Запоминающее устройство Советский патент 1975 года по МПК G11C11/22 

В данном устройстве генераторные секнии запоминающих элементов поляризованы жестко продольно и в протпвоноложных по отношению к электродам направлениях (на фиг. 2 направления поляризации показаны стрелками 8). Секнии возбуждения каждого запоминающего элемента по отношению к электродам имеют одинаковые направления ноляризации, причем поляризация этих участков может иметь то или иное направление, которое задается при записи информации. Пластина 1 на участках между запоминающими элементами, между разрядными электродами соседних элементов механически жестко соединена с подложкой 9. На фиг. 1 эти участки отмечены штрих-пунктирными линиями 10 и механически не связаны с подложкой на участках расположения запомипающих элементов.

Последнее достигается тем, что в подложке 9 параллельно разрядным щинам 7 выполнены пазы П. При этом сечение участков 12 пластины 1 между запоминающими элементами больще сечения пластины в местах 13 расположения запоминающих элементов.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации в устройстве осуществляется путем приложения частей напряжений записи к числовым 5 и общим 6 шинам. При этом участки сегнетоматериала пластины 1 между числовыми 2 и общими 3 электродами выбранного числа поляризуются так, что устанавливаемые направления поляризации соответствуют коду записываемого числа, так как к электродам выбранного числа прикладываются напряжения, разность между которыми но величине и знаку обеспечивает соответствующую переполяризацию участков. В остальных запоминающих элементах поляризация участков между числовыми и общими электродами остается неизменной, так как прикладываемые к ним разности напряжений по величине являются недостаточными для изменения спонтанной поляризации участков сегнетоматериала.

В режиме считывания информации все общие щины 6 подключаются к общей точке устройства. При этом на выбранную числовую шину 5 подается импульс напряжения считывания, амплитуда и длительность которого

выбирается таким образом, что действие импульса не приводит к изменению спонтанной поляризации, а следовательно, не приводит и к разрушению записапной информации. Под 5 действием импульса считывания участки пластины 1 между соответствующими числовыми и общими электродами деформируются. Эта деформация передается на участки материала между разрядными 4 и общими 3 электродами. В результате прямого пьезоэффекта на симметричных разрядных шинах 7 появляются импульсы напряжения. Импульсы на обеих разрядных щинах в каждом разряде имеют противоположные полярности. Разнополярность импульсов определяется противоположным соотношением заданных направлений поляризации участков сегнетоматериала, расположенных между разрядными, общими и числовыми электродами по обе стороны от каждого числового электрода. А полярность импульсов на каждой разрядной шине определяется направлением поляризации участков сегнетоматериала между числовыми и общими электродами, т. е. записанной информацией,

5 так как в данном случае поляризация участков между разрядными и общими электродами фиксирована и установлена при изготовлении устройства.

QПредмет изобретения

1. Запоминающее устройство, содержащее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которой расположены числовые, общие и разрядные электроды, образующие совместно с участками сегнетоэлектрической пластины запоминающие элементы и объединенные соответствующими проводящими полосками в числовые, общие и разрядные шины, отличающееся тем, что, с целью

0 увеличения помехозащищенности, информационной емкости и быстродействия устройства, в подложке параллельно разрядным щинам выполнены назы по количеству разрядов устройства.

5 2. Запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что сечение участков пластины между запоминающими элементами больще сечения пластины в местах расположения заноминающих элементов.

8 11 3

12 1 4

000OC4AX A % jvV vvsA vv

А-А

Фиг. 2