Керамический материал Советский патент 1987 года по МПК C04B35/495 H01G4/12 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпен- сирующих конденсаторов.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания керамики,

Керамический материал получают следующим образом.

Предварительно известным образом получают спеки ниобатов натрия-стронция и титаната кальция, которые синтезируют при 1 200-1 250 С, а затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 . После этого полученные спеки смешивают с требуемым количеством МпО и ZrO удельной поверхности Из полученного материала формуют об10

вестной технологии с литьем керамической пленки толщиной 40-А5 мкм на поливинилбутиральной связке и толщиной электрода 2-4 мкм.

Составы керамического материала приведены в табл.1,

Электрические характеристики предлагаемого и известного керамических материалов приведены в табл.2.

Формула изобретения

15

Керамический материал, включающий NaNbO,, SrNbjOj, CaTiO,, ZrO и МпО,, отличающийся тем.

что, с целью повьппения диэлектрической проницаемости и снижения темпе 5000-80 см°/г.20 Ратуры спекания керамики, он содер-- исходные компоненты при следуюжит

щем соотношении, мас.%:

разцы материала 018ммиЬ 2мм, которые обжигают при 1260-1320°С и используют для контроля злектропара- метров керамики.

Монолитные конденсаторы из указанного материала изготавливают по из

вестной технологии с литьем керамической пленки толщиной 40-А5 мкм на поливинилбутиральной связке и толщиной электрода 2-4 мкм.

Составы керамического материала приведены в табл.1,

Электрические характеристики предлагаемого и известного керамических материалов приведены в табл.2.

Формула изобретения

15

Керамический материал, включающий NaNbO,, SrNbjOj, CaTiO,, ZrO и МпО,, отличающийся тем.

Ратуры спекания керамики

-- исходные компоненты

жит

щем соотношении, мас.%:

5

NaNbO,

CaTiOj

ZrO-j

МпОг

37,09-63,80

21,82-34,82

12,23-27,00

0,99-1,96

0,10-0,19

Таблица 1

1290130460ilO

1290130370 10

1290430310110

1345±45165ilO

Редактор Н.Рогулич

Составитель Л.Косяченко Техред Н.Глущенко

2477/21

Тираж 587 ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Таблица2

2-4

2,5-4,5 3-5

2-5

14-15 15-16 16-17

12-17

-1800 -1500 -1400

-730

Корректор Т.Колб

Подписное

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов. Целью является повышение диэлектрической проницаемости () и снижение температуры спекания.Цель достигается за счет следующего соотношения компонентов, мас.%: 37,09 - 63,80 NaNbO,; 21,82-34,82 SrNbjOg; 12,33-27,00 CaTiO,; 0,99-1,96 ZrO и 0,10-0,19 МпО. При этом температура спекания снижается до 1290 i 1 30°С, РУ возрастает до 2,5 х X 10 См-см, е - до 310 460; ЕП - до 14-17 мВ/м. Материал и изделия из него получают по традиционной технологии. 2 табл. 00 00 сд vl