Быстродействующий ТТЛШ-вентиль Советский патент 1989 года по МПК H03K19/88 

9 47

1980,

1

(21)4351976/24-21

(22)24.11.87

(46) 23.12.89. Бкш. (72) А.И.Вихров

(53)621.374 (088.8)

(56)Электроника, т, 53, с. 75, рис. 66.

Digital Integrated Circuit D.A.T.A. Book, 1976, p. 394, fig.

G04-491.

(54)БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ТТШЬВЕНТИЛЬ

(57)Изобретение относится к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике быстродействуищих вентилей транзисторно-транзисторной логики

If 5,

Шоттки (ТТЛШ). Цель изобретения - уменьшение мощности, потребляемой быстродействующим ГГЛШ-вентилем. Быстродействующий ТТЛШ-вентиль содержит входной элемент, выполненный на двух последовательно включенных диодах Шоттки, два резистора, входной, фазо- инвертирующий, три выходных и токоза- дающкй транзисторы. Подключение базы токозадающего транзистора к эмиттеру третьего выходного транзистора позволяет увеличить номинал второго резистора и тем самым уменьшить пот- ребляемую мощность при сохранении быстродействия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

§

kn

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике быстродействующих вентилей транзисторно-транзисторной логики Шоттки (ТТЛШ). Цель изобретения - уменьшение мощности потребляемой быстродействующим ТТЛШ-вентилем. Быстродействующий ТТЛШ-вентиль содержит входной элемент, выполненный на двух последовательно включенных диодах Шоттки, два резистора, входной, фазоинвертирующий, три выходных и токозадающий транзисторы. Подключение базы токозадающего транзистора к эмиттеру третьего выходного транзистора позволяет увеличить номинал второго резистора и тем самым уменьшить потребляемую мощность при сохранении быстродействия, 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к кикросхемо- технихе быстродействующих ТТЛШ-венти- лей.

Цель изобретения - уменьшение мощности потребляемой быстродействующим ТТЛШ-вентилем.

На чертеже приведена схема быстродействующего ТТЖЬвентиля.

БыстродействуюирЛ ТТЛШ-вентиль -содержит входной элемент, содержащий два диода Шоттки 1 и 2, катод диода Шоттки 1 соед1шен со входом вентиля, анод диода Шоттки 1 подключен к катоду диода Шоттки 2, анод диода Шоттки 2 подключен к базе входного транзистора 3 и через первьй резистор 4 соединен с шиной питания, эмиттер транзистора 3 через резистор 5 соединен с общей шиной и подключен к базе фа- зоинвертирующего транзистора 6 и анодом диода Шоттки 7, катод которого подключен к входу вентиля, эмиттер транзистора 6 подключен к шунту, выполненному на резисторах 8 и 9 в цепях базы и коллектора транзистора 10, к базе первого выходного транзистора 11, к коллектору транзистора 11 подключен анод диода Шоттки 12, катод диода Шоттки 12 подключен к коллектору транзистора 6, между коллекторе транзистора 6 и коллектором транзистора 11 подключена пара Дарлингтона, выполненная на третьем 13 и вторст 14 транзисторах и резисторе 15, к базе транзистора 13 и коллектору транзистора 6 подключен второй резистор 1Ь. Эмиттер транзистора 13 соединен с базой токозадающего транзистора 17, коллектор которого подключен к вшне питания, а эмиттер - к коллектору транзистора 3.

Параллельно входу вентиля включен антизвонный диод Шоттки 18.

Быстродействующий ТТЛШ-вентиль работает следующим образом.

Если на вход подается сигнал с крутым фронтом нарастания напряжения с уровня лог. О до уровня лог. 1, то через проходную емкость об- ратносмещенных последовательно включенных диодов Шоттки 1 и 2 начинает течь ток. Этот ток вместе с током резистора 4 включает транзистор 3, который создает условия для включения транзистора 17. Через транзистор 17 течет ток, состоящий из тока транзистора 13, тока носителей заряда, накопленных в базе транзистора 14 и тока разряда выходной нагрузочной емкости, ограниченного по величине резистором 15. Этот ток, усиленный транзистором 17, заряжает входные емкости транзисторов 6 и 11, что облегчает их включение токами резисторов 4 и 16.

Включение транзистора 6 сопровождается понижением потенциала на его коллекторе за счет падения напряжения на резисторе 16. Это приводит к выключение транзистора 17 и переводу транзистора 3 в диодный режим работы Одновременно с этим начинает отпираться диод BIoTTKH 12, через которь начинает течь ток разряда вьосодиой нагрузочной емкости. Этот ток через транзистор 6 заряжает входную емкост выходного транзистора 11 и ускоряет его включение.

При достижении входного сигнала уровня лог. 1 транзисторы 3, 6 и 11 находятся во включенной состоянии и через вентиль текут токи, задаваемые двумя резисторами 4 и 16. Вентиль находится во включеннм состоянии.

При спаде величины входного сигнала с уровня лог. 1 до уровня лог. О через диоды 1Яоттки 1, 2 и 7 текут разрядные токи транзисторов 3 и 6, что вызывает их включение. Дополнительно вьвслючение транзистора 6 осуществляется и через резистор 3« Вьвшючение транзистора 6 приводит к росту потенциала на его коллекторе и при достижении величины 1,5 В к включению транзисторов 13 и 14, ток которых собирается коллектором выходного транзистора 11« Этот ток вместе с разрядньм током, протекающим через шунтирующую цепь, сос0

5

0

5

0

5

0

5

0

5

тоящую из резисторов 8 и 9 и транзистора 10, выключает выходной транзистор 11 .

При достижении входным сигналом уровня лог. О транзисторы 3, 6 и 11 находятся в выключенном состоянии и вентиль закрыт.

Диод Шоттки 18 работает, когда на входе уровень входного сигнала имеет отрицательную полярность, что встречается при работе ТТЛШ-вентнлей на длинные сигнальные линии. В этом случае диод Шоттки 18 выполняет функцию ограничителя амплитуды отрицательной помехи.

Уменьшение потребляемой мощности достигается за счет возможности увеличения номинала резистора 16 при сохранении быстродействия.

Формула изобретения

и коллектором третьего выходного транзистора, база которого через второй резистор соединена с шиной питания и подключена к коллектору фазо- инвертирукедего транзистора, эмиттер третьего выходного транзистора соединен с базой второго выходного транзистора, коллектор входного транзистора соединен с эмиттером токоза- дакяцего транзистора, коллектор которого соединен с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, база токозадающего транзистора соединена с эмиттером третьего выходного транзистора.

-

вход г

/W/77

77

E-t 7

iSrt

11 ЙВыход