Устройство для измерения электропроводности и термоэлектродвижущей силы полупроводников в твердом и жидком состояниях Советский патент 1986 года по МПК G01R31/00 

Описание патента на изобретение SU1221619A1

ческих свойств полупроводников. Цель изобретения - повышение точности измерения. Исследуемый образец размещен в измерительной ячейке 6, выполненной в виде вертикальной кварцевой трубы 6, установленной на кварцевом диске 8. Сверху ячейка 6 закрыта графитовым колпаком 9 с кварцевой крышкой 10, а снизу - графитовой пробкой П. Предусмотрены тепловые экраны 12, охватывающие измерительную

1

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено .для использовани) при исследованиях физических свойств полупроводников.

Цель изобретения - повьшение точ- ности измерения за счет предотвращения колебаний сечения образца и исключение погрешности, обусловленной ошибками в определении сечения.

На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.

Устройство содержит водоохлаждае- мьй корпус 1, основание 2, кольцевую резиновую прокладку 3, штуцер 4. Внури корпуса 1 размещены печь 5, выполненная из трех секций (Я, Ь , с ) нагревателя, измерительная ячейка 6 с исследуемым образцом 7, выполненная в виде вертикальной кварцевой трубки, установленной на кварцевом диске 8, закрытой сверху графитовым колпаком 9 с кварцевой крышкой 10, а снизу - гранитовой пробкой 11 и окруженной тепловыми экранами 12. Вертикальное крепление измерительной ячейки 6 осуществлено с помощью стержней 13, прижатие - вспомогательными кварцевыми дисками 14 и грузом 15, а регулирование по высоте - посредством вспомогательных кварцевых трубок 16. По образующей измерительной ячейке 6 на расстоянии 25- 30 мм просверлены два отверстия диаметром 3 мм, в которые плотно вставлены графитовые колпачки 17. В сверления колпачков. 17 пропущены рабочие термопары 18, В основании 2 просвер- леш отверстия, через которые с помощью вакуумных уплотнений выведены

ячейку 6. Температурное поле по высоте регулируют при помощи верхней (а) и нижней (с) Секций. Электропроводность определяют двухзондовым методом по компенсационной схеме на постоянном токе при двух его направлениях посредством зондов 19 и термопар 18. Электропроводность и тер- мо-ЭДС измеряют при температурах до 1200 С в вакууме или в атмосфере инертного газа. 1 ил.

термопарные 18 и токовые 19 зонды. Размеры измерительной ячейки 6, необходимые при расчете электропроводности исследуемого образца 7, определяются предварительно.

Устройство работает следующим образом.

Рабочий объем корпуса 1 после ва- куумирования заполняют аргоном под

давлением 5-6 атм. Откачку и заполнение инертным газом рабочего объема производят через штуцер 4. Исследуе- образец нагревают до температуры плавления, и измерение электропроводности и термо-ЭДС производят при ступенчатом нагреве и охлаждении. Общий температурный уровень создают средней секцией (ь) нагревателя печи 5. Температурное поле по высоте регулируют при помощи верхней (а) и нижней (с) секций.

Электропроводность определяют, двухзондовым методом по компенсационной схеме на постоянном токе при двух его направлениях. Падение напряжения между токовыми зондами 19 снимают одноименными ветвями рабочих термопар 18, его величину, в зави1 симости от сопротивления исследуемо-- го образца 7, измеряют низкоомным или высокоомным потенциометром.

При измерении термо-ЭДС по длине исследуемого образца 7 создают гра- диент температуры 15-20 с, который вблизи температуры плавления уменьшают до 7-8°С. Перепад температуры ЛТ на образце 7 и его температуру

определяют хромель-алюмелевыми термопарами 18, холодные концы которых термостатируют при . Для определения термо-ЭДС измеряют ЭДС между алю- мелевыми и хромелевыми ветвями термо- пар, контактирующими с образцом 7.

Предлагаемое устройство позволяет измерять электропроводность и тер- мо-ЭДС при температурах до 1200 С в вакууме или в атмосфере инертного . . газа, а при замене кварцевой рабочей ячейки апундовой и использовании вольфрам-рениевьЬс термопар можно про- водить измерения от комнатной темпе- рату1иа до ISOO C. Максимальная относительная погрешность при измерении электропроводности не превышает 2,5%, а при измерении термо-ЭДС - 4%.

