СПОСОБ ЛАЗЕРНОЙ ПОДГОНКИ ПРЕЦИЗИОННЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Советский патент 1999 года по МПК H01C17/24 

1. Способ лазерной подгонки прецизионных тонкопленочных резисторов, включающий изготовление тестовых образцов резисторов на диэлектрической подложке, нанесение пробных резов перпендикулярно направлению линий тока тестовых резисторов с использованием различных режимов лазерного излучения, определение зависимости величины удельного поверхностного сопротивления утечки резов от мощности лазерного излучения, выбор оптимального режима работы лазерного излучения путем сравнения полученной величины сопротивления утечки резов на тестовых образцах с заданной величиной и подгонку номиналов тонкопленочных резисторов путем нанесения лазерных резов параллельно линиям тока в выбранном режиме, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности номиналов тонкопленочных резисторов, изготовление тестовых образцов осуществляют напылением в едином цикле с подгоняемыми резисторами, перед определением зависимости величины удельного поверхностного сопротивления утечки резов от мощности лазерного излучения измеряют величину удельного поверхностного сопротивления утечки реза непосредственно после его нанесения, осуществляют выдержку тестовых резисторов в нормальных условиях в течение времени, необходимого для прекращения дрейфа их сопротивления, после чего измеряют полученную величину удельного поверхностного сопротивления утечки резов тестовых резисторов, а оптимальный режим лазерного излучения выбирают из условия получения реза с величиной удельного поверхностного сопротивления утечки реза, меньшей величины удельного поверхностного сопротивления материала диэлектрической подложки, но большей минимально допустимой заданной величины удельного поверхностного сопротивления утечки реза.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что минимально допустимую заданную величину удельного поверхностного сопротивления утечки реза выбирают из соотношения

где ρ_м - минимально допустимая заданная величина удельного поверхностного сопротивления утечки реза, Ом/кв;
R_н - сопротивление подгоняемого резистора до подгонки, Ом;
R_п - требуемое (номинальное) сопротивление подгоняемого резистора, Ом;
R_к - сопротивление, превышающее R_п на величину допустимого изменения сопротивления резистора за счет дрейфа сопротивления подгоночного реза, Ом;
ρ_н - удельное поверхностное сопротивление утечки реза, измеренное непосредственно после его нанесения, Ом/кв;
ρ_к - удельное поверхностное сопротивление утечки реза, измеренное после выдержки тестового резистора в нормальных условиях и окончания дрейфа сопротивления реза, Ом/кв;
ρ_пл - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки, Ом/кв.