Способ получения стеклокристаллического материала Советский патент 1992 года по МПК C03B32/00 

Изобретение относится к области изготовления стеклокристаллических материалов с ориентированными зернами, которые могут быть использованы в электротехнике, оптоэлектронике и других отраслях промышленности.

Цель изобретения - повышение степени ориентации кристаллитов и обеспечение высокой повторяемости характеристик изделий в партии..

Способ осуществляется следующим образом.

Для приготовления шихты состава PbsGeaOii готовят смесь порошков РЬО и GeOz. которую затем синтезируют. После этого из исходной шихты получают стеклообразные образцы (пластины) по методу за- калки расплава между двумя металлическими пластинами. Затем на одну из поверхностей образца любым известным методом (термическое, высокочастотное напыление и т.д.) наносят пленку серебра, поеле чего производят изотермическую кристаллизацию.

Приме р. Стекла, имеющие молярный состав 5PbO-3Ge02, приготовляют из материалов РЬО и GeOa марки о.с.ч. Перед употреблением окислы РЬО и Ge02 прокаливают при т. 550 и 300°С соответственно. Взвешенные в соответствии с молярным составом 5/3 порошки перемешивают в шаровой мельнице в течение 1,5 ч с последующим синтезом при Т 600°С в течение 8ч. Полученную, таким образом, шихту плавят в платиновом тигле и выдерживают при 800°С в течение 2 ч с целью гомогенизации расплава. На следующем этапе расплав подвергают закалке между двумя металлическими пластинками. В результате получают стекла толщиной 0,5 мм. Методом термического напыления на одну из поверхностей стек л я- ных пластинок наносят слой серебра толщиной 0.05-0,1 мкм.

сл

с

VI ю оо

Ј о

Полученные, таким образом, образцы кристаллизуются изотермически при 650- 700°С в течение 4-6 ч,

Исследование степени ориентации проводят по данным рентгеноструктурного ана- лиза в соответствии с формулой

t PC PCO

1C л р

I г СО

где PC и Рсо есть 2 l(ooe)/2 l(hke) отношение интенсивностей рентгеновских дифрак- ционных пиков стеклокерамики и исходной шихты соответственно.

Коэффициент ориентации полученных образцов составляет fc 0.75 и разброс этого параметра не превышает 10%.

Нанесение перед кристаллизацией пленки металла (Ад), на одну из поверхностей образца приводит к тому, что в процессе последующей термообработки ионы металла диффундируют вглубь образца. Вследствие образования градиента концентрации диффузанта, направленного нормально к поверхности образца, возникают деформационные и электрические поля, имеющие такое же направление. Наличие вышеуказанных полей приводит к тому, что кристаллиты германата свинца, имеющие

анизотропные упругие и электрические свойства по осям а и с, в процессе роста приобретают преимущественную ориентацию, а именно, оси с кристаллитов будут направлены перпендикулярно поверхности образца. Кристаллиты, ось с которых будет иметь другое направление, будут обладать большей внутренней энергией, что приведет к их вырождению.

Таким образом, предлагаемый способ получения стеклокерамики с ориентированными зернами позволяет улучшить качество изделий за счет повышения степени ориентации зерен и получать изделия с высокой повторяемостью характеристик в партии.

Ф ормул а и зобр.ете ни я Способ получения стеклокристалличе- ского материала на основе германата свинца путем приготовления шихты, варки и кристаллизации в процессе термообработки, отличающийся тем, что. с целью повышения степени ориентации кристаллов и обеспечения высокой повторяемости характеристик изделий, на одну из поверхностей образца перед кристаллизацией наносят пленку серебра.

Изобретение относится к области изготовления стеклокристаллических материалов с ориентированными зернами, которые могут быть использованы в электротехнике, оптоэлектронике и других отраслях промышленности. Целью изобретения является повышение степени ориентации кристаллов и обеспечение высокой повторяемости характеристик изделий. Для этого при способе получения стеклокристаллического материала на основе германата свинца путем приготовления шихты и варки перед кристаллизацией на одну из поверхностей образца наносят пленку серебра.