Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей Советский патент 1993 года по МПК C03C8/08 

Изобретение относится к эмалированию металлических изделий из малоуглеродистой стали, в частности к составам силикатных покрытий, используемых в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности.

Известен состав силикатной эмали, представленный следующим соотношением компонентов, мас.%: SI02 45,3-48,9; Zr02 4,0-6,4; Na20 6,0-10,0; fcO 1,6-4,0; Li20 З.ОБИ; SrO 1,0-2,2; СаО 1,0-1,8; В20з 1.1-2,0; СоО 1,0-2,0; МаМЬОз 16.4-28,3; ZrSiOo 2,5- 3,3: МоОз 0,2-0,4.

Недостатком этого состава являются невысокие значения диэлектрической проницаемости.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является состав, представляющий силикатную эмаль, используемую для антикоррозионной защиты стальной химической аппаратуры. Состав эмали характеризуется следующим соотношением компонентов, мас.%: SI02 49-61; Zr02 1-20; МоОз 0,1-2; ТЮ2 0,1-5; ВаОз 1-4; СаО 1-5; SrO 0,1-6: Na20 9-15; К20 0,1-4; U20 1-6; 0,1-5 и кроме того, Na2SIFe 1-6; 1.а20з 0,1-20; ZnO 0,1-2.

Кроме того, эмаль дополнительно содержит, мас.%: Со20з+ СоО 0,1-1.

Недостатком указанного покрытия являются низкие значения диэлектрической проницаемости и электрической прочности.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости и электрической прочности.

Указанная цель достигается тем, что покрытие, включающее SI02, ВаОз, LlaO, К20,

VI

О

4

8

СО

N320, СаО. SrO, ZnO, ТЮ2. Zr02, №28 Fe, дополнительно содержит MgO, Ре20з, ЗгТЮз при следующем соотношении компонентов, мас.%:

SI0225,75-34,3

В20з3,5-4.7

LI202.0-2,7

«202,5-3,3

№20 5.5-7,3

СаО1,5-2,0

SrO2,0-2,7

ZnO1,0-1,3

MgO0,5-0.7

Zr021.5-2,0

TI021.5-2,0

Na2SIFe 2.0-2,7

Fe203 0,75-1.0

ЗгТЮз 33,3-50.0

Изобретение поясняется конкретными составами покрытия, приведенными в табл.1.

Для приготовления шихты диэлектрического покрытия используют кварцевый песок, буру, литий углекислый, соду, селитру натриевую и калиевую, мел, стронций углекислый, цирконовый концентрат, натрий кремнефтористый и метатитанат стронция.

Плавку эмалей проводят при температуре 1250°С в течение 110-120 мин с последу- ющей грануляцией на воду.

Помол, приготовление шликера по общепринятой технологии эмалирования. Наносят шликер на предварительно загрунтованное изделие. Температура об- жига эмали составляет 850±10°С. Толщина покрытия на изделии составляет 1 ±0,1 мм.

Определение диэлектрической проницаемости тангенса угла диэлектрических потерь проводят в соответствии с ГОСТ 64334-71, электрической прочности в соответствии с ГО СТ 6433.3-71.

Свойства конкретных составов приведены в табл.2.

Использование предлагаемого покрытия в качестве диэлектрических барьеров электродов обеспечивает более высокую мощность озонаторной установки, что позволило повысить ее производительность в

1,5 раза.

Использование: в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей содержит, мас.%: оксид кремния 25,75-34,3 БФ SI02, оксид бора 3.5-4,7 БФ В20з. оксид лития 2,0-2,7 БФ LlaO, оксид натрия 5.5-7,3 БФ NaaO, оксид калия 2,5-3,3 БФ К20, оксид кальция 1,5-2,0 БФ СаО, оксид стронция 2,0-2.7 БФ SrO, оксид титана 1,5-2,0 БФ ТЮ2, оксид циркония 1,5-2,0 БФ Zr02. кремнефтори- стый натрий 2,0-2,7 БФ Na2SIFe, оксид цинка 1,0-1,3 БФ ZnO, оксид магния 0,5-0,7 БФ МдО, титанат стронция 33,3-50,0 БФ ЗгТЮз, оксид железа 0,75-1,0 БФ Ре20з. Характеристика покрытия: диэлектрическая проницаемость 16-18, диэлектрические потери (47-48), электрическая прочность 38 кВ/мм, ТКЛР (96-102) /град. 2 табл. Ј

Формула изобретения

Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей, включающее SI02, В20з, Li20, N320, К20. СаО, SrO, Zr02. ТЮ2, Na2SIF6, ZnO, отличающееся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и электрической прочности, оно дополнительно содержит Ре20з, MgO, ЗгТЮз при следующем соотношении компонентов, мас.%:

SI0225,75-34.3

В20з 3.5-4,7

Таблица 1

Таблица 2