АЗНЫЙ ОТРЕЗНОЙ КРУГ ГОДОВСКОГОВСЕСОЮЗНАЯ"AT:iiTHa-TCX;^:i^E?«AfiL'--i&.fS>&1orEHA Советский патент 1971 года по МПК B24D5/12 

Изобретение отиосится к области резки тоиких пластин на хрупких материалов высокой и сверхвысокой твердости. Оно может быть использовано на предприятиях электронной и радиотехнической промышленности, в ювелирном, оптическом производстве, а также при изготовлепии точных технических камней.

В пастоящее время для разрезания твердых и хрупких материалов высокой и сверхвысокой твердости (например, рубина, сапфнра, карамики, ферритов, ситаллов и др.) на тонкие пластины применяются алмазные отрезные круги.

Известны алмазные отрезные круги, выполненные с прямым профилем алмазоносного слоя с параллельиымн торцовыми поверхностями, имеюигими радиальные насечки.

В процессе резания хрупких .Л1атериалов, особенно сверхвысокой твердости, из-за различных линейных скоростей точек, расположенных на разном расстоянии от центра круга, происходит неравномерный изиос торцовой поверхности. В результате профиль алмазоносного слоя круга уже через 10-15 резов приобретает форму клина, что снижает качество получаемых пластин.

Целью изобретения является повышение качества и нронзводительности процесса резания.

носного слоя выиолнеи в форме клина, раеширяюшегося в сторону режущей кромки. Для улучшения проннкновения смазывающс-охлаждающей лчидкости и удаления отходов резания на торцовые поверхности алмазоносного слоя нанесены радиальные штрихи в виде насечек, увеличивающихся по глубине в сторону режущей кромки п смещенных но кругу относительно противоположной стороны на ноло0 вину шага насечки, а режущая кромка вынолlieHa в виде зигзагообразной линии.

На фиг. 1 изображен описываемый алмазный отрезной круг, вид спереди; па фиг. 2 - вид по стрелке .4; на фиг. 3-сечение по Б-Б

.5 иа фиг. 2.

Алмазный отрезно круг содержит основание /, алмазоносны слой 2 с торцовыми новерхностями 3 и режущую кромку 4. На обенх сторонах алмазоносного слоя нанесена радиальная насечка 5 с одинаковым щагом S, равным 6-7 толщ11нам алмазоносного слоя данного круга. Сдвиг насечки на одной стороне относительио другой равен иоловине шага насечки. Глубина Л насечки увелич)шается в сторону режушей кромки - от О до /з толшпн1)1 алмазоносного слоя. Уго.т а развала штриха равен 120°.

Аналогичное исполнение может быть применено и для кругов с внутренней режущей

при T;IIU) Koiii;рукц:п1 алмазного отрезного Npyra достигается резка обра,зца только режу1цсГ; кт-Омкоп до полного износа алма-зоноспо-го с.чоя Ос: участия к работе его торцовых поliepxnocTei;. Нгмичие насечек на торцовых ног.срхностях Maxcii.Nia.iijHO lioisbHiiacT нроннкно1 сние сма;-;ь:1 аюн1С-ох,таждающей жидкости в зону KoirraKTon ii улучшает условии удаления отходов реза.

1 ji с д м с т ii 3 о о р е е и и я

радиальные насечки, отличающийся тем, что, с целью новышення качества и эффективности резания, алмазоносный слой имеет нрофиль к.пнна, расгинряющийся в сторону режущей кромки.

2. Круг Т10 и. 1, отличающийся тем, что, с це.тыо улучшения проннкновения с.мазываюцде-охлаждающей жидкости, удаления отходов резания и сохранения равнотолщинностн алмазонэс;гс;го слся, торцовые новерхносгн 1:.меют ;iacc4iKii, увелг)чиваю1циеся по п бине в сто.рону режущей кромки и смещенные относительно нротивсположной стороны на ноловину своего Hiara, а режущая кромка выаюлнена в виде зигзагообразной линии.

Фиг 2