ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР Советский патент 1972 года по МПК H01C7/06 

Резистор относится к элементам радиоэлектронных устройств.

Известен пленочный резистор на основе кермета, содержащего двуокись кремния и мелкодисперсный проводящий материал.

Известный резистор имеет недостаточно низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС).

Цель изобретения - уменьшение ТКС резистора.

Указанная цель достигается тем, что в качестве упомянутого токопроводящего материала используют молибден. Причем молибден вводят в количестве, равном 40-60 мол. %.

Предлагаемые пленочные резисторы могут быть получены на поверхности диэлектриков путем обработки покрытия, состоящего из смеси двуокиси кремния и трехокиси молибдена, в. атмосфере водорода при 400-800°С. Исходное покрытие SiO2-МоОз наносится на диэлектрик двумя способами: гидролизом смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Si(OC2H5)4 и пятихлористого молибдена или реактивным катодным распылением кремния

и молибдена в среде кислорода. Возможно также получение пленочного резистора путем электроннолучевого испарения молибдена и двуокиси кремния.

Пленочные резисторы на основе сочетания «двуокись кремния-молибден не меняют своих электрических свойств нри длительном воздействии атмосферы с относительной влажностью 98% и температурой до 50°С и имеют

ТКС порядка 10-2-10-3 %/град.

Предмет изобретения

1.Пленочный резистор на основе кермета, содержащего двуокись кремния и мелкодисперсный проводящий материал, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве

уномянутого токопроводящего материала используют молибден.

2.Пленочный резистор по п. 1, отличающийся тем, что молибден вводят в количестве, равном 40-60 мол. %.