Элемент памяти (его варианты) Советский патент 1985 года по МПК G11C11/40 

2.Элемент памяти, содержащий триггер, первый и второй входы которого соединены со словарной шиной и шиной питания соответственно, элементы связи на транзисторах, затворы которых соединены с прямым и инверсным выходами триггера, а стоки подключены к шине питания, и разрядные шины, отличающийс я тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности элемента, в него введены пороговые элементы на диодах, аноды которых соединены с истоками соответствующих транзисторов, катоды - с соответствующими разрядными шинами.

3,Элемент памяти, содержащий триггер, первый и второй входы которого соединены со словарной шиной и шиной питания соответственно, элементы связи на транзисторах, затворы которых соединены с прямым и инверсным выходами триггера, и разрядные шины, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности элемента, в него введены пороговые эле64787

менты на диодах, катоды первого и второго диодов подключены к выходам триггера, аноды третьего и четвертого диодов подключены к соответствуюпщм разрядным пшнам, объединенные аноды с катодамипервого и третьего, второго и четвертого диодов подключены к стокам транзисторов, истоки которых подключены к словарной шине.

4. Элемент памяти, содержащий триггер, первый и второй входы которого соединены со словарной шиной- и шиной питания соответственно, элементы связи на транзисторах, затворы которых соединены с прямым и инверсным выходами триггера, и разрядные шины, отличающий, ся тем, что, с целью повьш1ения быстродействия и надежности элемента, в нем дополнительные затворы транзисторов, . расположенные между основными затворами и стоками, подключены к дополнительной шине, истоки транзисторов подключены к1 словарной шине, а стоки - к соответствующим разрядным шинам.

1. Элемент памяти,, содержащий триггер, первый и второй входы которого соединены со словарной шиной и шиной питания соответственно, элементы связи на транзисторах, затворы которых соединены с и инверсньм выходами триггера, и разрядные шины, о тличающийс я тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности элемента, в него введен пороговый элемент на диоде, анод которого подключен к объединенным истокам транзисторов , катод - к дополнительной шине фиксированного потенциала, а стоки транзисторов соединены с соответ(Л ствукнцими разрядными шинами. а эо

Изобретение относится к микроэлектронике и може быть использовано, в интегральных схемах запоминакицих устройств.

Цель изобретения - повьш ение быстродействия и надежности элемента памяти.

На фиг.1-4 изображены четыре варианта предлагаемого элемента памяти.

Элемент памяти по первому варианту содержит триггер на транзисторах 1 и 2, истоки которых подключен к первому входу триггера 3, соединенному со словарной шиной 4, а стоки - к прямому 5 и инверсному 6 выходам триггера соответственно, к которым подключены также эатворы транзисторов 2 и 1 соответственно, и объединенные затвор и исток нагрузочных нормально открытых транзисторов 7 и 8 соответственно, подключенных стоками к второму входу триггера 9, соединенному с шиной питания 10, а также первый 11 и второй 12 нормально закрытые транзисторы связи, стоки которых подключе-

ны к первой 13 и второй 14 разрядным шинам соответственно, затворы к выходам 5 и 6 соответственно, а объединенные истоки - к аноду дополнительного диода с барьерным

переходом 15, катод которого подключен к дополнительной шине. 16, на которой поддерживается фиксированный (в. данном случае кулевой) потенциал.

В режиме хранения на словарной шине 4 поддерживается потенциал ОВ. При этом на разрядных шинах 13 и 14 сохраняется потенциал 2V. Лпя осуществления выборки необходимо повысить потенциал словарной шины 4 до величины Vp. При этом отпирается один из транзисторов 11, 12, подключенный к выходу триггера с более

3

высоким потенциалом, и потенциал соответствующей разрядной шины становится вьше потенциала дополнительной шины 16 на величину Vjj, На другой разрядной шине при этом сохраняется потенциал хранения. Таким образом, потенциалы разрядных пшн оказьгоаются кратными величине Vg,чт обеспечивает надежное считьшание.

Для осуществления записи необходимо повысить потенциал словарной шины 4 до величины Vjj и понизит потенциал требуемой разрядной шины до нуля, не меняя потенциала другой разрядной шины. При этом отпирается переход затвор-сток соответствующего транзистора связи и происходит опрокидьшание триггера. Если сигнал выборки отсутствует, то оба транзистора связи 11 и 12 остаются закрытыми, а запись не происходит.

Элемент памяти по второму вариакту (фиг.2) содержит триггер на транзисторах 1 и 2, истоки которых подключены к первому входу триггера 3, соединенному со словарной шиной 4, а стоки - к прямому 5 и инверсному 6 выходам триггера соответственно, к которым подключены также затворы транзисторов 2 и 1 соответственно, и объединенные затвор и исток нагрузочных нормально открытых транзисторов 7 и 8 соответственно, подключенных стоками к второму входу триггера 9, соединенному с пшной питания 10, а также пе вый 11 и второй 12 нормально открытые транзисторы связи, стоки которых подключены к шине питания 10, затворы - к выходам 5 и 6 соответственно, а истоки - к первой 13 и второй 14 разрядным шинам соответственно посредством дополнительных первого 15 и второго 16 диодов с барьерным переходом, подключенных катодами к разрядным шинам, а анодами - к истокам транзисторов связи. I

В режиме хранения на словарной щине 4 поддерживается нулевой потенциал, а на разрядных шинах 13 и 14 - потенциал . При этом транзисторы связи 11 и 12 заперты.

