Способ изготовления сетчатого электрода запоминающего ЭЛП Советский патент 1992 года по МПК H01J9/16 

Изобретение относится к элементам, используемым в электронной технике, в частности к способам изготовления сетчатого электрода, используемого в электронных приборах, например, в блоках мишени запоминающих ЭЛП.

Целью изобретения является увеличение электрической прозрачности сетчатого электрода и сокращение технологического цикла его изготовления.

Намотку ортогональной сетчатой структуры из проволоки производят на оправку, закрепляют сетку на рабочем несущем злементе гальваническим способом, стравливают осажденный металл с рабочей части сетчатого электрода, фиксируют сетчатый электрод на дополнительную оправку, производят прижим рядов прутков сетки друг к другу элементом надавливания, выполненным из диэлектрика, имеющим рабочую поверхность в виде шарового сегмента высотой 3-5 мкм, и наносят на сетчатый электрод гальваническим способом слой никеля толщиной 0,5-0,6 мкм.

Предлагаемый способ был реализован следующим образом.

В центрах станка навивки сеток И40120042 зажималась оправка с двумя закрепленными на ее боковых сторонах рабочими несущими элементами сетчатых электродов. Навивка сетки с шагом 60 мкм производилась вольфрамовой проволокой диаметром 8 мкм марки ВА-ТО последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. После этого оправка опустилась в ванну сернокислого никелирования и производилось осаждение никеля в течение 2,5 ч при токе в 1 А. Слой осажденного ни келя по окончании процесса имел толщину 10-12 мкм.

Использование: элементы электронной техники, сетчатые электроды электронных приборов, в частности блоки мишеней запоминающих электронно-лучевых приборов. Сущность изобретения: сетчатый электрод изготавливают намоткой проволоки непосредственно на рабочей несущий элемент, закрепляют на нем гальваническим способом, стравливают осажденный металл с рабочей части сетчатого электрода, помещают сетчатый электрод на дополнительную оправку, производят прижим прутков сетки друг к другу элементом надавливания, выполненным из диэлектрика, имеющим рабочую поверхность в виде шарового сегмента высотой 3-5 мкм и наносят на сетчатый электрод гальваническим способом слой никеля толщиной 0,5-0,6 мкм. 1 ил.