(54) ВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ БЛЕСТЯЩЕГО ЦИНКОВАНИЯ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Электролит блестящего цинкования | 1975 |
|
SU711180A1 |
Электролит цинкования | 1980 |
|
SU910861A1 |
Электролит блестящего цинкования | 1976 |
|
SU655749A1 |
Электролит для осаждения покрытий сплавом цинк-кобальт | 1990 |
|
SU1813808A1 |
Нецианистый электролит блестящегоцинкования | 1977 |
|
SU737508A1 |
Электролит блестящего цинкования | 1988 |
|
SU1638214A1 |
ЭЛЕКТРОЛИТ БЛЕСТЯЩЕГО ЦИНКОВАНИЯ | 1994 |
|
RU2063481C1 |
Электролит цинкования | 1979 |
|
SU876798A1 |
Электролит блестящего цинкования | 1990 |
|
SU1770458A1 |
Электролит блестящего цинкования | 1986 |
|
SU1585389A1 |
1
Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к области цинкования.
Известен водный электролит блестящего цинкования, содержащий соединение цинка, хлорид аммония, борную кислоту, препарат ОС-2О и бензальдегид l.
Известен также водный электролит блестящего цинкования,содержащий соль цинка, хлорид аммония, высокомолекулярное и б лес кообразующее вещества, например кетон ароматического ряда 2. Однако отмечается их низкая рассеивающая способность, неравномерность толщины покрытия на различных участках сложнопрофилированных деталей,что снижает коррозионную стойкость покрытия.
Предложенный электролит отличается тем, что для повыщения коррозионной стойкости покрытия и рассеивающей способности электролита он в качестве блескообразующего вещества содержит п -оксифенил 4( п -аминобензолсульфокислота) 1 -кар бинол. или t 3,4-димeтoкcифeнил-N-(n-аминобензолсульфокислота) -карбинол, или фенил- N -( п -аминобензолсульфокяслота)1 -карбинол, или п-метоксифенил- N -(1г -аминобензолсульфокислота)) -карбинол, или фенил-N -( а -амннобензолсульфокислота -метилкарбинол, или фенил-N-(и-амино- бензолсульфокислота) - N -пропилкарбишэл, или их смесь при следующем соотнощении компонентов, г/л:
Соль цинка50-200
Хлористый аммоний5О-ЗОО
Высокомолекулярное вещество0,1-20
Блескообразующее вещество 0,2-15 Блескообразующие вещества имеют структурную формулу;
ОН
ОН-С Нд-C-HN-CgH SOjH,
Н
ОН
(CH,0).,-C Hj- -NH-C H SO,H , Н
он
C H -C-HN-C H SOjH, Н 3°- 6Vf-f -4V,H, C.HrOH 6 fv. CH, . , OH V X С CjH/ ..B KaneciBe источников ионов цинка при меняют сульфат цинка, ацетат цинка и 4 торборат шшка. В качестве высокомопекз пярных вешеств применяют попиэтипеигпй«iHonbj пошшиниповый спирт и попиакрилаt am. Кроме того, электролит может содер укеегъ буферные добавки, например борную дсиспоту, сульфат алюминия, ацетаты натри или аммония, Процеос осаждения проводят при 15-35 3-6, катодной nnoTHOciB тока I-IO а {Эпоктротшт готовят простым смешение л компонентов. Блескообр уюшие вещества готовят Следующим образом. В отдельном реакторе смешивают вод|Ный раствор едкой щелочи (рН 10) с 5О г/ сульфаниловой кислоты. Серной кислотой flpJBoriHT рН 3,5-4,5 после чего вводят ароматический альдегид и/или кетон в ко личестве 1:1-1:10 по отношению к сульф ниповой кислоте. Время реакции 0,5-1 ча при температуре 40-60 С. Покрытия нан из электролитов. Пример 1, Состав электролита, г Сернистый цинк 100 Хлористый аммоний200 Ацетат натрияЗО 1 Ъпиэтиленгпикрль10 м -юксифенил-и-( П,-аминобензолсупьфокислота) - -карбгаюл6
Известный, г/л: Соль шшка 50-20О Хлорид -ммония 50-300
Ли.;;Т;|Г .ufiiplljl 27 llfioucKx: BeAiVT uj-u no.LiUM ij.tji TOMncfiaiy- , pH 5 и катодлоц ji;toTJiX:T.u юка а/цм n p и M e p 2. Ссютвв электропи га, г/т. Хло|.1истый цннк50 Хлориртый аммоний 50 Сернокиспый: аммоний50 Хлористый натрий20 Полиакрипамид2 С 3,4-диметоксифеиил- М- -()т,амшюбензрпсульфо1шслота) j -карбинол0|65 фенил- Н -((г- -аминобенаол- сульфокислота) -метилкарбинол 1,1 Процесс ведут при комнатной температу- , pli 4,5 и катодной плотности тока 2 а/9 . П р и м е р 3. Электролит, г/л: Ацетат цинка Бороф1ористоводород1п.1й Ацетат аммония Поливиниловый спирт Сернокислый; алюшший Фенил- N- (ги-аминобенаолсульфокислота) -метилкарбинол (|1енил- W -(а -аминобензолсульфокислота) TN- лропилкарбинол Процесс веДут при комнатной температу. е, рН 3 и катодной плотности тока За/дМ; Пример 4. Состав электролита, г/л: .Хлористый цинк150 Сернокислый натрий50 Хлористый аммоний200 Борная кислота30 Полиэтиленгликоль2 О а -меаоксифенил-М -( ц-аминобензолсульфокнслота )1 -карбинол 2,25 Процесс ведут при комнатной температуЛе И 3,5 и катодной плоскости тока 2 а/дм Рассеивающая способность электролита коррозионная стойкость покрытий пред. тавлена в таблице.; Данный электролит блестящего цинковаHH может быть использован в ста- даонарного, колокольного и бараба цгого
Электролиты
Высокомолекулярное вещество 0,1-20
Кетон/апьдегид ароматического ряда 0,01-.5
мула из
р е т е н. и.я
Водный эпектропит бпестящего uHiacoBa-. jHHH,содержащий соль цинка, хлористый ам;моний, высокомопекупярное и бпескообразу. гющее вещества -jd т ли чающийся .тем, что,с цепью повышения коррозионной стойкости покрытия и рассеивающей способ ности электролита, он в качестве бпескообрааующего вещества содержит it-оксифеннл-N-{ а-аминобензолсупьфокиспота)} -карбинол, или 13,4-диметоксифенил-М-( а-аминобензолсульфокислота) -карбинол, или фенил-N -(П --аминобензолсульфокислота) -карбинол ;Или а-метоксифенил- N - ( П -акйнюбензолсугеьфокислота) -карбинол, или фенил-N-(п-, -аминобензолсульфокислота) -метилкарбинол.
Защитно-коррозионная устойчивость, сутки
35
или {фенил- N -(п -аминобензолсульфокислота) -N -пропилкарбинол, или их смесь при i следующем соотнощении компонентов, г/л:
Сопь цинка
50-200 Хлористый аммоний 50-ЗОО Вые окомолеку лярное
0,1-20 вещество
Бпескообразующее вещество 0,
Источники информации, принятые во впи-i 1мание при экспертизе:
Авторы
Даты
1976-11-05—Публикация
1974-12-23—Подача