Способ получения кристаллов теллурида кадмия Советский патент 1993 года по МПК C30B33/02 C30B29/48 

Изобретение относится к технологии получения кристаллов CdTe для ИК-оптики.

Цель изобретения - получение кристаллов для инфракрасной оптики со светопро- пусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65%/см.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе-прототипе, включающем выращивание кристаллов CdTe из расплава и последующую термообработку в парах кадмия, послеростовую термообработку в парах кадмия ведут при температуре обрабатываемого кристалла 930-950 °С в течение 60-70 ч.

Светопропускание полученных таким образом образцов на длине волны 10,6 мкм 65%/см, т.е. выше, чем у кристаллов, выращенных по способу-прототипу. Высокое светопропускание позволяет применять такие кристаллы в инфракрасной оптике.

Этот эффект достигается компенсацией собственных примесных уровней в CdTe при проведении такой послеростовой термообработки.

Температура обрабатываемого кристалла CdTe 930-950 °С выбрана экспериментально (см.таблицу). Из таблицы (строки 1-2) видно, что при температурах ниже 930°С значение Тю-е остается низким. Использование температур выше 950°С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация CdTe, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см. таблицу, строка 8).

Снижение продолжительности отжига (менее 60 ч) приводит к получению кристаллов с недостаточно высоким светопропуска- нием (см.таблицу, строка 3), а увеличение (свыше70 ч) нецелесообразно, т.к. не приводит к росту величину Тю« (см. таблицу, строка 4).

Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение обладает существенными отличиями.

ел

с

оо

тшЛ

00

СА) О

Пример: Кристалл CdTe выращивают из расплава. Полученный кристалл помещают в кварцевую ампулу так, что на одном конце ампулы находится кристалл, а на другом - источник паров кадмия. Ампулу ваку- умируют до остаточного давления мм .рт.ст., запаивают и помещают в печь так, что температура обрабатываемого кристалла составляет 940°С. Ампулу выдерживают в печи 65 час, после чего извлекают и вскрывают. Получен кристалл CdTe со светопро- пусканием 65%/см на длине волны 10,6 мкм (см.таблицу, строка 6).

Примеры с другими значениями темпе. ратуры и времени термообработки приведе: ны в таблице, строки 5 и 7.

Таким образом, применение предлагаемого способа, по сравнению со способом- прототипом, позволяет получать кристаллы CdTe для инфракрасной оптики со свето- пропусканием на длине волны 10,6 мкм 65 %/см.

Формула изобретения Способ получения кристаллов теллури- да кадмия, включающий выращивание кристаллов из расплава и их последующую термообработку в парах кадмия, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10,6 5 мкм неяснее 65%/см, термообработку проводят при 930-950°С в течение 60-76 ч.

0

Использование: получение кристаллов для инфракрасной оптики. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из расплава и отжимают при 930-950°С в течение 60-70 ч. Получают кристаллы со светопропу- сканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65%. 1 табл.