Способ магнитного контроля изделий Советский патент 1990 года по МПК G01N27/72 

(Л

с

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитным методом и может быть использовано при обнаружении дефектов в ферромагнитных изделиях (прокате, сварных соединениях, фасонных изделиях). Цель изобретения - повышение достоверности контроля - достигается путем определения раскрытия дефекта. Изделие намагничивают дважды, регистрируя поле дефекта при различных значениях напряженности поля. По относительному изменению поля дефекта и градуировочной зависимости определяют раскрытие дефекта. 3 ил.

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитным методом и может быть использовано при обнаружении дефектов в ферро- магнитных изделиях (прокате, сварных соединениях, фасонных изделиях).

Цель изобретения - повышение достоверности контроля за счет определения раскрытия дефекта.

На фиг,1 и 2 изображены графики зависимостей полей дефектов соответственно малого и большого раскрытия от величины намагничивающего поля; на фиг.З - градуировочная зависимость.

Способ контроля осуществляют следующим образом.

Вначале контролируемый объект намагничивают постоянным полем, создавая напряженность внешнего поля на поверхности объекта, не имеющего де-г фектов HQ Н0,. Измерив реэультирующее поле на поверхности дефектного изделия (например, с помощью ленточного локального датчика) и, вычитая внешнее поле, получают поле дефекта

Н

di

Аналогичные измерения выполняют

при Н0 Н02 , получая Н. Вычисляют

отношение

- -4Н,. 3

К ог Hoi

кспериментально установлено, что чем больше ширина дефекта, тем больше ДН. На фиг.1 показан характер зависимости поля дефекта от напряженности намагничивающего поля при ширине дефекта менее 0,02 мм. Как видно, при HQ 40-60 А/см наклон кривой по отношению к оси абсцисс уменьшается На фиг.2 - аналогичная зависимость при ширине дефекта свыше 0,2 мм. Корреляционная связь между ДН и шириной (раскрытием) дефекта показана

ел

о

J

0

О

на фиг.З, откуда следует, что с ростом ширины дефекта ДН i возрастает.

Для осуществления способа используют П-образный электромагнит, обмотка которого питается постоянным током, и преобразователь поля,

Градуировочная кривая построена для дефекта определенной глубины, В общем случае ДН-j связано с раскрытием (относительной шириной дефекта). Для построения кривой (фиг.З) использовались эталонные образцы с дефектами известного раскрытия.

Пример 1. Контролировали образец из стали 09Г2, представляющий собой два состыкованных торцовыми поверхностями и плотно прижатых струбциной бруска размерами 100x40x8 мм (имитация дефектов сварки трением). Предварительно на бездефектном бруске размерами 200x40x8 мм подбирали режиг мы намагничивания, соответствующие Н0 60 Л/см и Н0 80 А/см. Измерение горизонтальной составляющей результирующего поля выполняли с помощью комбинированного прибора Щ4311. Поле дефекта определяли как разность результирующего и внешнего полей. Вычисления показали uHj 0,15.

П р и м е р 2. Между.стыкуемыми поверхностями описанных образцов укладывали неферромагнитную прокладку толщиной 0,6 мм, имитировавшую дефект большого раскрытия. Измерения и выполненные затем вычисления показали, что kHj 1,55,

Исследования показали, что наиболее достоверные данные о раскрытии дефекта получаются в случае выбора значений напряженности поля в диапазоне 60-80 А/см.

Таким образом, предложенный способ позволяет производить разбраковку контролируемых изделий не только по ве- личине поля рассеяния дефекта, цо и

0

5

0

Д5

5

0

5

0

по раскрытию последнего что повышает достоверность контроля.

Формула изобретения

1,Способ магнитного контроля изделий, включающий намагничивание контролируемого изделия постоянным магнитным полем и регистрацию поля дефекта, отличающийс я тем, что, с целью повышения достоверности контроля за счет определения раскрытия дефекта, дважды намагничивают эталонные изделия с различным раскрытием дефектов и контролируемое изделие при различных значениях напряженности постоянного магнитного поля, регистрируя при этом поля дефектов, определяют относительное изменение поля дефектов контролируемого изделия, причем раскрытие дефекта в контролируемом изделии определяют по величине относительного изменения поля дефекта контролируемого изделия и градуи- ровочной зависимости раскрытия дефекта в эталонных изделиях от относительного изменения поля дефекта в них, а относительное изменение поля дефекта контролируемого изделия определяют из соотношения

лн Hd( f

°H01 H01

где &Н i - относительное изменение

поля дефекта контролируемо - го изделия;

Hi Hjn - поля дефектов контролируемого изделия при напряженности намагничивающего постоянного магнитного поля : Н0)и Н02 соответственно. 2.Способ поп.1, отличающийся тем, что значения напряженности намагничивающего постоянного магнитного поля выбирают в интервале 60-80 А/см.

Hd

W...60A/cn H0 Фиг.1

0

0.1

Фиг.з

Редактор М.Келемеш

Составитель С.Шумилишская

Техред Л.Сердюкова Корректор С.ГОекмар

Заказ 1319

Тираж 505

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Hd

0

Фиг. 2

Hn

ff.tin

Подписное