ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЕ ПОКРЫТИЕ Советский патент 1971 года по МПК C03C17/22 

Изобретепие относится к области изменения электрических свойств диэлектриков путем нанесения на их поверхность тонких электропроводящих ,покрытий и может быть использовано для создания прозрачных электродов, снятия вредных электростатических поверхностных зарядов, выравнивания градиента Потенциала па поверхности диэлектриков и т. п.

Известно электропроводящее покрытие на основе вольфрама.

Цель изобретения - повысить поверхностную электропроводимость диэлектриков путем нанесения на их поверхность электропроводящих покрытий, устойчивых :к действию водорода и других восстановительных реагентов при повышенной температуре.

Достигается это тем, что покрытие содерт жит двуокись кре.мния при -соотнощении компонентов, вес. %: Si02 20-50, W 50-80.

Меняя концентрацию вольфрама в слое и его толщину, можно получать покрытия с удельной поверхностной электропроводностью 10-2-10-3 и светоПропусканием 10-70%. При этом увеличение содержания вольфрама в микрокомпозиционном слое вызывает повыщение проводимости и снижение светопропускапия слоя. Ниже приведены данные удельного поверхностного сопротивления и интегрального светопропзскания . (0,35-

0,8 мкм) для покрытий двуокись кремния - вольфрам толщиной ,1 мкм различного состава, нанесенного на плавленный кварц.

Электропроводящее покрытие из микрокомпозиции двуокись кремния-вольфрам не меняют своих электрических и оптических свойств в атмосфере водорода при 600-800°С и при пагреве на воздухе до 200°С.

Предмет изобретения

Электропроводящее покрытие на диэлектриках на основе вольфрама, отличающееся тем, что, с целью повыщеиия электропроводности и устойчивости к восстановительной атмосфере, оно дополнительно содержит двуокись кремния при соотношении компонен