Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия Советский патент 1993 года по МПК C30B17/00 C30B29/12 

СП

с

Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,. Способ включает нагрев шихты,содержащей йодистый цезий с добавкой k-S мае„5 бромистого цезия После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч„ Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми- ровании до давления 1 « 10 - 5 10 мм рТоСТо, а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 1 -10 -1,10 мм Достигнут предел текучести 200-260 г/мм, 1 табл

Изобретение относится к выращива- . нию монокристаллов и может быть использовано для получения материала с улучшенными механическими свойствами для изготовления оптических эле- ментов устройств, работающих в инфракрасной области спектра, в том числе для пассивных элементов мощных СО -лазеров,

В качестве материала для инфракрасной техники широко применяют монокристаллы щелочных галоидов (хлористого калия, хлористого натрия, фтористого лития)о Использование йодистого цезия, не имеющего себе равных по прозрачности в далекой инфракрасной области спектра, ограничено из- за низкого предела текучести, являющегося основной .характеристикой механических свойств оптического материала о Повышение предела текучести без ухудшения оптических свойств дает возможность широко использовать его как материал для изготовления оптических элементов о

Целью изобретения является увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств

П р и м е В платиновый тигель засыпают соль йодистого цезия в количестве k кг, добавляют 4 мас, бромистого цезия, вакуумируют объем печи до 5 10 мм рТоСТо, нагревают смесь до температуры плавления 621 С при непрерывном вакуумировании, выдерживают расплав 1,5 ч, затем вводят азот до давления 1 и производят выращивание монокристал

ла известным способом Киропулоса в атмосфере азотао

Аналогично приведенному примеру осуществляли выращивание монокрис- таллов йодистого цезия с лобавлением различного количества бромистого цезия и при различных параметрах процесса выращивания о Результаты выращивания в зависимости от режимов пре дставлены в таблице

Как следует из таблицы, только в пределах заявленных параметров (примеры 3, 5, 8 и 10) достигается пос- тавленная цель о Выход за граничные условия не обеспечивает достижения цели с

По сравнению с известным предлагаемое техническое решение обеспечива- ет увеличение предела текучести кристаллов йодистого цезия в 1,5-2 раза и на порядок величины по сравнению с йодистым цезием, выращенным в тех же

Й12383. 4

условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства

Формула изобретения

Способ выращивания монокристаллов йодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей йодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу Киропулоса, отличающийся тем, что, с целью увеличения предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств, добавку бромистого цезия берут в количестве 4-5 масо, нагрев и выдержку расплава в течение 1,0- 1,5 ч ведут при непрерывном вакууми- ровании до давления 1-10 - 5 X рТоСТо, а рост ведут в атмосфере азота при давлении 1 10 - 1 10 мм рт о ст„