Способ травления кристаллов висмута Советский патент 1985 года по МПК C30B33/00 C30B29/02 

Ч

СЛ О Изобретение относится к исследов нию физических и химических свойств веществ, в частности к избирательнo fy травлению и полированию кристаллов висмута в процессе их подготовки для металлографического иссле дования, например, процессов разрушения методом изучения дислокационной структуры вершины трещин. Известен способ выявления дислок ционной структуры вершины трещин в ионных кристаллах, заключающийся в том, что, например, кристаллы LiF и NaF травят в растворе FeCl. а кристаллы NaCl травят в чистом метиловом спирте pj.. Однако этот способ не позволяет выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах с ковалентной или металлической связью. Наиболее близким к предлагаемому является способ 2 травления кр таллов висмута состоящий в том, что исследуемые плоскости полируют и избирательно травят при помощи трав теля, содержащего ингредиенты В сле дующих количествах, Ьб,ч.: Азотная кисло а (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусная кислота (ледяная).7,0-9,0 Плавиковая кислота (50%-ная)0,02-0,J6 Травление проводят при 16-18 С. Этот способ также не позволяет выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах висмута Необходимо обеспечить возможност проведения металлографических иссле дований процесса разрушения кристал лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в, кристаллах висмута. Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок трайления в вершинах трещин кристаллов висмута. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч,: Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусная кислота (ледяная)7,0-9,0 Плавиковая кислота (50%-ная)0,02-0,16 при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4)fc в течение 30-40 мин. „Травление при температуре менее .-5°С и времени более.40 мин не приводит к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления. При температуре более и времени менее 30 мин в вершине трещин вытравливается сплошная канавка и нет четкости дислокационных ямок травления. Проводят исследования монокристаллических слитков висмута, содержащих трещину, получаемую путем неполного скола кристалла вдоль плоскости распространения трещин (И). В качестве исследуемых берут плоскости, содержещие трещину и составляющие с плоскостью (Ш) угол, близкий к прямому (например плоскость-типа (ЮИ, получаемые электроискровым разрезанием слитков. После тонкого механического шлифования этих плоскостей их подвергают травлению (см.таблицу).

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ .ВИСМУТА в растворе, содержащем, .об.ч. . Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5 - 5,0. Уксусная кислота (ледяная) 7-9, Плавиковая кислота

16 1/60; 1/30;Во всех шести 1/12;ная канавка 1/6; 1/3; 2-3 , 10 10Нет четкости 20

Имеется четкость, но не на всех ямках травления опытах нет четкости - сплошсплошная канавка