Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, в частности при изготовлении предионизаторов, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости.
Цель изобретения повышение диэлектрической проницаемости материала.
Стеклокристаллический сегнетоэлектрический материал и способ его получения реализован следующим образом.
П р и м е р 1. Шихту, содержащую, мас. Si 2,8; ТiO2 28,0; ВаCO3 69,2, расплавляют при 1350оС на воздухе в алундовом тигле и проваривают в течение 0,5 ч. Расплав разливают в графитовые формы, нагретые до 750оС, кристаллизуют и отжигают в электрической печи на воздухе при этой же температуре в течение 0,5 ч. Затем полученные образцы охлаждают до комнатной температуры в печи со скоростью 40 град/ч. На образцы в виде плоских пластин напыляют серебряные электроды и измеряют электрическую емкость измерителем Е7-8. По емкости и геометрическим размерам образцов рассчитывают диэлектрическую проницаемость ε. У материала образцов затем определяют химический состав методами стандартного химического "силикатного" анализа с применением газовой хроматографии.
В таблице приведены состав шихты, материала и значения диэлектрической проницаемости материала.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2010 |
|
RU2439004C2 |
МАГНИТОМЯГКИЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА В ВИДЕ ИЗДЕЛИЯ | 2012 |
|
RU2504854C1 |
Нелинейно оптический стеклокристаллический текстурированный материал и способ его получения | 2023 |
|
RU2809850C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 2009 |
|
RU2399594C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНОЙ СТЕКЛОМАТРИЦЫ | 2019 |
|
RU2747496C2 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 1991 |
|
RU2079913C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННО-ТЕКСТУРИРОВАННОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ | 2009 |
|
RU2422390C1 |
СОСТАВ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 2007 |
|
RU2374207C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ МЕТОДОМ ПРОПИТКИ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНОЙ СТЕКЛОМАТРИЦЫ | 2019 |
|
RU2721609C1 |
СПОСОБ АЛЮМИНОТЕРМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОСПЛАВОВ | 2013 |
|
RU2549820C1 |
Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Для повышения диэлектрической проницаемости материала в способе получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала, включающем расплавление на воздухе шихты, содержащей TiO2, кристаллизацию и отжиг, шихта дополнительно содержит BaCO3 и Si при следующем соотношении компонентов, мас. % : TiO2 27,3 - 28,0; BaCO3 67,5 - 69,2 и Si 2,8 - 5,2. Величина диэлектрической проницаемости полученного материала составляет 450000 - 530000. 1 табл.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающий расплавление шихты, содержащей TiO2 и восстановитель, кристаллизацию и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости материала, шихта в качестве восстановителя содержит кремний и дополнительно BaCO3 при следующем соотношении компонентов, мас.
TiO2 27,3 28,0
Кремний 2,8 5,2
BaCO3 67,5 69,2
причем расплавление ведут на воздухе.
Патент США N 3484258, кл | |||
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1995-04-30—Публикация
1989-02-20—Подача