Элемент памяти Советский патент 1993 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим элементам для устройств памяти ЭВМ.

Целью изобретения является увеличе- ние информационной емкости элемента памяти. ц g, . V.

На чертеже представлена электрическая1 схема ШШента памяти.

.Элемент памяди содержит два ключе- вых транзистора 1, 2, два транзистора связи 3, 4, два нагрузочных резистора 5, 6, разделительные элементы на диодах 7, адресную шину 8, две разрядные шины 9, 10, шины считывания 11, шину питания 12, шину ну- левого потенциала 13.

Устройстве работает следующим образом.. .

При записи информации работа триггера ничем не отличается от. работы обычного статического триггера. Операция считывания любой информации также ничем не отличается от операции считывания статического триггера..

Диоды 7 могут быть либо подсоединены к шинам 11, либо не подсоединены, в зависимости от того, какая информация при той :или иной постоянной программе будет записана в элемент памяти.

Резистор 6 в элементе памяти больше по номиналу резистора 5. За счет этого в триггер вводится асимметрия, и при подаче на него питания (при отключенных ) первым всегда откроется транзистор 2, так как у него переходные процессы закончатся раньше, чем у транзистора 1. Триггер будет устанавливаться в одно и то же состояние О. ...

При необходимости воспроизвести в элементе необходимую постоянную инфор- мацию с триггера снимается питание, на соответствующую шину 11 подается высокий потенциал, затем на триггер подается питание. В результате этого при подключенном диоде 7 к шине 1 первыми начнутся и закончатся .переходные процессы в транзисторе 1, соответственно он откроется раньше транзистора 2, в элементе воспроизведется 1. Если же диод 7 не подсоединен к соответствующей шине 11, то за счет асимметрии триггера после подачи питания первым откроется транзистор 2 и в элемен- .те памяти воспроизведется О.

Соответственно при подсоединении диода 7 к.шине 11 в элементе будет записана 1 постоянной программы, а при неприсоединении диода 7 в элементе будет записан О постоянной программы.

Наиболее эффективным будет применение данного элемента памяти для ОЗУ и ПЗУ.

Формула изобретения Элемент памяти, содержащий два ключевых транзистора, два транзистора связи, два нагрузочных резистора, первые выводы которых соединены со стоками первого и второго транзисторов связи соответственно, стоками первого и второго ключевых транзисторов соответственно, затворами второго и первого ключевых транзисторов .соответственно; истоки которых подключены к шине нулевого потенциала, к шине питания подключен второй вывод первого нагрузочного резистора, затворы первого и второго транзистора связи подключены к адресной шине, а истоки - к первой и второй разрядным шинам соответственно, отличающийся тем, что, с целью увеличения информационной емкости элемента памяти, он содержит разделительные элементы на диодах, катоды которых соединены с вторым выводом второго нагрузочного резистора, анод первого диода соединен с вторым выводом первого нагрузочного резистора, аноды диодов, кроме первого, подключены к соответствующим шинам считывания.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим элементам для устройства памяти ЭВМ. Целью изобретения является увеличение информационной емкости элемента памяти. Цель достигается тем, что элемент памяти содержит разделительные элементы на диодах 7 с соответствующими связями. Подключение или неподключение анода диода 7 к соответствующей шине 11 считывания определяет хранимую элементами памяти дополнительную информацию. Дополнительная информация является постоянной. 1 ил.