Способ электронографии на отражение Советский патент 1976 года по МПК H01J37/26 

Изобретение относится к области анализа кристаллических веществ с помощью дифракции электронов и может быть использовано для исследования структуры приповерхностных слоев различных кристаллов. Известны способы (1) получения электронограмм на отражение, заключающиеся в том, что исследуемый объект освещается пучком электронов, направленных под скользящим углом к поверхности объекта. Возникаюп,ая дифракционная картина фиксируется ниже объекта на фотопластинку или фотопленку. Для повышения точности измерения межллоскостных расстояний объекта d на его поверхность наносят тонкую пленку эталонного вещества или получают отдельную электроногра.мму от эталонного вещества, помещаемого в кристаллодержатель электронографа взамен исследуемого кристалла. Однако эти способы не позволяют изхмерять межплоскостпое расстояние точнее, чем 1 %. Наиболее близким техническим решением к данно.му изобретению является (2) способ электронографии иа отражение, включающий использование дифракции электронов на приповерхностных слоях объектов и (регистрацию дифракционных картин на фотопленке. Однако низкая точность определения межплоскостного расстояния при этом способе ограничивает возможности идентификации веществ с блнзки.ми межплоскостными расстояниями. Низкая точность связана С тем, что электронным пучкО:М освещается вся ловерхность объекта, в результате чего расстояние от объекта до пластины оказывается неопределенным в пределах размера объекта в направлении падающего пучка. Для увеличения точности измерения межплоскостпых расстояний изучаемого объекта lio П:редлагаемому способу регистрацию дифракционных картин производят последовательно на две фотопленки, расположенные иа разпых расстояниях от объекта. Суть изобретения поясняется чертежом, иа котором 1 - первая позиция расположения фоюэмульспонного материала; 2 - вторая позиция расположения фотоэмульсионного материала; 3 - Г1олол ение объекта; 4 - положение эталона. Если дифрагирующая область на исследуемом образце располол ена в точке 3, а эталон помещен в точку 4 на расстояпии AL от точки 3, то на фотонластинках 1 и 2 дифракция от образца дает рефлексы с расстояниями между пими DIO и DZO соответственно, а Д1 фракция иа эталоне - Лю и Dcg. В каждой позиции фотопластинок для эталона вычисляется постоянная прибора Li/. (L{t. и Lzk соответственно). Чтобы использовать величины L;., определенные .а,ля эталона, при расчете межплоскостных расстояний исследуемого кристалла, необходимо в уравнение Вульфа - Брегга d --. (1) подставить значения /)го которые будут соответствовать дифракции от образца из точки э, Вычисления Dlo из известных на эксперименте величин DiQ и D,o осуществляются следующим образом. Согласно приведенной схеме выполняется следующее соотношение DW DW - , которое после перегруппировки членов имеет вид DIO - D20 D,, - D,,.(2а) Обозначим через коэффициент k отношение Dlo/Dzo, который определяется из экоперимента как k Di3lD2s. Производя подстановку Dzo (), выраженное через k и Ою (20), в уравнение (2а), получаем (D,o - D,o) DW - АО Подставляя D,-o В уравнение (1), окончательно имеем 2I,X (1 - k) ft (Da-A) (1 - k) DZ - DI Все измерения на электронограм-мах производятся на рефлексах, лежащих строго на сфере отражения, параллельно тени образца с тем, чтобы устранить влияние эффектов формы и преломления электронов на точность измерения D. Кроме того, для образцов любого типа (поликристаллических и монокристаллических) на значения d, полученные по формуле (4), вносится обычная поправка, обусловленная изменением L/. с увеличением д: Формула изобрете«ия Способ электронографии на отражение, включающий использование дифракции электронов на приповерх«остных слоях объектов и регистрацию дифракционных картин на фотопленке, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности измерения межллоскостных расстояний изучаемого объекта, регистрацию дифракционных картин производят последовательно на две фотопленки, расположенные на разных расстояниях от объекта. Источники информации, использованные при экспертизе: 1.Утевский Л. М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении, М., Металлургия, 1973, с. 32-34. 2.Жуков Л., Гуревич М. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М., Металлургия, 1971 (прототип).