СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ Советский патент 1969 года по МПК H01C17/00 

Настоящее изобретение относится к технологии изтотовления радиоэлектронной аппаратуры, а именно к способам получения электропроводящих покрытий на диэлектриках, используемых, «апример, в качестве электродов фотоэлектронных и люминисцентных приборов.

Известны способы получения электропроводящих покрытий, основанные на нанесении на поверхность диэлектриков тонких слоев металла или полупроводникового материала.

Однако известными способами невозможно получить покрытие, устойчивое к восстановительной атмосфере при повышенных температурах. Так, например, полупроводниковые слои двуокиси олова и окиси индия разрушаются в среде водорода, окиси углерода, сернистого Водорода и других восстановителей при температуре выше 300°С, а слои окислов вольфрама и молибдена в этих условиях постепенно восстанавливаются до металла.

Целью настоящего изобретения является разработка способа .получения на поверхности диэлектриков покрытия, удельное поверхностное сопротивление которого составляет -102-iQio ом, а электрические свойства его не меняются при действии восстановительной агмосферы в интервале температур от 20 до 1000°С.

Для этого на поверхности диэлектрика вначале наносят слой из смеси двуокиси кремния и двуокиси титана (Si02-TiOj), который затем обрабатывается в атмосфере сухого аммиака при температуре 800-1000°С. Слой смеси SiOs-TiO можно нанести, например, химическим методом, путем гидролиза спиртового раствора, содержащего этиловые эфиры ортокремниевой и ортотитановой кислот,

На центр поверхности горизонтально расположеиной вращающейся детали подается дозированное количество раствора. В результате растекания раствора, испарение растворителя (спирта) гидролиза эфира Si:(OC2H5).

Ti(OC2H5) и последующего прогрева лри температуре 350°С на поверхности диэлектрика образуется слой смеси двуокиси кремния и двуокиси титана, толщина которого зависит от общей концентрации эфиров, количества

подаваемого раствора и скорости вращения детали. Возможно также нанесение слоя смеси поливом пли одновременным катодным распылением титана и кремния.

После обработки покрытия в потоке сухого

аммиака при 800-1000°С образуется слой смеси нитрида титана и двуокиси кремния (Si02-TiN). Время обработки для полного азотирования покрытия зависит от температуры, обработки аммиаком, толщины исходтана. Чем содержание Ti02 в слое, тем выше электросопротивление и меньше светог оглощение покрытия. В условиях вакуума (10 мм рт. ст.) и восстановительнойатмосферыпокрытияSiOa-TIN устойчивы до температуры 1000°С. Слои SiOs-TiN обладают высокой механической прочностью и адгезией к таким диэлектрикам, как плавленный кварц, корундиз и другая керамика на основе окнси алюминия. Для удаления слоев требуется шлифовка порошком электрокорунда. Длительное пребывание в воде не меняет свойств покрытия. Описанный способ получения электропроводящих слоев может быть использовал для создания стабильных резисторов, прозрачных электродов и покрытий, служаш,их для выравнивания высоковольтного градиента потенциала на поверхности диэлектриков в восстановительной среде при повышенных температурах. Предмет изобретения Способ получения электропроводящих покрытий, отличающийся тем, что, с целью повышеннп поверхностной электропроводности диэлектриков и устойчивости «х к восстановительной среде (например водорода, окиси углерода, углеводородов), на поверхность диэлектриков наносят слой из смеси двуокиси кремния и двуокиси титана и подвергают его обработке в атмосфере сухого аммиака при температуре 800 -1000°С.