Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках Советский патент 1991 года по МПК G01N24/00 H01C17/00 

Изобретение относится к измерению резистивных пленок на диэлектрической подложке и может быть использовано при определении качества резистивных пленок, используемых в производстве тонкопленочных резисторов, после напыления их в вакууме на диэлектрические подложки.

Целью изобретения является повышение точности контроля качества.

Способ изготовления и контроля качества резистивных пленок на диэлектрической подложке осуществляют следующим образом.

После напыления в вакууме керметного резистивного материала на диэлектрические подложки, например на цилиндрические керамические основания резисторов, из изготовленной партии заготовок делают выборку дня определения качества полученных пленок. Для этого сначала определяют ТКС пленок до термообработки. Определение ТКС проводят, как обычно, в интервале температур от +25 до +125°С. Для этого сначала проводят измерение сопротивления заготовок RI, армированных контактными узлами, при комнатной тег.пературе +25°С, а затем нагревают их до температуры на 100°С выше комнатной, т.е. до +125°С, и проводят второй замер сопротивления Ra, a затем по формуле определяют ТКС:

.

: (Тнагр-Ткомнат).

Эту же или другую выборку образцов из изготовленной партии термообрабатывают при температуре 150-350°С.

Проводить термообработку предпочти тельно при температурах 150-350°С,так как при увеличении температуры до и выше разница между значениями ТКС пленок с хорошей адгезией и с неудовлетворительной будет уменьшаться, т.е. чувствительность способа будет снижаться.

После термообработки пленок снова определяют ТКС аналогичным образом. Затем сравнивают значение ТКС пленок до термообработки и после термообработки. Чем

сл

с

больше разница между этими значениями ТКС, тем хуже качество пленки - пленка более рыхлая и имеет худшую адгезию к подложке. И наоборот, чем меньше эта разница, тем более качественная пленка получена. Для удобства численного выражения качества пленки можно определять его по формуле:

„ ТКС до У0 -ТКС Уо

Кк.р.п. -

10

-6

1/°С

где Кк.р.п. - коэффициент качества резистив- ной пленки;

ТКС до т/о - температурный коэффициент сопротивления резистивной пленки до термообработки;

ТКС т/о - температурный коэффициент сопротивления резистивной пленки после тевмообоаботки.

Чем меньшее значение Кк.р.п. получается, тем более качественная пленка получена при напылении, т.е. она имеет высокую плотность и адгазию к подложке.

Формула изобретения Способ контроля качества реэистивных пленок на диэлектрических подложках, включающим измерение сопротивления резистивной пленки на диэлектрической подложке в диапазоне температур и определение ее температурного коэффициента сопротивления (ТКС) по результатам измерения, сравнение определенной величины ТКС с эталонной и определение степени качества резистивной пленки на диэлектрической подложке, о т л и ч a rout и и с я тем, что, с целью повышения точности контроля качества, дополнительно

проводят измерение сопротивления резистивной пленки на диэлектрической подложке до ее термообработки, а в качестве величины ТКС, сравниваемой с эталонной величиной, используют величину, равную

разности между величинами ТКС до и после термообработки резистивной пленки на диэлектрической подложке.

Изобретение относится к производству л измерениям резистивных пленок на диэ- .лектрической подложке и может быть использовано при определении качества резистивных пленок, используемых в производстве тонкопленочных резисторов, после напыления их в вакууме на диэлектрические подложки. Целью изобретения является повышение точности контроля качества. Изобретение включает напыление и термообработку резистивной пленки на диэлектрической подложке, измерение ее температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и определение качества по результату сравнения результатов измерений с эталоном. Отличием изобретения является дополнительное измерение ТКС до термообработки и сравнение с эталоном величины, равной разности ТКС, измеренных после и до термообработки.