Составитель Л.Морозов Редактор Т.Митейко Техред И.Гайдош Корректор Е.Сирохман

Заказ 1610/53 Тираж 728Подписное

ВНКИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ШШ Патент, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Формула изобретени,я

Устройство для измерения электропроводности и термоэлектродвижущей силы полупроводников в твердом и жидком состояниях, содержащее водоохлаж- даемый корпус, внутри которого размещены измерительная ячейка с исследуемым образцом, печь и электрический блок измерения, отличающее- с я тем, что, с целью повышения точности измерения, измерительная ячейка выполнена в виде вертикальной кварцевой трубки, установленной на кварцевом диске, закрытой сверху графитовым колпако 1 с кварцевой крышкой, снизу - графитовой пробкой и окруженной тепловыми экранами, а печь - в виде трех секций нагревателя, намотанных на кварцевую трубку.

Похожие патенты SU1221619A1

название год авторы номер документа
Устройство для измерения коэффициентов термоэдс халькогенидных полупроводниковых термоэлектрических материалов 1975
  • Лященок Валентина Ивановна
  • Лященок Виктор Георгиевич
  • Плехоткина Галина Львовна
  • Стрекопытова Наталия Игоревна
  • Федоров Виталий Андреевич
SU555463A1
Способ измерения ионного коэффициента термо-э.д.с.смешанных полупроводников 1983
  • Жвания Ираклий Антонович
  • Инглизян Павел Николаевич
  • Иорга Тамара Петровна
  • Чхенкели Нана Сосовна
SU1187059A1
Устройство для измерения эдс поперечного эффекта нернста-этингсгаузена в полупроводниковых материалах 1978
  • Сабо Евгений Павлович
  • Титаренко Юрий Дмитриевич
SU767870A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ОБРАЗЦОВ ИЗ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 2022
  • Потемкин Григорий Александрович
  • Бобылев Борис Иванович
  • Коршунова Татьяна Владимировна
  • Юхимчук Аркадий Аркадьевич
RU2783751C1
Устройство для определения удельного электросопротивления углеграфитовых материалов 1989
  • Бронников Вадим Александрович
  • Чистов Алексей Николаевич
  • Островский Геннадий Ефимович
  • Менчев Юрий Петрович
SU1749806A1
Устройство для определения электрофизических свойств 1984
  • Денисов Геннадий Васильевич
  • Петров Александр Николаевич
  • Ляшенко Евгений Анастасьевич
SU1226239A1
Устройство для каталитического оксидирования металлов и полупроводников 1978
  • Струков Вячеслав Михайлович
  • Акимов Михаил Андреевич
  • Пекшева Надежда Петровна
SU662785A1
Ячейка для измерения удельного электросопротивления расплавов 1979
  • Палчаев Даир Каирович
  • Пашаев Буньямин Палчаевич
  • Палчаева Халумага Сейфединова
SU1006987A1
Способ комплексного определения теплофизических свойств веществ в области фазовых переходов и устройство для его осуществления 1980
  • Прохоренко Виктор Яковлевич
  • Соколовский Богдан Иванович
  • Понимаш Владимир Анатолиевич
  • Мартынюк-Лотоцкий Павел Юрьевич
SU935764A1
Способ измерения температурной зависимости термо-ЭДС минералов 1982
  • Романов Валерий Григорьевич
SU1133526A1

Реферат патента 1986 года Устройство для измерения электропроводности и термоэлектродвижущей силы полупроводников в твердом и жидком состояниях

Изобретение предназначено для использования при исследовании физиi

Формула изобретения SU 1 221 619 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1221619A1

Глазов В.М
и др
Методы исследования -термоэлектрических свойств полупроводников
М.: Атомиздат, 1959, с
Способ получения продукта конденсации бетанафтола с формальдегидом 1923
  • Лотарев Б.М.
SU131A1
Boaa Астахов О.П
и др
Методы измерения термоэлектрических характеристик полупроводников в твердой и жидкой фазах при высоких температурах
- Измерительная техника, 1965, № 9, с
Машина для добывания торфа и т.п. 1922
  • Панкратов(-А?) В.И.
  • Панкратов(-А?) И.И.
  • Панкратов(-А?) И.С.
SU22A1

SU 1 221 619 A1

Авторы

Исаев Зайнутдин Абиевич

Алиев Сайпун Насрулаевич

Рашидханов Казбек Магомедович

Мурзаев Адильбек Мурадович

Даты

1986-03-30Публикация

1984-02-16Подача