Устройство для сушки материалов в фонтанирующем слое Советский патент 1988 года по МПК F26B17/10 

Изобретение относится к технике сушки и может быть использовано в химической промьшшенности,в частности при получении минеральных удобрений, а также обезвоживании сыпучих материалов

Цель изобретения - повышение производительности и качества сушки„

На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид

сбоку; на фиг. 3 - узел I на фиг о 1.

Устройство содержит камеру 1 в виде воронки, включающей вертикальную 2 и наютонную 3 стенки, щелевой ввод 4, щелепые прорези 5, полуколь- цевой обводный, канал 6, сопло 7} зазор 8, загрузочиш 9 и разгрузочный 10 патрубки, патрубок 11 ввода теплоносителя, патрубок 12 для вывода от.работанного теплоносителя, разгрузитель 13. Иолукпльпсмитй канал 6 целесообразно соедшшть с камерой 1 на высоте уровня фонтпшфующего слоя материала.

Устройство работает следующим образом.

Влажньй материал поступает в сушильную камеру 1 через загрузочный патрубок 9 п, двигаясь вниз вдоль наклонной стенки 3 в слое, через которьп фштьтруется теплоноситель, поступаюш п через щелевые прорези 5, подхватывается струей тенпоносителя, поступающего через щелевой ввод Д

20

25

30

Устройство позволяет повышать про- изводитатьность и качество сушки.

Формула изобретения

Устройство для сушки материалов в фонтанирующем слое, содержащее камеру, выполненную в виде воронки с одной наклонной стенкой и тангенциальным боковь м щелевьп вводом у основания, отличающееся тем.

ности и качества сушки, боковой щелевой ввод подключен к наклонной стенке воронки посредством полукольцевов режиме фонтанирования, поднимается 35 го обводного капала, образующего колвдоль вертнкачьнон стенки 2. При этом лектор вторичного воздуха, сообщающийиз общей мас;с.1 материала отделяются

крупные ли влажные частицы,

которые провл.чиааются зазор 8

между соплом 7 и шеле м.гм и под ом 440

ел с полостью воронки через щелевые прорези, выполненные на участке на- ютонной стенки, ограниченной обводным ГС а нал ом.

,

o

5

0

5

0

в полукольцевой канал 6, где подхватываются струей теплоносителя, поступающего из сопла 7j и в режиме закрученного потока происходит обезвоживание. Затем они поступают в опускающийся слой материала в камеру 1. Таким образом, в устройстве образуются два д ркуляционньгх контура для высушивания частиц. После предварительной подсушки в полукольцевом канале и в опускающемся слое частицы досушиваются в фонтанирующемся слое и выводятся через разгрузочный патрубок 10 из устройства. Нагретый теплоноситель .поступает в устройство по патрубку 11 и соплу 7, а удаляется из него через патрубок 12.

Устройство позволяет повышать про- изводитатьность и качество сушки.

Формула изобретения

Устройство для сушки материалов в фонтанирующем слое, содержащее камеру, выполненную в виде воронки с одной наклонной стенкой и тангенциальным боковь м щелевьп вводом у основания, отличающееся тем.

ел с полостью воронки через щелевые прорези, выполненные на участке на- ютонной стенки, ограниченной обводным ГС а нал ом.

Изобретение м.б, использовано в химической промьшшенности при получении минеральных удобрений, а также обезвоживании сыпучих материалов. Цель изобрете1гия - повышение производительности и качества сушки. Устройство содержит камеру 1. Камера 1 12 выполнена в виде воронки с одной наклонной стенкой 3 и одной вертикальной стенкой 2 и имеет тангенциальный щелевой ввод у основания. Ввод подключен к стенке 3 посредством полукольцевого обводного канала 6. Канал образует коллектор вторичного воздуха, сообщающийся с полостью воронки через щелевые прорези, выполненные на участке стенки 3, ограниченной каналом 6, Влажный материал двигается вдоль стенки 3 в слое, через который фильтруется теппоноси- тель, поступающий через прорези, подхватывается струей теплоносителя, поступающего через ввод в режиме фонтанирования, и поднимается вдоль стенки 2. В устройстве такой конструкции образуются два циркулярных контура дпя вьюушивания частиц. После предварительной подсушки в канале 6 частицы досушиваются в фонтанирующем слое. 3 ил. С « сл 4 to о со ьо to 11 Фиг I

Влатныи Латёриал

цсушеннА/и патериал

Фи 2