сл
с
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1988 |
|
SU1546449A1 |
Керамический материал | 1988 |
|
SU1539189A1 |
Керамический материал | 1983 |
|
SU1138397A1 |
Керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов | 1988 |
|
SU1595817A1 |
Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов | 1991 |
|
SU1825353A3 |
Способ получения керамического материала на основе оксидов висмута-цинка-ниобия | 2023 |
|
RU2804938C1 |
Диэлектрический керамический материал для термокомпенсации | 1989 |
|
SU1719357A1 |
Пьезокерамический материал | 2018 |
|
RU2677515C1 |
РАДИОПРОЗРАЧНЫЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ АВИАЦИОННОЙ ТЕХНИКИ | 2010 |
|
RU2440936C1 |
Керамический материал для конденсаторов | 1987 |
|
SU1551696A1 |
Изобретение относится к керамическим материалам, предназначенным для использования в радиотехнике и электронике, в частности при изготовлении конденсаторов. Цель изобретения - повышение температурной стабильности диэлектрической проницаемости. Диэлектрический керамический материал содержит дополнительно ЗгТЮз при следующем соотношении компонентов, мас.%: PbZi-Оз 57,93-63,49; Ko.5Bio,5Ti03 15,76-17,30; ЗгТЮз 19,21- 26,31. Материал получен по обычной керамической технологии: синтез при 900°С 3 ч, спекание при 1200°С 1 ч.%Материал имеет следующие характеристики f при 20°С 1600-2400; в температурном интервале 20-85°С - 2,52-13.3%; р, при 20°С
Изобретение относится к керамическим материалам, предназначенным для использования в радиотехнике и электронике, в частности при изготовлении конденсаторов с компенсированной температурой зависимостью емкости.
Цель изобретения - повышение температурной стабильности диэлектрической проницаемости.
Синтез составов осуществляют по обычной керамической технологии в две стадии. В качестве исходных компонентов используют следующие реактивы: К2СОз марки ч; марки о.х.ч., оксиды ТЮ2 и РЬО марок ч.д a, Zr02 марки ч. Температура синтеза составляет 900°С, продолжительность 3 ч. Спекание образцов проводят при 1200°С в течение 1 ч. Металлизацию образцов осуществляют путем вжигания скипидарной серебряной пасты при 800°С в течение 30 мин. Измерения диэлектрических параметров полученного материала проводят на образцах в форме диска диаметром 10 мм и толщиной 1 мм.
Составы материала и электрические характеристики исследованных составов приведены в таблице.
Формула изобретения Диэлектрический керамический материал, включающий PbZrOs и KosBiosTiOa, отличающийся тем, что. с целью повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости, он содер
О 00
ю
(А) СЛ ГО
жит дополнительно ЗгТЮз при следующем соотношении компонентов, мас.%: PbZrO
57,93-63,49; Ko.sBlo.sTlOa 15,76-17,30: -ТЮз 19,21-26,31.
Способ крашения тканей | 1922 |
|
SU62A1 |
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды | 1921 |
|
SU4A1 |
Пьезоэлектрический керамический материал | 1980 |
|
SU939425A1 |
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды | 1921 |
|
SU4A1 |
Авторы
Даты
1991-10-07—Публикация
1989-07-19—Подача