Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может быть использовано в химических лабораториях для изготовления тонкослойных пластин.
Цель изобретения - улучшение качества пластин.
Способ осуществляется следующим образом.
Готовят суспензию адсорбента перемещением силикагеля КСКГ с разбавленным и нейтрализованным раствором жидкого стекла, с последующей обработкой суспензии ультразвуком. Суспензию адсорбента наносят на высушенные стеклянные подложки, которые предварительно опускают в водный раствор жидкого стекла с добавкой поверхностно-активного вещества, например амидобетаина, и подсушивают пластины.
Пример 1. Стеклянные подложки размером 20Х20 см опускают при нормальной температуре на 5-10 с в раствор, содержащий, мас.%: жидкое стекло 2,0; ПАВ формулы 1 () - 0,005; дистиллированная вода остальное. Подложки высушивают при 95-100°С в течение 5-10 мин в сушильном шкафу. На подготовленные указанным образом под- ..ложки наносят суспензию адсорбента, изготовленную следующим образом: 80 г фракционированного (фракции 5-20 мкм) силикагеля КСКГ перемешивают при помощи мешалки (700-800 об/мин) в течение 6-7 мин с 200 мг 1,5%-го раствора жидкого стекла (нейтрализованного 5%-ной серной кислотой до ), с последующей обработкой полученной суспензии ультразвуком в течение 1-2 мин с частотой 22 Гц. Пластинки подсушиО1
ел
о
Јь
DMA
00
вают при комнтаной температуре в течение 10-12 ч. Полученными указанным способом пластинами для ТСХ разделяют анализируемые смеси.
П р и м е р 2. Процесс осуществляют аналогично примеру 1, с той разницей, что для обработки подложек используют раствор, содержащий, мас,%: жидкое стекло 2,5; ПАВ формулы 1
() 0,005; дистиллированная вода остальное.
П р и м е р 3. Процесс осуществля- |ют аналогично примеру 1 , с той разни- цей, что для обработки подложек ис пользуют раствор, содержащий мас.%: жидкое стекло 5,0; IIAB формулы Ј ( ti) 0,005; дистиллированная вода остальное.
П р и м е р 4. Процесс проводят аналогично примеру 1, с той разницей, что для обработки подложек испо льзуют раствор, -содержащий, мас.%: жидкое стекло 2,5; ПАВ формулы 1 () 0,035; дистиллированная вода осталь- ное.
П р и м е р 5. Процесс проводят аналогично примеру 1, с той разницей, что для обработки подложек используют раствор, содержащий, мас.%: жидкое стекло 2,5; ПАВ формулы 1 () 0,01; дистиллированная вода остальное.
Предельные углы смачивания в nor . верхностное натяжение растворов жидкого стекла представлены в табл. 1 и 2 П р и м е р 6. Пластины активируют в сушильном шкафу при 120 С в течение 45-60 мин. Затем накрытые покровным стеклом пластины выдерживают в эксикаторе, заполненным силикагелем, прокаленным при 200°С в течение 4- 5 мин. В сосуд для пластин (из комплекта оборудования КТХ-02) на высоту примерно 3 мм наливают толуол. При готовляют контрольный раствор Судан 1 в гексане. На пластины наносят стартовую линию на расстояние 1 см от края и отмечают линию на расстоянии 4 см от стартовой линии. Сдвига- ют покровное стекло на расстояние примерно 1,5 см от края, наносят на . стартовую линию контрольный раствор Судана 1 калиброванным капилляром (1 мкл) не менее, чем в 10 точках с интервалом 1-2 см. Проводят восходящую хроматографию. После подъема толуола на 4 см вынимают пластины, высушивают, выдерживают в течение 1 ч.
п
0
5
Для каждой пробы линейкой измеряют расстояние от стартовой линии до центров хроматографических зон . Определяют разность между максимальным и минимальным расстояниями „„.,,1ЦС( С
-1МИН. Полученные данные приведены в табл. 3. Максимальная Д1 составляет Ј 2, 0 мм.
П .р и м е р 7. На активированных аналогично примеру 6 пластинках проводят разделение контрольной смеси: Судана 1-5 мг, Судана Р-2,5 мг, Судана черного В-12,5 мг, Судана зеленого 4В-5 мг. Причем смесь растворяю.т в четыреххлористом углероде. Элюцию ведут в толуоле. После разделения хро- матограммы сушат при 120°С до полного удаления растворителя. Получено полное и воспроизводимое разделение анализируемой смеси на компоненты. Причем интенсивнЬсть окрашивания пятен на хроматограмме легко контролируется и регулируется.
Предельные значения количества жидкого стекла в растворе для обработки пластин составляют 2,0-5,0 мас.%. При этом образуется плотное и гомогенное покрытие поверхности пластинки (толщина слоя 2,5 мкм).
При значениях, меньше 2,0 мас.% на поверхности пластинки не образуется слоя. При значениях, больше 5,0 мас.% слой на поверхности пластинки утолщается, что однако не ведет к дальнейшему увеличению качества пластин, а расход жидкого стекла увеличивается.
Предельные значения количеств ПАВ формулы 1 в растворе жидкого стекла составляют 0,001 -0,030мас.% в зависимости от длины R в молекуле ПАВ и приведены в табл. 4. Применение ПАВ формулы 1 при меньших количествах, чем указанные в табл. 4 нижние предельные количества (ниже критической концентрации мициллообраэования), не обеспечивает достижения положительного эффекта. Применение ПАВ формулы 1 в количествах выше указанных верхних предельных количеств ведет к росту пенообразования, которое является в данном случае нежелательным, а также к излишнему расходу ПАВ.
