Интегральный ЭСЛ-элемент Советский патент 1989 года по МПК H03K19/86 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСП-типа.

Целью изобретения является увеличение надежности путем упрощения.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема интегрального ЭСЛ-элемента,

Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 резисторы, соединенные первыми выводами с шиной 3 питания, а вторыми - с коллекторами первого 4 и второго 5 транзисторов и с первым 6 и вторым 7 выходами, эмиттеры транзисторов 4 и 5 соединены с коллектором третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен через третий резистор 9 с общей шиной 10, база транзистора 4 через четвертый резистор 11 соединена с шиной 3 питания и с анодом первого диода 12,

катод которого является входом 13, база транзистора 5 через пятый резистор 14 соединена с шиной 3 питания и с анодом второго диода 15, катод которого через последовательно включенные третий 16 и четвертый 17 диоды соединен с общей шиной 10, база транзистора 4 соединена с коллектором чет- .. вертого транзистора 18, база которого соединена с коллектором транзистора 8, а эмиттер - с базой транзистора 4 и с катодом диода 15.

Интегральный ЭСЛ-элемент работает следукяцим образом.

При Подаче на вход 13 напряжения высокого уровня ток через диод 12 прекращается и через резистор 11 течет в базу транзистора 4.

При транзистор 4 открывается, транзистор 5 закрывается. Ток через транзистор 4 определяется генератосд

со

to

о со

ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напряжение на базе транзистора 8 постоянно и равно ,, где Ug - пряное падение на-- пряжения на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равна

1

что позволяет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 для получения заданного перепада напряжений на выходах 6 и 7.

При достижении на базе транзистора 4 напряжения U транзистор 18 открывается и избыточная часть базового тока транзистора А по цепи: шина 3 питания, резистор 11, коллектор эмиттер транзистора 18, диоды 16 и 17, обцая вина 10, протекает по цепи формирования опорного наряжения на базе траизистора 5.

При этом напряжение на базе тран- зистора 4 не превышает уровня 4U, что исключает насыцение транзистора 4 при заданной величине логического перепада напряжений иа выходе 6. Составляющая входного тока, используемая для формирования опорного напряжения на базе транзистора 5, является избыточньм базовьм током транзистора 4, который можно отобрать из цепи базы этого транзистора после его включения.

При подаче на вход 13 напряжения низкого уровня транзистор 5 открывается, а транзисторы 4 и 18 закрываются, так как входной ток проте- кает при эган по цепи: шииа 3 пита- ния, резистор 11, диод 12, вход 13.

г

0

5 5

0

0

Напряжение на базе транзистора 5 постоянно и равно 3Ug за счет протекания тока по цепи: шина 3 питания, резистор 14, диоды 15 - 17, общая шина 10.

Таким образом, ЭСЛ-элемент содержит меньшее количество элементов и обеспечивает быстродействие и потребляемую мощность не хуже известного технического решения, что позволяет повысить технико-экономические показатели устройств, выполненных на его основе. Формула изобретения

Интегральньй ЭСЛ-элемент, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первыми вторым выходами и, соответственно через первь и вторс резисторы подключены к шине питания, а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистсфа, эмиттер которого через трет1й резистор подключен к общей шине, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода, катод которого подключен к входу, база второго транзистора через пягьЛ резистор соединена с шиной питания и с анодом второго диода, катод которого через последовательно включенные третий и четвертый диоды соединен с общей шиной, о т л и ч .а - щ и и с я тем, что, с целью увеличения надежности, введен четвертый транзистор, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, база - с коллектором третьего транзистора, а эмиттер - с базой третьего транзистора и с катодсж второго диода.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа. Цель изобретения - увеличение надежности интегрального ЭСЛ-элемента путем упрощения. Интегральный ЭСЛ-элемент содержит четыре транзистора, четыре диода и пять резисторов. Четвертый транзистор ответвляет часть входного тока в цепь формирования опорного напряжения на базе одного транзистора и одновременно ограничивает уровень напряжения на базе другого транзистора, которые вместе образуют ЭСЛ-элемент. При этом достигается упрощение ЭСЛ-элемента без уменьшения быстродействия и увеличения потребляемой мощности. 1 ил.