Сегнетоэлектрический накопитель информации Советский патент 1983 года по МПК G11C11/22 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминающих устройствах. Известна .сегнетопьезокерамическа матрица, содержащая пластину из сег нетоэлектрика, расположенные на пластине экранирующие, разрядные и перпендикулярные им числовые электр ды и электроды возбуждения l . Известна также ферроэлектрическа матрица памяти, в которой используе ся пластина из ферроэлектрйка с нанесенными на ее противоположные сто роны двумя парами электродов записи считывания 2 . Недостатком этих матриц является сложная конструкция. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является уст ройство, содержащее подложку, актив ный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из КОТОЕ ЛХ размещены на поверхности активного слбя З . Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной сисгемой шин для управления записью и. считыванием информации. Целью изобретения является повышение Нсщежности сегнетоэлектрического накопителя информации. Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем подложку с нан:есенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического материала, в.заимноортогональные шины строк и стрлбцов, причем шины строк нанесены на активный слой сегнетоэлектf.. рического материала, подложка выпол нена из полупроводникового материала одного из типов проводимости, а шины столбцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа про,водимости в подложке, , На фиг, 1 представлен сегнетоэлектрический накопитель информации на фиг, 2 - то же, при различных типах проводимости материала подложки, разрез, Накопитель содержит полупроводниковую подложку 1, изготовленную; Например, из кремния, В подложке выполнены шины 2 столбцов диффузией материала другого типа проводимости. На подложку 1 нанесен активный слой 3 сегнетоэлектрического материала, на который нанесены шины 4 строк, Пересечение шин 2 и 4 образует запоминающий элемент 5, Накопитель работает следующим образом. Запись информации осуществляют в слое 3, При записи 1 к шинам 2 и 4 прикладывают напряжение и поляризуют участок слоя 3 в переречениишин 2 и 4, При записи О производят деполяризацию участка слоя 3 в пересечении шин 2 и 4, При считывании информации к шинам 2 и 4 прикладывают напряжение считывания, и хранимуюинформацию опрееляют по наличию пьезотока протеающего через элемент 5, Выполнение накопителя в соответтвии с изобретением позволяет суественно повысить надежность устойства.

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий подложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического материала г вэаимноортогоиальные шины -строк и столбцов, причем шины строк нанесены на активный олой сегнетоэлектрического материала, о т л и.ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения-надежности накопителя, подложка выполнена из полупроводникового материала одного кэ типов проводимости, а вгаюз стробцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа проводимости в подложке. S Кд 4 СО 00 о

Jr4

«.f

7

Фиг.З