов ниобата лития в смеси 2 ч. 30%-ной перекиси водорода и 1 ч. гидроокиси натрия при 1.

Недостатком этого способа является нечеткая.картина травления.

Известен также способ травления ниобата лития в расплаве гидроокиси калия при 1.

К недостатксил этого способа также можно отнести не очень четкую картину травления. Кроме того, бУДУчи высокотемпературным, этот способ не может, применяться к крупным (около 5 млУ кристаллам из-за возникновения разрушакхцих -термических напряжений,

Наиболее близким к изобретению является способ травления кристаллов метаниобата лития в смеси 1 об.ч. плавиковой кислоты и 2 об. ч. азотной кислоты при температуре кипения, смеси. Этот способ дает четкую картину травления 11.

Однако вследствие достаточно высокой температуры процесса этот способ также .неприменим к крупным кристаллам. Осуществление -известного спосо ба требует использования тиглей из платины или иридия.

Целью изобретения является травление крупных кристаллов и исключение

f. возникновения термических напряжений.

Поставленная цель достигается способом травления монокристаллов метаниобата лития в смеси плавиковой и азотной кислот, при этом процесс ведут в смеси, содержащей 1 об.ч. плат

15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислот при комнатной температуре в течение 18-20 ч.

Травление в течение времени менее 18 ч дает менее четкую картину трав20 ления, а при травлении более 20 ч четкость картины травления также падает из-за появления вуалирующего слоя.

25 Пример. Образец,с полированными поверхностями размером 5x5x2 мм погружают в травитеЛь состава 1 об.ч. HF и 3,2 об.ч. HNOj при комнатной температуре на 18 ч.

30 По окончании процесса образец прокывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой, В результате травления достаточно четко выявляется доменная структура образца. П р и м е р 2. Образец с полированными поверхностями размером 5х5х х2 мм погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 3,5 об. ч, HNOy при ком натной температуре на 20 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травления четко выявляется Домент ная структура образца. Примерз. O6pasteu с полированными поверхностями погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 4,0 об.ч. HNO при комнатной темпера туре на 19 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой i В результате травления доменная структура образца выявляется нечетко особенно на поверхностях X и У-среза Преимущества предлагаемого способа химического травления монокристал лов метаниобата лития заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов, размером более 2x5x5 мм (кристаллы не растрескиваются при травлении), а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивных температуроустойчивых материалов, таких как платина,иридий.Травление можно; проводить в сосудах из пластмассы. Формула изобретения Способ травления монокристаллов метаниобата лития в смеси плавиковой и азотной кислот, отличающийся тем, что, с целью обеспечения травления крупных кристаллов и исключения возникновени-я термических напряжений, процесс ведут в смеси, содержащей 1 об; ч. плавиковой и 3,24 об,ч. азотной кислоты, при комнатной температуре в течение 18-20 ч. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Nassau К. at alL. Ferroelectric lithium hiobate.l. Growth domain structure, dislocations and etching.- J . Phys. Cham. Solids , 1966, 27, 6/7(прототип).

Похожие патенты SU990892A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2014
  • Педько Борис Борисович
  • Сорокина Ирина Ивановна
  • Бойцова Кристина Николаевна
RU2558898C1
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОБАТА ЛИТИЯ 1993
  • Димитрова О.В.
  • Высоцкий Б.И.
  • Стрелкова Е.Е.
  • Рошкован Г.Р.
  • Исаев В.С.
  • Грузиненко В.Б.
  • Безделкин В.В.
RU2039134C1
Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100) 1980
  • Бароненкова Регина Павловна
  • Борисова Тамара Александровна
  • Кондрашина Антонина Ивановна
  • Фролова Лидия Васильевна
SU947233A1
Способ выявления дефектов структуры в монокристаллах германия 1989
  • Воронов Игорь Николаевич
  • Ганина Наталия Викторовна
  • Зейналов Джаханкир Аждарович
SU1710605A1
Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия 1990
  • Макарова Луиза Евгеньевна
  • Макаров Вадим Юрьевич
SU1733517A1
Травитель для германия 1978
  • Горохов Евгений Борисович
SU713410A1
Способ получения ориентационных фигур травления на железоникелевых сплавах 1980
  • Баранова Галина Кузьминична
  • Хаталах Рудольф Фотиевич
SU905700A1
Способ селективного травления монокристаллов парателлурита 1980
  • Коляго Станислав Степанович
  • Дроздова Ольга Васильевна
  • Аксенова Татьяна Петровна
SU958510A1
Способ получения фигур травления на тугоплавких металлах и их сплавах 1978
  • Баранова Галина Кузьминична
  • Фионова Людмила Кузьминична
SU765692A1
Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур 1976
  • Зданович Юлия Ивановна
  • Соколов Анатолий Михайлович
  • Пухов Юрий Григорьевич
SU577589A1

Реферат патента 1983 года Способ травления монокристаллов метаниобата лития

Формула изобретения SU 990 892 A1

SU 990 892 A1

Авторы

Евланова Нина Федоровна

Даты

1983-01-23Публикация

1981-09-17Подача