Способ резки полупроводниковых слитков Советский патент 1992 года по МПК B28D5/00 

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при резке полупроводниковых материалов в электронной промышленности.

Известен способ резки цилиндрических слитков на пластины, включающий перемещение режущего инструмента относительно слитка, заключающийся в том, что поверхность слитка смазывают мастикой, формируя по длине слитка параллелепипед со сторонами,.в поперечном сечении на 5-20% превышающими диаметр разрезаемого слитка. При этом нанесение покрытия на режущую кромку осуществляют путем подачи на нее постоянно смазки 1.

Недостатком данного способа резки является то, что при высоких скоростях резки (частота вращения кругов 1600-2200 об/мин при резке слитков и 15000- 45000 об/мин при резке пластин) пространство между разрушающимися алмазными зернами на режущей кромке забивается мастикой и продуктами реза, при этом подача смазки в зону реза ограничена.

что приводит к ухудшению геометрии отрезаемых пластин снижению производительности резки, Д; : ,:.;. -;;/ ;:V V .

Наиболее близким к ппредлагаемому способу является спрсрб;резки слитков по- луп р о в о д н и к о в ых мате риал о в,: за к л ю ч а ю- щийся в том, что слиток в момент врезания подают со скоростью; не превышающей 0,15VCpC последующим увеличением скорости подачи к средине слитка и уменьшением ее к концу обработки, причем текущее значение скорости подйчи V в заданной зоне слитка определяется по заданной формуле с текущими размерами зоны слитка в направлении резания 2, .;

Недостатком данного способа является значительное изменение скорости .подачи алмазного круга в процессе резки из-за сколов, возникающих во время врезания круга в слиток и во время окончания реза, а также заполнение пространства между разрушившимися алмазными зернами на поверхности режущей кромки продуктами реза.

Цель изобретения - увеличение производительности резки и повышение качества

S

4 4 О Х|

отрезаемых пластин путем уменьшения радиального биения режущей кромки

Указанная цель достигается тем, что перед отрезанием пластины производят нанесение покрытия на основе графита на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем нанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжении процесса- смазки

Способ заключается в том чкгпри резке полупроводниковых слитков (отрезании пластин от слитка) производят нанесение покрытия на основе графита, при этом-на обрабатываемую поверхность слитка в виде слоя смазки, заполняющей микронеровности, царапины и придающей слитку форму (цилиндра, призмы и т п. в зависимости от расположения базового и дополнительных срезов ориентации слит- ка), обеспечивающую образование ограничительных стенок в нанесенном слое для алмазного круга в момент врезания и выхода его из полупроводникового слитка,

-на рабочую поверхность режущей кромки осуществляют на протяжении всего процесса резки в виде смазки захватываемой абразивными зернами режущей кромки для подачи ее в зону резки

Способ резки полупроводниковых слит- ков осуществляется следующим образом и поясняется чертежами

На фиг. 1 схематически показано радиальное сечение слитка после покрытия

На фиг 2 представлена схема резки слитка алмазным кругом

На полупроводниковый слиток 1 (фиг 1) перед отрезанием пластины, вокруг обрабатываемой поверхности по контуру наносят покрытие на основе графита 3 в виде слоя, заполняющего микронеровности, царапины и придающего слитку форму(цилин- дра, призмы и др ) в зависимости от расположения его базового и дополнительных срезов

Затем производят установку алмазного круга (диска) 4, проведя ориентацию слитка 1 и его фиксацию в оправке 5 клеящей мастикой 6 (фиг. 2)

После этого в зону резки подают сма- зочно-охлаждающую жидкость и осуществляют прямолинейное перемещение слитка 1 относительно вращающегося круга 4 и производят его резку режущей кромкой 7, на которую стержнями на основе графита 8 через направляющие 9 наносят покрытие на основе графита на протяжении всего процесса резки Отрезав пластину, слиток перемещают на заданный шаг и цикл повторяют.

Изобретение обеспечивает уменьшение радиального биения режущей кромки, увеличение производительности и качества порезки, при этом также повышается стойкость режущей кромки круга за счет уменьшения трения и постоянного заполнения пустот (образующихся в результате разрушения алмазных зерен) графитовой сма.з- кой

Особенно важно что данный способ широко применим при разделении полупроводниковых пластин на кристаллы

Формула изобретения

Способ резки полупроводниковых слитков на пластины алмазным кругом включающий закрепление слитка, его ориентацию и последующее отрезание пластины прямолинейным перемещением слитка относительно вращающегося круга отличающийся тем, что с целью повышения производительности резки и качества отрезаемых пластин путем радиального уменьшения радиального биения режущей кромки, перед отрезанием пластины производят нанесения покрытия на основе графита на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем нанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки.

3

te2

Использование: при резке полупровод- нйкЬвьТХ Пматер5йалов в электронной промышленности. Сущность изобретения: способ резки полупроводниковый слитков на пластины осуществляется прямолинейным перемещением слитка относительно вращающегося круга. Перед отрезанием пластины производится нанесение покрытия на основе графита на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем нанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки. 2 ил.