СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА Советский патент 1995 года по МПК C04B35/46 H01G4/12 

Описание патента на изобретение SU1829320A1

Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, в частности при изготовлении предионизаторов, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости.

Цель изобретения повышение диэлектрической проницаемости материала.

Стеклокристаллический сегнетоэлектрический материал и способ его получения реализован следующим образом.

П р и м е р 1. Шихту, содержащую, мас. Si 2,8; ТiO2 28,0; ВаCO3 69,2, расплавляют при 1350оС на воздухе в алундовом тигле и проваривают в течение 0,5 ч. Расплав разливают в графитовые формы, нагретые до 750оС, кристаллизуют и отжигают в электрической печи на воздухе при этой же температуре в течение 0,5 ч. Затем полученные образцы охлаждают до комнатной температуры в печи со скоростью 40 град/ч. На образцы в виде плоских пластин напыляют серебряные электроды и измеряют электрическую емкость измерителем Е7-8. По емкости и геометрическим размерам образцов рассчитывают диэлектрическую проницаемость ε. У материала образцов затем определяют химический состав методами стандартного химического "силикатного" анализа с применением газовой хроматографии.

В таблице приведены состав шихты, материала и значения диэлектрической проницаемости материала.

Похожие патенты SU1829320A1

название год авторы номер документа
СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 2010
  • Саркисов Павел Джебраилович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Лопатина Елена Владимировна
  • Орлова Елена Валерьевна
RU2439004C2
МАГНИТОМЯГКИЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА В ВИДЕ ИЗДЕЛИЯ 2012
  • Бойко Андрей Андреевич
  • Белый Дмитрий Иванович
  • Подденежный Евгений Николаевич
  • Дробышевская Наталья Евгеньевна
  • Ашрапов Фархат Умарович
  • Ашрапов Далер Фархатович
RU2504854C1
Нелинейно оптический стеклокристаллический текстурированный материал и способ его получения 2023
  • Кремер Иван Олегович
  • Самохвалов Михаил Андреевич
RU2809850C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 2009
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Орлова Елена Валерьевна
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Мосунов Александр Викторович
  • Кругликов Валерий Сергеевич
RU2399594C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНОЙ СТЕКЛОМАТРИЦЫ 2019
  • Свиридов Сергей Иванович
  • Тюрнина Зоя Геральдовна
  • Тюрнина Наталья Геральдовна
  • Синельщикова Ольга Юрьевна
  • Тумаркин Андрей Вилевич
RU2747496C2
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 1991
  • Бурилова Вера Владимировна[By]
  • Костомаров Владимир Степанович[By]
  • Харламова Лидия Панаидовна[By]
  • Карлина Лидия Валентиновна[By]
  • Пояркова Людмила Ивановна[By]
  • Дроздова Валентина Андреевна[By]
RU2079913C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННО-ТЕКСТУРИРОВАННОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ 2009
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Окада Акира
RU2422390C1
СОСТАВ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 2007
  • Жабрев Валентин Александрович
  • Ефименко Людмила Павловна
  • Барышников Вячеслав Георгиевич
  • Афанасьев Валентин Петрович
RU2374207C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ МЕТОДОМ ПРОПИТКИ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНОЙ СТЕКЛОМАТРИЦЫ 2019
  • Свиридов Сергей Иванович
  • Тюрнина Зоя Геральдовна
  • Тюрнина Наталья Геральдовна
  • Тумаркин Андрей Вилевич
RU2721609C1
СПОСОБ АЛЮМИНОТЕРМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОСПЛАВОВ 2013
  • Боровинская Инна Петровна
  • Лорян Вазген Эдвардович
  • Качин Александр Рафаэльевич
  • Мнацаканян Армен Степани
RU2549820C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 829 320 A1

Реферат патента 1995 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Для повышения диэлектрической проницаемости материала в способе получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала, включающем расплавление на воздухе шихты, содержащей TiO2, кристаллизацию и отжиг, шихта дополнительно содержит BaCO3 и Si при следующем соотношении компонентов, мас. % : TiO2 27,3 - 28,0; BaCO3 67,5 - 69,2 и Si 2,8 - 5,2. Величина диэлектрической проницаемости полученного материала составляет 450000 - 530000. 1 табл.

Формула изобретения SU 1 829 320 A1

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающий расплавление шихты, содержащей TiO2 и восстановитель, кристаллизацию и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости материала, шихта в качестве восстановителя содержит кремний и дополнительно BaCO3 при следующем соотношении компонентов, мас.

TiO2 27,3 28,0
Кремний 2,8 5,2
BaCO3 67,5 69,2
причем расплавление ведут на воздухе.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1829320A1

Патент США N 3484258, кл
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 829 320 A1

Авторы

Самохвалов М.А.

Миненков В.Р.

Шубин Б.Г.

Даты

1995-04-30Публикация

1989-02-20Подача