Шахтная печь для выращивания кристаллов методом Киропулоса Советский патент 1962 года по МПК F27B1/10 

Известна шахтная печь для выращивания кристаллов методом Киропулоса, снабженная донным и боко:вым нагревателями. Выращенные кристаллы диаметром 120-130 мм и высотой 15-20 мм имеют местами оптически непрозрачные участки. Это ухудщает качество люминофора.

Предлагаемая шахтная печь имеет керамическую диафрагму с центральным отверстием диаметром 40-50 мм. Толщина диафрагмы увеличивается от центра (2-3 мм) к периферии (12-15 мм). Диафрагма расположена на доннам нагревателе. Благодаря этим отличиям повышается качество выращиваемых кристаллов.

Предлагаемая шахтная печь предназначена для выращивания кристаллов люминофоров NalTe и CsI(Te) диаметром 120-130 мм методом Киропулоса. Подобно извест-кой, она снабжена боковым и донным нагревателями. Донный нагреватель имеет керамическую диафрагму, толщина которой в центре составляет 2-3 мм и к периферии повышается до 12-15 мм. Диафрагма имеет центральное отверстие диаметром 40-50 мм. Применение диафрагмы позволяет обеспечить равномерную скорость роста кристаллов, что дает возможность получить оптически прозрачные кристаллы диаметром 130 и высотой 60 мм с хорошими сцинтилляционньши характеристиками.

№ 151673- 2 -

Предмет изобретения

Шахтная печь для выращивания кристаллов методом Киропулоса,.. снабженная боковым и дониым нагревателя м,и, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества выращиваемых кристаллов, она имеет керамическую диафрагму с центральным отверстием диаметром 40- 50 мм и толщиной, увеличивающейся от центра (2-3 мм) к периферии (12-15 мм), расположенную на донном нагревателе.