ЭСЛ-элемент Советский патент 1986 года по МПК H03K19/86 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем (ИС).

Целью изобретения является увеличение надежности за счет упрощения

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного ЗСЛ-элемента

ЭСЛ-злемент содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первым 3 и вторым 4 выходами устройства и соответственно через первый 5 и второй 6 резисторы соединены с шиной питания, а эмиттеры подключены к коллектору третьего транзистора 7 эмиттер которого через третий резистор 8 соединен с общей шиной, база первого транзистора 1 через четвертый резистор 9 соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода 10, катод которого соединен с входом 1 устройства, а база второго транзистора 2 подключена к тине опорного напряжения и катоду второго диода I2, анод которого соединен с базой перво1;,о транзистора, дополнительные эмиттеры первого 1 и второго 2 транзисторов соединены с базой третьего транзистора 7 о

ЭСЛ-элемент работает следующим образом

При подаче на вход 11 логического О диод 10 включается в прямом направлении, пропуская через себя весь ток резистора 9, поэтому ток в базу транзистора 1 не поступает и он находится в выключенном состоянии, выключая тем самым ток через резистор 5о Поэтому напряжение на выходе 3 равно напряжению источника питания о Диод 12 включен в обратном направлении.

В этом случае источник тока в цепи эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи U , дополнительный эмиттер транзистора 2 и транзистор 7 с резистором 8 Ток резистора 8, создаваемый напряжением на нем источника U,, за вычетом падений напряжений на базо-эмит- терных переходах транзисторов 2 и 7, через коллектор транзистора 7 попадает в эмиттер включенного транзисто РЭ 2, понижая тем самым потенциал

на выход 4 за счет протекания тока через резистор 6„

При подаче на вход 11 логической диод 10 включается в обратном направлении, поэтому ток резистора 9 течет в базу транзистора 1 и в диод 12, фиксируя уровень базы на уровне

Ш

ои + ,

Транзистор 2 выключается, а транзистор 1 включается, формируя на резисторе 5 и на выходе 3 низкий

уровень током, протек.аюЩим через включенный транзистор 1 „

В этом случае источник тока в цепи первых эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи U, , диод

12, переход база - дополнительный эмиттер транзистора 1 и транзистор 7 с резистором Во Тов, в случае логической единицы на входе II ток, задаваемый источником опорного напр.чжения, будет больше, чем в случае подачи на вход напряжения, соответствующего логическому нулю, на величину прямого падения напряжения на диоде 12, из-за увелИчения падения напряжения на резисторе 8,

Таким образом, ток задаваемый источником тока на резисторе 8 и

транзисторе 7, зависит от уровня

логического сигнала на входе, поэтому логические уровни, создаваемые этим током на нагрузочных резисторах 5 и 6, с которых снимаются выходные сигналы, формируются разными даже в случае одинаковых номиналов этих резисторов 5 и 6.

Это приводит к увеличению быстродействия переключения плеча с низ кого уровня на высокое, с большим логическим перепадом, приближая к быстродействию плеча с меньшим логическим перепадом за счет увеличения номинала резисто ра 5,

Увеличение быстродействия при переключении с высокого уровня на низ- кйй плеча с болыпим логическим перепадом происходит за счет увеличения в этом случае тока, задаваемого источником тока

Получение разных логических перепадов на выходах с помощью повьшения

рабочего тока при включении плеча с большим логическим перепадом позволяет получить разные логические перепады на выходах устройства, повысив быстродействие выхода с большим логическим перепадом, сделав его равным быстродействию второго

Редактор Н.Слободяник

Составитель А.Янов Техред Л.Сердюкова

Заказ 4426/58Тираж 816Подписное

ВНИИШ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

выхода, что существенно упрощает построение на основе этой схемы быстродействующих ИС с малой потребляемой мощностью, устранив в них явления гонок фронтов, вызывающие ложные срабатьшания сяем и повьшая их быстродействие.

Корректор М.Самборская