Неразрушающий способ определения толщины покрытия на кристаллической подложке Советский патент 1986 года по МПК G01N23/20 

Изобретение ((.и -CM л .;. нэструктурному ана:1И; у, j ча.::п-и к методика определения толпи-гл;: тия иа KpHCTajij -.4er лой ао мк;: R :;.

может быть ИСПОЛ ЬЗС ;-;:Яи;) l.i):

шающего контроля толики; и к:-:ес эпитаксиальных и и;;1Ы.1;ан-ц,:;к гч: используемых я прои-; водс гяе ::::Mi; водниковьк l:pи6opoг и ин ;-члсхем в раДИОПЛекТрОНИОЙ ;-;ус;: -viU.

сти.

Предлагаемый способ ;. окс мл использован н машштос рс-епя; ч;,)- следованин naccHJ)Kpy;oijpi:. uo - yi.r)-: трубопроводоз и др , ., а также: ::р}- исследовании пленох :jnpa -i и ; при коррозии.

Цепь изобретенг;я rKi sbuiK i-1-;е

прессности олределачи; олсгч ь, Ч ия и улрошение

Сущность способа зак:,.ючсь: г лм следующем ,

При дифракции peHTFtniOBCFHx .;

чей от какой-либо серии n.noi::,-.:ос

кристаллической гго цюлск -; и j pvic;,

ВИИ покрытия происходит Cll.nV l iff

тяжести дифракдионног о измененнс брэгговского y -j;a вследствие того,; гго учл-тиу-опши дифракции плоскосгги кристал, подложки смещены с фокусирукчией нестиt На изменении зелкч г ь скг брэгговского угла дифргкдиь как либо серии шюскостай подлол;ки :. крытием от измеренлогс хлачь. пия ) овского угла дифракшп- ;pi; плоскостей чистой ::юцл:ол-К -; ;я ;ic методика измерениУ толш- пы ускрь В предлагаемом способе л;- н-г-; ЛИЮ брэгг овског о уг /га д1-;фра:ллл ложки с покрытием от р,

чистой ПОДЛОЖл Н су:.Л:Ч ij л-л;

)цения ристал1(ичг; ;с;;й ; Д--и;лл1 кусирующей окрулаюсти и,, чч::-. :л; толщине покрытия,, нанссчл по; с, м кристаллическую пс1:-ло}кк;;ч

Для разпых схем фоку1,ирО:: i -г -. четные соотношения ,г(ля спчое, ,Li.riC:; толщины (7,) покрьггия на криг. :л;.л: КОЙ подлолже различны При .jciir; графировании по схеме Б:)эгг-: -Нр:

2 cos©

где Л - радиус фокусирующей с)кру:ч;нс сти; ® - брэгговский угол дифракмдп подложки; Р величина смещения брг

I)i411 -iii S li

.UHOJoa)

что в этом случае метод является более грубым по сравнению с предыдущим,, так как точность его составляет 17 мкм, Но поскольку он реализуется на стандартной дкфрактометрической аппаратуре5 то может быт успешно применен для контроля толщины суб- микронньк покрытий.

гонские углы ;:;ифрак1:и каксг(-: i(i;- отражения для образца и эталона, гь;- полпенного нз материала г:Одлс лК11 Со-; покрытия, и по разности углог дибрпк- ции В образца и :лтало1;а находят толщину подложки из соот; ; :;:е:пгя

Фор

у л а

и 3 о б р е

е н li

Неразрушающий способ определеп;1я толщины покрытия на кристаллической подложке, включающий облучение образца, установленного в держателе диф- рактометра с фокусировкой по Брэггу- Брентано или Зееману-Болину,, пучком рентгеновских лучей и регистрацию излучения, дифрагированного подложкой, о т л и ч а ю щ и и с я тем. ЧТО; с целью повьшения экспрессности к упрощения способа, измеряют брэгФОКУСИРОВКО по

для рентгеносъемки с

Зееманз -5о:п1Ну5 1 де I

сирующей окр 7кности;

у| ол дифракции материала подлоячки;

:х - угол падепия рентгеновского излучен1;я на образец.

С целью повышения экспрессности и упрощения способа определения толщины покрытия на кристаллической подложке с использованием дифракции рентгеновских лучей предложено осуществить измерение брэгговского угла дифракции любого отражения для исследования образца и эталона, который выполняется из материала подложки. Толщину покрытия определяют по разности измеренных брэгговских углов о Расчетные соотнощения для определения искомой толщины различны для случаев рентгеносъемки с фокусировкой по Брэггу-Брентано и по Зееману-Болину. (Л ГС j; со 4

Редактор Е, Папп Заказ 4228/44

Тираж 778Подпис:-:ое

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений i: открыт ий 113035, Москва., Ж-ЗЗ, Раушская наб,. д, Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная,.