Пластины не осыпаются и не разрушаются под действием струи воды под углом 90+10° на расстоянии 50-100 мм при 20-35°С в теч,ение 5-30 с при расходе воды 6 л/мин. Неравномерность слоя силикагеля на пластинах опреде51550418
ляют по разности между наибольшим зна- Ф о чением толщины слоя, определяемой при 7 точках каждой пластины. Среднее значение - менее 20 мкм.
Предлагаемый способ изготовления пластин имеет следующие преимущества по сравнению с известным: достигается плотное и гомогенное покрытие пормула изобретения
несением суспензии подложки опускают в раствор, содержащий, мас.%:
1. Способ изготовления пластин для тонкослойной хроматографии, включающий приготовление суспензии адсорбента, обработку суспензии ультразвуком с последующим нанесением ее на стеклянные подложки и сушку пластик, о т - верхностей пластин слоем силиката нат юличающийся тем, что, с целью рия, в результате чего поверхностьулучшения качества пластин, перед напассивируется и отпадает необходимость проведения специальных операций очистки поверхностей, толлина слоя 2,5мкм; пассивирование поверхностей пластин 15 резко увеличивает точность и четкость определения веществ, а количество годных пластин составляет ,т00%; образуемый на поверхности слой придает высокую прочность адгезии к подложке и 20 обладает высокой механической прочностью; отпадает необходимость введений специальных связывающих веществ в слой сорбента; внедрение пластинок обеспечивает резкое увеличение скорос-25 ту формулы ти анализа, а также повышение его чув-RCONHC3HjN CH3J2CH2COO-,
Жидкое стекло Поверхност но-актив- ное вещество типа амидобетаина Дистиллированная вода
2-5
0,,030
Остальное
2. Способ по п. 1, отличающий с я тем, что в качестве аминобе- таина используютИ-ацил-К - 3-аминопро- пил)-Н ,М -диметиламиноуксусную кислоствительности.
где R-C „-C 1S.
рмула изобретения
несением суспензии подложки опускают в раствор, содержащий, мас.%:
ту формулы RCONHC3HjN CH3J2CH2COO-,
формулы RCONHC3HjN CH3J2CH2
Жидкое стекло Поверхност но-актив- ное вещество типа амидобетаина Дистиллированная вода
ту формулы RCONHC3HjN CH3J2CH2COO-,
2. Способ по п. 1, отличающий с я тем, что в качестве аминобе- таина используютИ-ацил-К - 3-аминопро- пил)-Н ,М -диметиламиноуксусную кисло ту формулы RCONHC3HjN
где R-C „-C 1S.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Состав для получения хроматографического слоя пластин тонкослойной хроматографии | 1985 |
|
SU1736541A1 |
Очищающее средство для пола | 1983 |
|
SU1081202A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ ТОНКОСЛОЙНОЙ ХРОМАТОГРАФИИ | 1998 |
|
RU2139533C1 |
Способ количественного определения регуляторов роста растений на основе четвертичных аммониевых солей | 1985 |
|
SU1295336A1 |
Дисперсный состав сорбента для тонкослойных хроматографических пластин | 1990 |
|
SU1774249A1 |
СПОСОБ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОТОЧНОЙ ТОНКОСЛОЙНОЙ ХРОМАТОГРАФИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2000 |
|
RU2216018C2 |
СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ В ТОНКОСЛОЙНОЙ ХРОМАТОГРАФИИ | 1976 |
|
SU671503A1 |
Способ получения полиакриламидного геля | 1984 |
|
SU1393316A3 |
Хроматографическая пластина для устройства тонкослойной хроматографии под избыточным давлением | 1981 |
|
SU1531866A3 |
Способ приготовления пластин для тонкослойной хроматографии | 1987 |
|
SU1458812A1 |
Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может быть использовано в химических лабораториях при изготовлении хроматографических пластинок с тонким слоем сорбента. С целью повышения качества пластин перед нанесением суспензии адсорбента пластины покрывают слоем жидкого стекла, содержащего ПАВ. Покровный слой образует опусканием стеклянной пластинки кратковременно в раствор, содержащий, мас.%: жидкое стекло 2,0 - 5,0
амидобетаин 0,001 - 0,030
дистиллированная вода остальное. 1 з.п. ф-лы, 4 табл.
Т а б л и ц
Краевые углы смачивания (0) и поверхностное натяжение (б) растворов жидкого стекла различной концентрации, содержащих 0,005% IIAB формулы I (R-C)3 )
Концентрация жидкого стекла, %
45 I
Таблица
Краевые углы смачивания (0) и по- верхнеетное напряжение (б) 2,5%- ных растворов жидкого стекла, содержащих различные концентрации ПАВ формулы f ()
Концентрация амидобетаина, %
Г 00,00165 0,0050 0,0065
Разность между максимальным и минимальным расстояниями от линии старта до центров хроматографических зон Судан Г
Точка на стартовой 1 линии
Расстояние от линии старта до
центров15,5 J5.0 15,0 15,015,5 15,0 15,0 15,0 15,5 15,5
хроматографическихзон, мм
Л ,5 мм
ТаблицаА
Предельные значения необходимых количеств ПАВ в зависимости от длины углеводородного радикала в молекуле ПАВ формулы I
R
Предельные количества, мас.%
Нижняя
11
13
0,010 0,0035
Ctf 0,001
ТаблицаЗ
10
Верхняя
0,030
0,0100
0,003
Ахрим А.А., Кузнецова А.И,, Тонкослойная хроматография | |||
М.: Наука, 1965, с | |||
Машина для добывания торфа и т.п. | 1922 |
|
SU22A1 |
Способ очистки поверхности стекла | 1983 |
|
SU1227606A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Способ изготовления пластин для тонкослойной хроматографии | 1976 |
|
SU607139A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1990-03-15—Публикация
1988-05-20—Подача