Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях Советский патент 1986 года по МПК H01J37/00 

Описание патента на изобретение SU1269215A1

Изобретение относится к элскт;)ониой микросконии, в частности к электронографии, и предназначе}Ю для измерения интенсивности рассеяния электронов на обьектах в твердой и азовой фазе.

Цель изобретения -- сокранхение времени измерений интенсивности рассеяния электронов фи обеспечении одинаковой точности измерений во всех точках дифракционной картины.

На чертеже показана схема реализующего снособ устройства.

Устройство содержит расноложенные на пути электронного пучка 1 объект 2 и детектор 3. Выход детектора соединен с первым счетчиком 4, который в свою очередь соединен с вторым счетчиком 5. Второй счетчик 5 соединен с опорным генератором 6, а нервый счетчик 4 соединен с генератором 7 развертки, выход которого соединен с отклоняющими кату1нками 8.

Снособ осуп1,ествляется следуюниш образом.

Первичный электронный нучок 1, сформированный электрооптической системой электронографа, пересекает область, где нроисходит рассеяние первичных электронов на молекулах исследуемого венхества. В результате в нлоскости регистрации формируется дифракционная картина, которая разворачивается с помон1ью магиитныз отклоняюншх катушек 8 относительно неподвижного детектора 3, в качестве которого может использоваться система из сцинтиллятора и фотоэлектронного умножителя. Время счета в некоторой точке дифракционной картины соответствует накоплению фиксированного суммарного заряда -- количества электронов NO. Интенсивность рассеяния электронов в этой точке 1т Й о/1т, где Л - коэффициент нронорциона:1ьности. Б предлагаемом способе NI) постоянно и выбирается исходя из требуемой относительной точности измерений S: N0 , что обеспечивает одинаковую точность измерений во всех точках дифракционной картины. Измеряемой величиной в данном случае является -- время счета N(1 электронов в каждой отдельной точке. Имеряя это время, можно построить распределение интенсивности рассеяния электронов, поскольку она обратно пропорциональна времени ь. Таким образом, время счета электронов в каждой отдельной точке дифракционной картины не превышает времени, необходимого для обеспечения требуемой точности измерений б. Так, для обеспечения относительной точности измерений б 0,3% в каждой точке электронограммы требуется накопить не менее электронов. Время измерения в некоторой точке tT NO/FT, где FT - средняя частота регистрации электронов в этой точке. Частота Рт прямо пропорциональна интенсивности рассеяния электронов, току электронного луча и плотности электронов в области рассеяния.

Экспериментальные условия выгодно выбирать таким образом, чтобы работать при возможно больн1их FT с тем, чтобы уменьшить время измерений (т. Однако максималыше значение FT ограничивается предельной частотой счетчика импульсов f и длительностью импульсов т. Необходимым условием нормальной работы является , при этом относительная ошибка при регистрации электронов, следук)Н1их с средней час тотой FT, составляет . Максимальная частота серийных счетчиков импульсов f 100 МГц. При относительной ошибке 6 0,3% средняя частота FT 300 кГц. Если в ближней области дифракционной картины FT.S 300 кГц, то в дальней области средняя частота регистрации электронов уменьHiacTCH до Fi:g 1 кГц. При этом время измерений в одной точке в дальней об;|асти дифракционной картины ttg-lOOc, а в ближней области это время умень0 П1ается до 0,3 с, в то время как нри известном способе измерения время измерения во всех точках одинаково и в данном случае должно составлять 1т 100 с. Обшее время регистрации дифракционной картины по известному способу составляет 10 с (около 3 ч). Предлагаемый снособ регистрации юзволяет уменьшить это время в 3-4 раза. Устройство, реализующее предлагаемый способ, работает следующим образом.

Электропный пучок 1 рассеивается объQ ектом 2. Одноэлектронные импульсы с детектора 3 поступают па первый счетчик 4, который нри накоплении выбранного количества импульсов вырабатывает электрический импульс. Этот импульс останавливает счетчик 5, регистрирую1ций количество им5 пульсов опорного генератора 6 фиксированной частоты, а также поступает в генератор 7 цифровой развертки. Генератор 7 изменяет ток через отклоняющие катушки 8, нереводя дифракционную картину в новую точку измерений. В этой схеме количество импу.чьО сов, накопленное во втором счетчике 5, обратно пропорционально интенсивности рассеяния электронов в данной точке дифракционной картины. Используя в качестве второго счетчика 5 многоканальный анализатор импульсов и соответствующую схему синхронизации, процесс измерения интенсивности рассеяния электронов удается полностью автоматизировать, что также снижает об1цее время измерений.

Пример. Исследования молекулы ССЬ по0 казали, что предлагаемый снособ измерения интенсивности рассеяния электронов нозволяет уменьшить время эксперимента по сравнению с известными способами в 4 раза (с 3 ч до 45 мин) нри сохранении точности измерений 6 0,3%.

