Керамический материал Советский патент 1986 года по МПК C04B35/04 

Изобретение относится к керамичес кнм материалам для электронной техники и может быть использовано в производстве малогабаритных изделий, в том числе оснований подстроечных конденсаторов, оснований резисторов и других установочных деталей, требующих увеличенного коэффициента термического расширения, низкой микропористости, высоких физических и диэлектрических характеристик в широком интервале температур до .

Целью изобретения является снижение температуры спекания материала при сохранении его плотной однородной мелкокристаллической микроструктуры и высоких физических и дизлек- трических характеристик.

Оптимальность предлагаемого соотношения компонентов в составе керамического материала обоснована табл. 1 и 2.

Уменьшение количества вводимых минерализующих добавок в состав не позволяет снизить температуру спекания материала, а увеличение количества добавки приводит к резкому нарушению структурной плотности при увеличении микропористос и и росте кристаллов.

Предлагаемый материал получают следующим способом.

я, С , %

98,0

2,0

1500±20

О

9-10

8,5-10

1-2 1-2

Указанные для синтеза спека компоненты смешивают в вибромельнице в течение 1-3 ч сухим способом.

Обжиг спека осуществляют в камерных электрических печах при 1250- 1300 С с двухчасовой выдержкой на конечной стадии обжига.

Помол отожженного спека производят также в вибромельнице сухим способом или мокрьш - в среде пропило- вого, бутилового или других спиртов до основного размера частиц ;3 мкм,

Вв едение указанных минерализаторов осуществляют в тонкомолотый обожженный спек.

Изделия изготавливают методом прессования, горячего литья под давлением и протяжкой на органическом пластификаторе. Темп ература спекания материала 1500±20°С.

По сравнению

лом температура снижена на 100 С,

с известным материа- спекания материала

что позволяет уменьгаить расход электроэнергии при обжиге изделий и увеличить срок службы нагревателей. Материал характеризуется однородной плотной мелкокристаллической основой керамики и высокими диэлектрическими характеристиками.

Таблица 1

0

99,5

0,5

1500i20

О

9-10

9-10

1-2

1-2

Спек материала

Многокомпонентное стекло

Температура спекания, С Открытая пористость, % «.,омоо«с,

tg S 10 при Т, с 2015

lOOtlO ЗООЛО

Ру. Ом- см, при Т, С 2015

Продолжение табл.1

1 -10

П

-10

-О