Для осуществления выборки необходимо повысить потенциал словарной шины 4 до величины 2 Vjj. При этом отпирается один из транзисторов связи и потенциал соответствующей разрядной шины повьш1ается.до

647874

величины не менее 2 Ур.Потадциал другой разрядной шины не изменяется. Таким образом, потенциалы разрядных шин оказьшаются кратными величине

5 Vp, что обеспечивает надежное считывание.

Для осуществления записи необходимо повысить потенциал словарной шины 4 до величины 2 Vp-и понизить

10 потенциал требуемой разрядной шины до нуля. При этом отпираются соответствующий диод и переход затвор-исток соответствующего транзистора связи и происходит опрокидьюа15 ние триггера. Если сигнал выборки отсутствует, то оба транзистора связи 11 и 12 остаются закрытыми и запись не происходит.

Элемент памяти по третьему варианту (Аиг.З) содержит триггер на транзисторах 1 и 2, истоки которых подключены к первому входу триггера 3, соединенному со словарной шиной 4, а стоки - к прямому 5 и инверсному 6 выходам триггера соответственно, к которым подключены также затворы транзисторов 2 и 1 соответственно, и объединенные затвор и исток нагрузочных нормально от крытых транзисторов 7 и 8 соответственно, подключенных стоками к второму входу триггера 9, соединенному с шиной питания 10, а также первый 11 и второй 12 нормально закрытые

5 транзисторы связи, истоки которых подключены к словарной шине 4, затворы - к выходам 5 и 6 соответственно, а стоки - к первой 13 и второй 14 разрядным шинам при помо-

О щи первого 15 и второго 16 пороговых элементов на диодах с барьерным переходом, у которых катоды первого 15 и второго 16 диодов подключены к выходам триггера, аноды третьего

5 17 и четвертого 18 диодов - к соответствующим разрядным шинам, а объединенные аноды с катодами первого и третьего, второго и четвертого диодов - к стокам соответствующих транзисторов связи.

В режиме хранения на словарной шине 4 поддерживается потенциал V«. . При этом на разрядных шинах 13 и 14 сохраняется потенциал 2 Vj,.

снижается до величины V в результате отпирания соответствукяцего транзистора связи, а потенциал другой разрядной шины не изменяется. Таким образом, потенциалы разрядных шин оказьгоаются кратными величине V-j, что обеспечивает надежное считывание.

Для осуществления записи необходимо понизить потенциал словарной шины 4 до нуля и повысить потенциал тфебуемой разрядной шины до величины 3V.,j. При этом через соответствующий пороговый злемент в ЗП втекает ток и происходит опрок:адывание триггера. Если сигнал выборки отсутствует, то оба пороговых элемента остаются закрытыми и запись не происходит.

Элемент памяти по четвертому варианту (фиг.4) содержит триггер на транзисторах 1 и 2, истоки которых подключены к первому входу триггера 3, соединенному со словарн шиной 4, а стоки - к прямому 5 и инверсному 6 выходам триггера соответственно, к которым подключены также затворы транзисторов 2 и 1 соответственно, и объединенные затвор и исток нагрузочных нормально открытых транзисторов.7 и 8 соответственно, подключенных стоками к второму входу триггера 9, соединенному с шиной питания 10, а также первый 11 и второй 12 нормально закрытые транзисторы связи, истоки которых подключены к словарной шине 4, стоки - к первой 13 и второй 14 раэрящвлн шинам, основные затворы - к выходам 5 и 6- соответственн а дополнительные затворы, размещенные между основными затворами и стоками - к дополнительной шине 19. В режиме хранения на словарной

шине 4 поддерживается потенциал V, на дополнительной шине 19 - нулевой потенциал, а на обеих разрядных шинах - потенциал 2V,

Для осуществления выборки необходимо повысить потенциал дополнительной шины 19 до величины 2V .При этом отпирается один из транзисторов связи 11 и 12 и потенциал соответствующей разрядной шины понижается до величины V«. Потенциал другой разрядной шины не изменяется. Таким образом, потенциалы разрядных шин оказьшаются кратными величине Vjj, что обеспечивает надежное

считывание.

Для осуществления записи необходимо повысить потенциал дополнительной шины 19 до величины V-, и понизить потенциал требуемой раз-

рядной шины до нуля. При этом отпирается переход дополнительный затвор-сток соответствунмцего транзистора связи и происходит опро кидывание триггера. Если сигнал

выборки отсутствует, то запись не происходит.

Проектирование предлагаемых устройств является совершенно новой областью, аналогичные отечественные разработки отсутствуют. В связи с этим выбрать базовый объект не представляет возможным.

Изобретение по сравнению с прототипом позволяет увеличить быстродействие в 1,5-2 раза и коэффициент выхода гбдных интегральных схем на 40-50%.

13 :

(риг.З

Сриг.