5 Предлагаемый способ обеспечивает постоянную точность измерений б по всей дифракционной картине, уменьшая время измерения в ее ближних областях и тем самым

значительно уменьшая общее время эксперимента. Это позволяет снизить влияние нестабильностей измерительной аппаратуры на точность эксперимента, в 3-4 раза снизить затраты трудовых и энергетических ресурсов и значительно увеличить объем и эффективность научных исследований.

Формула изобретения

Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях, включающий формирование и развертку дифракционной картины относительно неподвижного детектора, регистрацию суммарного заряда рассеянных электронов в каждой точке дифракционной картины, измерение времени регистрации и осуществление интенсивности рассеяния электронов по распределению регистрируемых электрических сигналов, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерений при обеспечении одинаковой точности во всех точках дифракционной картины, измерение времени осуществляют для каждой

точки дифракционной картины до момента накопления в них одинакового суммарного заряда рассеянных электронов, а об интенсивности рассеяния судят по распределению измеренных для каждой точки дифракционной картины промежутков времени.

Похожие патенты SU1269215A1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛЫ ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ И СПОСОБ ЕГО ЭКСПЛУАТАЦИИ 2007
  • Иванов Аркадий Александрович
RU2377688C2
Способ электронографии на отражение 1975
  • Пчеляков Олег Петрович
  • Стенин Сергей Иванович
SU528638A1
Способ электронографического исследования кинетики фазовых переходов в тонких пленках 1990
  • Султанов Рафик Мукадастович
  • Исмаилов Джабир Ибрагим Оглы
  • Алиев Фазиль Иса Оглы
  • Шафизаде Рафик Бехбуд Оглы
SU1822954A1
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ДИФРАКЦИОННОЙ КАРТИНЫ 1973
  • Д. В. Иремашвили В. М. Артемов
SU399936A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ 1971
SU311187A1
Способ получения электронограмм типа косых текстур тонких пластинчатых кристаллов 1988
  • Фоминенков Анатолий Матвеевич
  • Звягин Берке Борухович
  • Жухлистов Анатолий Павлович
  • Кязумов Махмуд Гашим-Оглы
SU1649397A1
Фотографический способ определения относительной интенсивности электронных пучков 1977
  • Федотов А.Ф.
SU671517A1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ 2004
  • Калинин Вячеслав Федорович
  • Иванов Владимир Михайлович
  • Печагин Евгений Александрович
  • Уваров Александр Николаевич
  • Лимонов Дмитрий Николаевич
RU2292053C2
Способ электронно-дифракционногоСТРуКТуРНОгО АНАлизА МАТЕРиАлОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия 1979
  • Авилов Анатолий Сергеевич
  • Имамов Рафик Мамед-Оглы
  • Семилетов Степан Алексеевич
  • Бухардинов Нур Киямович
  • Гусев Владимир Иванович
  • Бояндина Лия Георгиевна
  • Кисель Георгий Дмитриевич
  • Яременко Владислав Миронович
SU843024A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТЕПЕНИ РАЗРУШЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ОБРАЗЦА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ОБЛУЧЕНИЯ УСКОРЕННЫМИ ЧАСТИЦАМИ 2021
  • Шемухин Андрей Александрович
  • Евсеев Александр Павлович
  • Воробьева Екатерина Андреевна
  • Балакшин Юрий Викторович
  • Назаров Антон Викторович
  • Миннебаев Дамир Кашифович
  • Петров Василий Львович
  • Филиппычев Сергей Аркадьевич
RU2792256C1

Реферат патента 1986 года Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях

Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности электронографии. Цель изобретения - сокращение времени измерения. В результате рассеяния на молекулах исследуемого вещества ранее сформированного электронного пучка 1 в плоскости регистрации формируется дифракционная картина (ДК). получаемая с помощью магнитных отклоняющих катушек 8 и неподвижного детектора 3. Время счета (i) в некоторой точке ДК соответствует накоплению фиксированного суммарного заряда - количества электронов. Интенсивность рассеяния электронов в этой точке выбирается исходя из требуемой относительной точности измерений. Для обеспечения относительной точности измерений й 0,3% в каждой точке электронограммы требуется накопить не менее NO 10 электронов. Время измерения в некоторой точке ti NO/FT. При этом частота FT прямопропорциональна интенсивности рассеяния электронов, току электрон е ного луча и плотности электронов в области рассеяния. Об интенсивности рассеяния су(Л дят по распределению измеренных для каждой точки ДК промежутков времени. 1 ил. ю О) о tc ел

Формула изобретения SU 1 269 215 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1269215A1

Практические методы в электронной микроскопии./Под ред
О
М
Глоэра.-Д.: Машиностроение, 1980, с
Переносное устройство для вырезания круглых отверстий в листах и т.п. работ 1919
  • Сидоров И.В.
SU226A1
Fink М., Bonham R
А high precession electron diffraction unit for gases.-Rev
Scient Instr., 1970, N 41, pp
Гидравлический подъемник 1922
  • Кочкин Б.П.
SU389A1

SU 1 269 215 A1

Авторы

Голубков Виктор Владимирович

Даты

1986-11-07Публикация

1985-05-27Подача