КИСЛЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ ЦИНКОВАНИЯ Советский патент 1972 года по МПК C25D3/22 

Изобретение относится к области получения блестящих цинковых нокрытий.

Известен электролит цинкования, содержаш,ий соль цинка, хлористый аммоний и полиэтиленгликоль.

С целью получения блестящих и пластичных при больших толщинах цинковых покрытий в состав предлагаемого кислого электролита цинкования введен кетон ароматического ряда.

Предлагаемый электролит содержит, г/л:

соль цинка50-200

аммоний хлористый50-300

полиэтиленгликоль0,1-20 кетон ароматического

ряда0,01-5,0.

В качестве соли цинка в электролит можно вводить хлорид цинка, сульфат цинка ацетат цинка, фторборат цинка и сульфамат цинка.

В качестве кетонов ароматического ряда могут быть использованы: ацетофенон, этинилфенилкетои, проииофенон, бензальацетон, 2-гидроксибензальацетон, 3-метоксибензальацетон, бензоилацетон, бензоилацетонитрил, 3-ацетилпиридин, 2,4-дигидрокси-бензофенон, бензальацетофенон, дибензальацетон, 2-бензоилпиридин, 3-бенхоилпиридин, 4-бензоилпиридин, этиловый эфир бензоил уксусной кнслоты, 1-(2-фурнл)-1-бутен-3-он, тиенилденацетон, 3-ацетилкумарин, 4-ацетилкумарин, 6-ацетилкумари 1.

Хлористый аммоний может быть частично

или полностью заменен на сульфат аммония или другие электропроводящие солн, например, хлористый натрий, сульфат натрия.

Кроме того, электролит может содержать борную кислоту, алифатические и ароматические карбоновые кислоты или их соли, например уксусную кислоту, бензойную кислоту, салициловую кислоту.

В качестве других добавок в электролит могут быть введены и другие блескообразователи, например тиосоедииения, высокомолекулярные соединения, ароматические альдегиды, а также не вспенивающиеся смачивающие средства, в частности короткоцеиные алкилсульфаты.

Осаждение нокрытия проводится при рН 3,0-6,0 (оптимальное значение ,5- 5,5), температуре 10-45°С, плотности тока 0,1-10,0 а/дм и при перемешивании электролита.

Перемещивание электролита осуществляется путем вдувания воздуха пли качания катода.