Способ получения феррогранатовых структур Советский патент 1990 года по МПК C30B19/02 C30B29/28 

Описание патента на изобретение SU1604871A1

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. .

Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины.

Пример 1. в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой i 110 мм загружают навески исходных компонентов в соотношении, мол %

,;,I

В Оз35

ВаО32

ВаРд РЬО

14 18

Общий вес загрузки составляет 1100 г. Во второй тигель загружают исходные компоненты для приготовления раствора-раЬплава, используемого при вьфащивании слоев (YEuTmCa)x x(FeGe)0, . Тигли помещают в печь нагревают до и осуществляют гомогенизацию растворов-расплавов в течение 6 ч. В качестве подложки используют ориентированную в направлении (1J1) пластину галлий-гадолини- евого граната диаметром 30 мм и толщиной 0,5 мм. Пластину предварительно полируют алмазным абразивом (круп- ность зерна 1 мкм,), отмьшают,. закрепляют в платиновом держателе и нагревают до . При этой температуре

подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, и осуществляют, травление подложки со скоростью 30 мкм/мин. Скорость враще- ния подложки в растворе-расплаве составляет 100 об/мин. Через мин : после начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплава и погружают в раствор-расплав, нахо- дящийся во втором тигле, при температуре . Выращивание слоя (YEuTmCa) (FeGe)5-0,2 проводят в течение 3 скорости вращения подложки ТЗО об/мин. Полученный моно- кристаллический слой имеет плотность структурньк дефектов 0,3 см . Подвижность доменных границ в слое составляет 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная анизотропия и намагни- ченность равны, соответственно 1,4 X. idO :эрг/см и 300 Те.

Приме р 2. Реализация спосо- ,6а аналогична описанной в примере 1. Однако раствор-расплав, используе- мый для травления подложки, содержит мол,%:..

Y,FesO,2 . . - 4 -. .-, .. .

- : :31 ; . . .30 V

%0з ВаО

. BaF2 - : 12. ; , . PbQ , . v ,; 23 , а подложку нагревают до 1050 С и осуществляют травление при этой температуре в течение 1 мин скорости вращений подложки 300 об/мин, . Плотность структурных дефектов в полученном монокристаллическоь сло не превышает 0,3 см. Подвижность доменных границ равна 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная анизотропия и

О

5

п

5

намагниченность составляют соответ- , ственно 1,4-10 эрг/см и 300 Гс.

Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет в 6 раз уменьшить интенсивность испарения высокотоксичного РЬО из раствора-расплава, 1тредотвра ить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек, повысить скорость травления подложек более чем в 5 раз при сохранении качества получаемых монокристаллических слоев гранатов.

Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я

Способ получения феррогранатовых структур, включающий травление в платиновом тигле нагретой подложки из галлий-гадолиниевого граната раст- , .вором-расплавом, содержащим ,2. или , РЬО и и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержащего компоненты .граната и растворитель, о т л и ч а ю щ.и и с я . тем, что, с целью снижения продолжительности процесса и уменьшения потерь платины, подпожку нагревают до 900-1050°С, в раствор-расплав для травления дополнительно вводят ВаО и BaF при следующем соотношении ком- покентов, мол.%: GdjOagO,: или

V sO i1-5

ВгРэ31-35

ВаО30-35

12-14

РЬО Остальное

а травление ведут в течение 0,31,5 мин.

Похожие патенты SU1604871A1

название год авторы номер документа
Способ получения монокристаллических плёнок железо-иттриевого граната с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решётки плёнки и подложки 2022
  • Шумилов Алексей Гениевич
  • Федоренко Андрей Александрович
  • Недвига Александр Степанович
  • Семук Евгений Юрьевич
  • Наухацкий Игорь Анатольевич
  • Бержанский Владимир Наумович
  • Шапошников Александр Николаевич
  • Томилин Сергей Владимирович
RU2791730C1
Способ очистки платинового тигля 1988
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Слинкин Юрий Ильич
SU1678921A1
Способ получения магнитнооптической структуры 1989
  • Островский Игорь Вениаминович
  • Еськов Николай Анатольевич
  • Пронина Наталья Владимировна
  • Грошенко Николай Александрович
SU1675409A1
Магнитооптическая структура и способы получения материала подложки и монокристаллической пленки феррит-граната 1989
  • Иванов Михаил Анатольевич
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Тимошечкин Михаил Иванович
  • Чани Валерий Иванович
SU1744690A1
Способ получения магнитооптического носителя информации 1989
  • Логинов Николай Александрович
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Трошин Андрей Юлианович
  • Чани Валерий Иванович
  • Червоненкис Андрей Яковлевич
SU1647648A1
УСТРОЙСТВО МАГНИТНО-ТЕРАПЕВТИЧЕСКОЕ С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫМ ТВЕРДОТЕЛЬНЫМ ИСТОЧНИКОМ СТРУКТУРИРОВАННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ 2013
  • Федорова Долорес Лазаревна
  • Шипилов Игорь Викторович
  • Гусев Михаил Юрьевич
RU2551926C1
ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ПОДЛОЖЕК СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА 1992
  • Еськов Николай Анатольевич
  • Рандошкин Владимир Васильевич
RU2038435C1
Способ выращивания монокристаллов гематита @ -F @ О @ 1990
  • Безматерных Леонард Николаевич
  • Темеров Владислав Леонидович
  • Васильева Елена Павловна
  • Жгун Владимир Ильич
SU1740505A1
Способ выращивания монокристаллической пленки FeBO на диамагнитной подложке 2015
  • Ягупов Сергей Владимирович
  • Стругацкий Марк Борисович
  • Могилец Юлия Александровна
  • Селезнева Кира Андреевна
RU2616668C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ-СКАНДИЙ-ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ 2006
  • Титов Александр Николаевич
  • Крутова Лариса Ивановна
  • Ветров Василий Николаевич
  • Игнатенков Борис Александрович
  • Миронов Игорь Алексеевич
RU2321689C2

Реферат патента 1990 года Способ получения феррогранатовых структур

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины. Способ включает нагрев подложки из галлий-гадолиниевого граната до 900-1050°С, ее травление раствором-расплавом, содержащим, мол.%: GD3GA5O12 или Y3FE5O12 1-5

B2O3 31-35

BAO 30-35

BAF2 12-14

PBO остальное, в течение 0,3-1,5 мин и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержащего компоненты граната и растворителя. В сравнении с прототипом способ позволяет снизить продолжительность процесса за счет увеличения более чем в пять раз скорости травления подложки, а также предотвратить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек.

Формула изобретения SU 1 604 871 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1604871A1

Система вторичного электропитания 1987
  • Павлов Виктор Григорьевич
  • Павленко Владимир Яковлевич
  • Летичевский Роман Давыдович
  • Мусаелян Сергей Артаваздович
SU1432686A2
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 604 871 A1

Авторы

Макарова Надежда Григорьевна

Николаевский Алим Никитович

Николаев Евгений Иванович

Красин Иннокентий Алексеевич

Ющенко Петр Васильевич

Даты

1990-11-07Публикация

1988-07-19Подача