Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. .
Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины.
Пример 1. в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой i 110 мм загружают навески исходных компонентов в соотношении, мол %
,;,I
В Оз35
ВаО32
ВаРд РЬО
14 18
Общий вес загрузки составляет 1100 г. Во второй тигель загружают исходные компоненты для приготовления раствора-раЬплава, используемого при вьфащивании слоев (YEuTmCa)x x(FeGe)0, . Тигли помещают в печь нагревают до и осуществляют гомогенизацию растворов-расплавов в течение 6 ч. В качестве подложки используют ориентированную в направлении (1J1) пластину галлий-гадолини- евого граната диаметром 30 мм и толщиной 0,5 мм. Пластину предварительно полируют алмазным абразивом (круп- ность зерна 1 мкм,), отмьшают,. закрепляют в платиновом держателе и нагревают до . При этой температуре
подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, и осуществляют, травление подложки со скоростью 30 мкм/мин. Скорость враще- ния подложки в растворе-расплаве составляет 100 об/мин. Через мин : после начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплава и погружают в раствор-расплав, нахо- дящийся во втором тигле, при температуре . Выращивание слоя (YEuTmCa) (FeGe)5-0,2 проводят в течение 3 скорости вращения подложки ТЗО об/мин. Полученный моно- кристаллический слой имеет плотность структурньк дефектов 0,3 см . Подвижность доменных границ в слое составляет 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная анизотропия и намагни- ченность равны, соответственно 1,4 X. idO :эрг/см и 300 Те.
Приме р 2. Реализация спосо- ,6а аналогична описанной в примере 1. Однако раствор-расплав, используе- мый для травления подложки, содержит мол,%:..
Y,FesO,2 . . - 4 -. .-, .. .
- : :31 ; . . .30 V
%0з ВаО
. BaF2 - : 12. ; , . PbQ , . v ,; 23 , а подложку нагревают до 1050 С и осуществляют травление при этой температуре в течение 1 мин скорости вращений подложки 300 об/мин, . Плотность структурных дефектов в полученном монокристаллическоь сло не превышает 0,3 см. Подвижность доменных границ равна 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная анизотропия и
О
5
п
5
намагниченность составляют соответ- , ственно 1,4-10 эрг/см и 300 Гс.
Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет в 6 раз уменьшить интенсивность испарения высокотоксичного РЬО из раствора-расплава, 1тредотвра ить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек, повысить скорость травления подложек более чем в 5 раз при сохранении качества получаемых монокристаллических слоев гранатов.
Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я
Способ получения феррогранатовых структур, включающий травление в платиновом тигле нагретой подложки из галлий-гадолиниевого граната раст- , .вором-расплавом, содержащим ,2. или , РЬО и и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержащего компоненты .граната и растворитель, о т л и ч а ю щ.и и с я . тем, что, с целью снижения продолжительности процесса и уменьшения потерь платины, подпожку нагревают до 900-1050°С, в раствор-расплав для травления дополнительно вводят ВаО и BaF при следующем соотношении ком- покентов, мол.%: GdjOagO,: или
V sO i1-5
ВгРэ31-35
ВаО30-35
12-14
РЬО Остальное
а травление ведут в течение 0,31,5 мин.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения монокристаллических плёнок железо-иттриевого граната с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решётки плёнки и подложки | 2022 |
|
RU2791730C1 |
Способ очистки платинового тигля | 1988 |
|
SU1678921A1 |
Способ получения магнитнооптической структуры | 1989 |
|
SU1675409A1 |
Магнитооптическая структура и способы получения материала подложки и монокристаллической пленки феррит-граната | 1989 |
|
SU1744690A1 |
Способ получения магнитооптического носителя информации | 1989 |
|
SU1647648A1 |
УСТРОЙСТВО МАГНИТНО-ТЕРАПЕВТИЧЕСКОЕ С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫМ ТВЕРДОТЕЛЬНЫМ ИСТОЧНИКОМ СТРУКТУРИРОВАННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ | 2013 |
|
RU2551926C1 |
ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ПОДЛОЖЕК СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА | 1992 |
|
RU2038435C1 |
Способ выращивания монокристаллов гематита @ -F @ О @ | 1990 |
|
SU1740505A1 |
Способ выращивания монокристаллической пленки FeBO на диамагнитной подложке | 2015 |
|
RU2616668C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ-СКАНДИЙ-ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ | 2006 |
|
RU2321689C2 |
Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины. Способ включает нагрев подложки из галлий-гадолиниевого граната до 900-1050°С, ее травление раствором-расплавом, содержащим, мол.%: GD3GA5O12 или Y3FE5O12 1-5
B2O3 31-35
BAO 30-35
BAF2 12-14
PBO остальное, в течение 0,3-1,5 мин и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержащего компоненты граната и растворителя. В сравнении с прототипом способ позволяет снизить продолжительность процесса за счет увеличения более чем в пять раз скорости травления подложки, а также предотвратить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек.
Система вторичного электропитания | 1987 |
|
SU1432686A2 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1990-11-07—Публикация
1988-07-19—Подача