Способ получения кристаллического фторида кальция Советский патент 1993 года по МПК C30B13/00 C30B29/12 

Описание патента на изобретение SU1798394A1

Изобретение относится к технологии получения чистых материалов, а именно фторида кальция и может быть использовано при выращивании монокристаллических пленок CaF2.

Цель изобретения - повышение чистоты фторида кальция для выращивания эпитаксиальных пленок.

На чертеже приведены вольт-амперные характеристики диэлектрических пленок CaFa. Номера 2-5 соответствуют образцам пленок, полученных из CaFa по прототипу, а номера 6,7,10 и 11 - образцам пленок, полученных по предлагаемому способу. Здесь видно, что пленка из материала по известному способу имеет по сравнению с пленками по гораздо более высокие электрофизические характеристики: удельное сопротивление выше на порядок, а напряжение пробоя на три порядка (см. табл.1).

Температурный градиент от 80- 100°С/см позволяет сформировать достаточно узкие зоны расплава, в которых концентрируются примеси. Оптимальный

интервал значений градиента температур найден экспериментально. Границы его обусловлены падением степени очистки материала от примесей. При слишком малых градиентах (80°С/см) на фронте кристаллизации образуются дендриты с большей поверхностью, адсорбирующей примеси, а при слишком малых градиентах (100°С/см) за фронтом кристаллизации образуется не моно-, а поликристалл, межзеренные границы которого также служат местами концентрации примесей.

Количество зон плавления выбрано больше одной с целью повышения эффекта очистки. При увеличении зон плавления выше шести эффекта не получали, т.к. зоны сливаются друг с другом в одну.

Поскольку скорость диффузии атомов в расплаве конечна, то протяжку тигля через зоны плавления проводили с разными скоростями от 8-80 мм/ч. При скорости протяжки тигля с фторидом кальция через зоны плавления менее 8 мм/ч (например, 4 мм/ч), качество продукта.не меняется, хотя время очистки увеличивается, при увеличении скоVJ

ю со

CJ

ю

4

рости выше 80 мм/ч - эффективность очистки уменьшается.

Поскольку существенные отличия, а именно: скорость протяжки 8-80 мм/ч через зоны плавления больше одной, температурный градиент между которыми 80- 100°С/см, а вакуум 10 -10 5 мм рт.ст. в известных решениях не обнаружены.

П р и м е р. В тигель, предназначенный для зонной плавки, помещали фторид кальция, полученный по известному способу. Горизонтальную перекристаллизацию, производили в печи СГВВ-25.100.250/22- ИТ. Градиент температур между зонами составлял 80-100°С/см относительной ширины зоны нагрева 10-25 мм, расстояние между зонами составляло 80 мм. В зоне нагрева создавали вакуум 10 мм рт.ст. и температура плавления . тигель протягивали через 6 зон плавления со скоростью 20 мм/ч. После перекристаллизации, полученный очищенный слиток фторида кальция длиной 160 мм удовлетворял требуемым условиям. Данные по микропримесям и примерам 1-13 приведены в табл.2.

Тепловой узел, сконструированный и изготовленный для этих целей, включает в себя от трех до шести нагревателей, расположенных последовательно и закрытых теп- лоизолирующими экранами. Нагреватель

представляет собой круглую спираль из графита марки ПГ-ОСЧ диаметром 50 мм. Экра- ны из графита выполнены полыми с отверстиями для прохождения тигля. Толщина стенки нагревателя 5 мм. Нагреватели крепятся к тоководам и расположены перпендикулярно оси камеры. Расстояние между нагревателями составляет 80 мм, что позволяет выдерживать температурный

градиент между зонами нагрева от 80 до 100°С/см. .

Таким образом/предложенный способ позволяет получать фторид кальция, существенно превосходящий по электрофизическим свойствам, полученный ранее, что позволяет использовать этот материал для выращивания монокристаллических пленок.

Формула изобретения Способ получения кристаллического фторида кальция, включающий направленную кристаллизацию исходного фторида кальция в тигле, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты фторида кальция для выращивания эпитаксиальных пленок, кристаллизацию ведут зонной плавкой в вакууме мм рт.ст. путем протягивания тигля со скоростью 8-80 мм/ч не менее чем через две зоны плавления с градиентом между ними 80-100 град/см.

Таблица 1

120

tO--10 f 6

10я. 1.3 0,9-10. . 1-Ю 1-10- 5-)0 1-10 1-10

При малых скоростях очистка эффективна, но процесс сплью затягивается по

времени

СЛ

Похожие патенты SU1798394A1

название год авторы номер документа
Способ получения фторида кальция 1989
  • Рахимов Махамаджан Эшанжанович
  • Икрами Джанон Джалолович
  • Мансурходжаева Любовь Федоровна
  • Халимов Шоди Абдуллаевич
SU1699922A1
Флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита и способ получения эпитаксиальных слоев флюорита 2022
  • Маслов Владислав Александрович
  • Федоров Павел Павлович
  • Кузнецов Сергей Викторович
  • Кравцов Сергей Борисович
  • Цветков Владимир Борисович
RU2785132C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ 2012
  • Ежлов Вадим Сергеевич
  • Мильвидская Алла Георгиевна
  • Молодцова Елена Владимировна
  • Колчина Галина Петровна
  • Меженный Михаил Валерьевич
  • Резник Владимир Яковлевич
RU2482228C1
СПОСОБ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ МЕТАЛЛОВ ГРУППЫ IIA 2009
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Крутов Михаил Анатольевич
RU2421552C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ КАЛЬЦИЯ И БАРИЯ 2009
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Крутов Михаил Анатольевич
RU2400573C1
Оптический материал инфракрасного диапазона и способ его получения 2016
  • Федоров Павел Павлович
  • Кузнецов Сергей Викторович
  • Плотниченко Виктор Геннадиевич
  • Чувилина Елена Львовна
  • Гасанов Ахмедали Амиралы Оглы
  • Осико Вячеслав Васильевич
RU2640764C1
Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка и кадмия 1977
  • Сысоев Леонид Андреевич
  • Вербицкий Олег Петрович
  • Носачев Борис Григорьевич
  • Силин Виталий Иванович
SU681626A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ СИНЕЛЬНИКОВА-ДЗИОВА 2016
  • Синельников Борис Михайлович
  • Дзиов Давид Таймуразович
RU2626637C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ОТФ 2006
  • Быкова Светлана Викторовна
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Гоник Михаил Александрович
  • Цветовский Владимир Борисович
RU2330127C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм МЕТОДОМ ОТФ 2008
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Цветовский Владимир Борисович
  • Быкова Светлана Викторовна
RU2381305C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 798 394 A1

Реферат патента 1993 года Способ получения кристаллического фторида кальция

Использование: получение фторида кальция для выращивания эпитаксиальных пленок. Сущность изобретения: исходную фторид кальция в тигле протягивают со скоростью 8-80 град/см. Процесс ведут в вакууме 10 - 10 мм рт.ет. Получают слиток длиной 160 мм, очищенный от примесей железа, магния, кремния. 1 ил. 2 табл.

Формула изобретения SU 1 798 394 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1798394A1

Способ получения фторида кальция 1989
  • Рахимов Махамаджан Эшанжанович
  • Икрами Джанон Джалолович
  • Мансурходжаева Любовь Федоровна
  • Халимов Шоди Абдуллаевич
SU1699922A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 798 394 A1

Авторы

Халимов Шоди Абдуллоевич

Икрами Джанон Джалолович

Парамзин Александр Сергеевич

Икрами Мухаббат Бобоевна

Даты

1993-02-28Публикация

1990-12-14Подача