Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов, содержащих избыток брома, и может быть использовано для легирования монокристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях.
Известен способ обработки монокристаллов бромидов, включающий введение брома из газовой фазы в монокристалл бромида при термической обработке.
Этот способ требует использования атмосферы брома и, как правило, давлений, превышающих 10 атм.
Наиболее близким к предлагаемому является способ обработки щелочно-галоид- ных монокристаллов путем их электролиза при пропускании тока 0,1 мА с использованием одного плоского электрода и второго - острийного.соединенного с положительным потенциалом.
Этот способ позволяет инжектировать в иодиды дырочные центры окраски, однако
этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.
Цель изобретения - получение монокристаллов бромидов с избытком брома.
Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30-50°С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.
Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50°С ниже температуры плавления. При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.
Пример. Для получения монокристалла бромида цезия с избытком брома выращенный по методу Стокбаргера монокристалл бромида цезия диаметром 16 мм и длиной 15
VI
СО
мм помещали в ячейку, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство. После нагрева монокристалла до 580°С через него пропускали ток 10 мА в течение 10 с, подавая положительный потенциал на острийный электрод. При этом в образец инжектировалось желто-оранжевое облако брома. После прекращения пропускания тока образец охлаждали в гептане комнатной температуры. Определение брома осуществляли по характерной полосе поглощения с максимумом 280 нм. Оценочное количество избыточного брома в образце составило
Ю18.см:з.
Предлагаемый способ позволяет получить монокристаллы бромидов с избытком брома.
Формула изобретения Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов путем их электролиза с использованием одного плоского электрода и другого - острийного, соединенного с положительным потенциалом, отличающий- с я тем, что, с целью получения бромидов с избытком брома, электролиз ведут при температуре на 30 - 50°С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.
15
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов | 1990 |
|
SU1730222A1 |
Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов | 1990 |
|
SU1818365A1 |
Способ получения брома | 1990 |
|
SU1775497A1 |
Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей | 1989 |
|
SU1694716A1 |
Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах | 1987 |
|
SU1539609A1 |
Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах | 1990 |
|
SU1755127A1 |
Способ термообработки монокристалловиОдиСТОгО цЕзия | 1978 |
|
SU823475A1 |
ПРОТОЧНАЯ БАТАРЕЯ И РЕГЕНЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА С УЛУЧШЕННОЙ БЕЗОПАСНОСТЬЮ | 2014 |
|
RU2624628C2 |
СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ БРОМИДА ДО БРОМА | 2003 |
|
RU2316616C2 |
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2126610C1 |
Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях. Обеспечивает получение бромидов с избытком брома. Способ включает электролиз кристалла с использованием плоского электрода и острийного, соединенного с положительным потенциалом. Электролиз ведут при температуре на 30 - 50°С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА: после 12 ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 18 СМ -3
Nakai Y | |||
V - centers in potassium bromide crystals | |||
J | |||
Phys | |||
Soc | |||
Japan, 1958, V | |||
Насос | 1917 |
|
SU13A1 |
Карточный регистратор | 1918 |
|
SU1424A1 |
Uchida Y | |||
at al | |||
Injection of positive holes in alkali halide crystals // - J | |||
Phys | |||
Soc | |||
Japan., 1953, V | |||
Топка с несколькими решетками для твердого топлива | 1918 |
|
SU8A1 |
Способ десульфитации фруктовых и ягодных соков, напитков и т.п. продуктов | 1921 |
|
SU795A1 |
Авторы
Даты
1992-04-30—Публикация
1990-01-16—Подача