Керамический материал Советский патент 1989 года по МПК C04B35/20 

1

Изобретение относится к керамическим материалам для электронной техники и может быть использовано для изготовления оснований подстроеч- ных конденсаторов, оснований резисторов , подложек и других радиокерамических изделий.

Цель изобретения - снижение тем-, пературы спекания и изготовление изделий электронной техники, работающих до температуры .

Сырьевые компоненты проходят предварительное измельчение до основного размера частиц 1-3 мкм. Затем их смешивают в вибромельнице в течение 2-3 ч сухим способом или мокрым в среде пропилового, бутилового или других спиртов.

Оформление изделий возможно методом прессования, литья керамической пленки и протяжкой на органическом пластификаторе.

W

Составы материала и их свойства приведены в таблице.

Исследование характеристик керамики показало, что совместная кристаллизация периклаза и форстерита позволяет получить однородную плотную микроструктуру материала со взаимно распределенными кристаллами периклаза и форстерита с небольшой мелкой микропористостью до 7%.

При этом в образцах с меньшим количеством периклаза размер кристаллов составляет 2,5-3 мкм. С увеличением указанной фазы размер кристаллов увеличивается до 10 мкм.

Размер кристаллов форстерита во всех материалах 5-6 мкм и меньше.

Температура обжига значительно ниже материала-прототипа на основе кристаллизации форстерита ( 1600°С) W чистопериклазовых материалов (1650°С).

Јь

Ј

00

Формула из обретения Керамический материал, содержащий оксид магния и диоксид кремния,о т- личающийся тем, что, с целью снижения температуры спекания и изготовления изделий электронной

техники, работающих до температуры 300 С, он содержит компоненты с размером частиц 1-3 мкм при следующем их соотношении, мас.%:

Оксид магния 60 - 90 Диоксид кремния 1 0 - 40

Изобретение относится к керамическим материалам для электронной техники. Цель изобретения - снижение температуры спекания и изготовления изделий электронной техники, работающих до температуры 300°С. Материал содержит, мас.%: оксид магния /периклаз/ 60-90 и диоксид кремния 10-40. Температура спекания материала не превышает 1520±40°с, коэффициент линейного расширения Α=/9,2-10,3/х10^-6 град^-1

высокие диэлектрические характеристики /TG=/1-2/X10^-4 пРи 20°C. 1 табл.

Редактор Н.Гунько

Составитель Л.Булгакова Техред М.Дидык

Заказ 1838/22

Тираж 589

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Продолжение таблицы

Корректор С.Шекмар

Подписное